複合焼結体、半導体製造装置部材および複合焼結体の製造方法

    公开(公告)号:JPWO2019163710A1

    公开(公告)日:2021-03-04

    申请号:JP2019005853

    申请日:2019-02-18

    Abstract: 複合焼結体の製造方法は、Al 2 O 3 とSiCとMgOとを混合した混合粉末を、所定形状の成形体に成形する工程(ステップS11)と、当該成形体を焼成して複合焼結体を生成する工程(ステップS12)とを備える。そして、ステップS11において、混合粉末に対するSiCの割合は、4.0重量%以上かつ13.0重量%以下である。また、ステップS11におけるAl 2 O 3 の純度は、99.9%以上である。これにより、Al 2 O 3 の異常粒成長を抑制することができるとともに、高い比誘電率および耐電圧、並びに、低いtanδを有する複合焼結体を好適に製造することができる。

    積層構造体および半導体製造装置部材

    公开(公告)号:JP2021155293A

    公开(公告)日:2021-10-07

    申请号:JP2020058647

    申请日:2020-03-27

    Abstract: 【課題】積層構造体において熱応力に起因する接合部の損傷を抑制する。 【解決手段】積層構造体10は、AlNおよびMgAl 2 O 4 を主相として含む複合焼結体により形成される第1構造体と、セラミックス焼結体により形成され、当該第1構造体に積層されて接合される第2構造体と、を備える。そして、当該第1構造体と当該第2構造体との線熱膨張係数の差は、0.3ppm/K以下である。これにより、熱応力に起因する第1構造体と第2構造体との接合部の損傷を抑制することができる。 【選択図】図1

    複合焼結体、半導体製造装置部材および複合焼結体の製造方法

    公开(公告)号:JPWO2019188148A1

    公开(公告)日:2021-04-08

    申请号:JP2019009511

    申请日:2019-03-08

    Abstract: 複合焼結体は、Al 2 O 3 と、MgAl 2 O 4 とを備える。当該複合焼結体におけるAl 2 O 3 の含有率は、95.5重量%以上である。当該複合焼結体におけるAl 2 O 3 の平均焼結粒径は、2μm以上かつ4μm以下である。当該複合焼結体におけるAl 2 O 3 の焼結粒径分布の標準偏差は、0.35以下である。当該複合焼結体の嵩密度は、3.94g/cm 3 以上かつ3.98g/cm 3 以下である。当該複合焼結体におけるMgAl 2 O 4 とAl 2 O 3 との結晶相量の比は、0.003以上かつ0.01以下である。これにより、高い耐電圧および高い体積抵抗率を有する複合焼結体を提供することができる。

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