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    4−スルホンアリールジベンゾフランを含む光電材料及び応用
    2.
    发明专利
    4−スルホンアリールジベンゾフランを含む光電材料及び応用 有权

    公开(公告)号：JP2021507502A

    公开(公告)日：2021-02-22

    申请号：JP2020523420

    申请日：2018-09-25

    申请人： 広東阿格蕾雅光電材料有限公司

    发明人： 彭 嘉歓 ,  戴 雷 ,  蔡 麗菲

    IPC分类号： C07D405/02 ,  H01L51/50

    摘要： 【課題】一般的に使用されるホスト材料CBPよりも高いガラス転移温度を有し、ホスト材料の熱安定性を大幅に改善し、有機発光ダイオードのホスト材料に対する要求を満たす4−スルホンアリールジベンゾフランを含む光電材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンスデバイスを提供する。 【解決手段】式(I)に記載の構造を有する4−スルホンアリールジベンゾフランベースの双極性材料を製造する。Ar 1 及びAr 2 は、5〜15個の環原子を有するアリール基、ヘテロアリール基又は縮合環アリール基であり、R 1 及びR 2 は、アルキル基置換若しくは未置換のアクリジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニイル基、カルバゾール、インデノカルバゾール、ジフェニルアミン、他の芳香族ジフェニルアミン誘導体、水素、ハロゲン又はC1−C4アルキル基を表し、R 1 、R 2 の少なくとも1つは、アルキル基置換若しくは未置換のアクリジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニイル基、カルバゾール、インデノカルバゾール、ジフェニルアミン又は他の芳香族ジフェニルアミン誘導体である。 【選択図】図2

    4、6−ジフェニルスルホンジベンゾフランベースの双極性ホスト材料及び応用
    4.
    发明专利
    4、6−ジフェニルスルホンジベンゾフランベースの双極性ホスト材料及び応用 有权

    公开(公告)号：JP2021501989A

    公开(公告)日：2021-01-21

    申请号：JP2020523421

    申请日：2018-09-25

    申请人： 広東阿格蕾雅光電材料有限公司

    发明人： 彭 嘉歓 ,  戴 雷 ,  蔡 麗菲

    IPC分类号： H05B33/10 ,  C07D405/14 ,  C07D413/14 ,  C07D417/14 ,  C07D307/91 ,  H01L51/50

    摘要： 【課題】4,6−ジフェニルスルホンジベンゾフランベースの双極性ホスト材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンスデバイスを提供する。 【解決手段】式(I)の構造を有する化合物であり、R 1 〜R 6 は、アルキル基置換若しくは未置換のアクリジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニイル基、カルバゾール、インデノカルバゾール、ジフェニルアミン、他の芳香族ジフェニルアミン誘導体、水素、ハロゲン又はC1−C4アルキル基である。R 1 〜R 6 の少なくとも1つは、置換若しくは未置換のアクリジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニイル基、カルバゾール、インデノカルバゾール、ジフェニルアミン又は他の芳香族ジフェニルアミン誘導体である。化合物は一般的に使用されるホスト材料CBPより高いガラス転移温度を有し、熱安定性が大幅に改善し、有機発光ダイオードのホスト材料に対する要求を満たす。 【選択図】図2

    4、6−ジフェニルスルホンジベンゾフランベースの双極性ホスト材料を含むデバイス
    6.
    发明专利
    4、6−ジフェニルスルホンジベンゾフランベースの双極性ホスト材料を含むデバイス 有权

    公开(公告)号：JP2021501988A

    公开(公告)日：2021-01-21

    申请号：JP2020523322

    申请日：2018-09-25

    申请人： 広東阿格蕾雅光電材料有限公司

    发明人： 彭 嘉歓 ,  戴 雷 ,  蔡 麗菲

    IPC分类号： H01L51/50

    摘要： 【課題】4,6−ジフェニルスルホンジベンゾフランベースの双極性ホスト材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンスデバイスを提供する。 【解決手段】式(I)の構造を有する化合物であり、R 1 〜R 6 は、アルキル基置換若しくは未置換のアクリジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニイル基、カルバゾール、インデノカルバゾール、ジフェニルアミン、他の芳香族ジフェニルアミン誘導体、水素、ハロゲン又はC1−C4アルキル基である。R 1 〜R 6 の少なくとも1つは、置換若しくは未置換のアクリジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニイル基、カルバゾール、インデノカルバゾール、ジフェニルアミン又は他の芳香族ジフェニルアミン誘導体である。化合物は一般的に使用されるホスト材料CBPより高いガラス転移温度を有し、熱安定性が大幅に改善し、有機発光ダイオードのホスト材料に対する要求を満たす。 【選択図】図2