熱交換器及び改質器
    2.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021156228A

    公开(公告)日:2021-10-07

    申请号:JP2020058529

    申请日:2020-03-27

    Abstract: 【課題】 改質触媒として使用する際、触媒が担持された部分と排ガスが流通する部分との間に、大きな温度差が発生した場合であっても、破壊等が発生しにくく、熱交換効率の高い熱交換器を提供する。 【解決手段】 流体の第1流通路となる多数のセルが隔壁を隔てて長手方向に並設されたセラミック製のハニカムセグメントが接着層を介して複数結合された第1のハニカム構造体と、流体の第2流通路となる多数のセルが隔壁を隔てて長手方向に並設されたセラミック製のハニカムセグメントが接着層を介して複数結合された第2のハニカム構造体とが、前記第1流通路と前記第2流通路とが交差するように組み合わされてなることを特徴とする熱交換器。 【選択図】 図2

    積層構造体および半導体製造装置部材

    公开(公告)号:JP2021155293A

    公开(公告)日:2021-10-07

    申请号:JP2020058647

    申请日:2020-03-27

    Abstract: 【課題】積層構造体において熱応力に起因する接合部の損傷を抑制する。 【解決手段】積層構造体10は、AlNおよびMgAl 2 O 4 を主相として含む複合焼結体により形成される第1構造体と、セラミックス焼結体により形成され、当該第1構造体に積層されて接合される第2構造体と、を備える。そして、当該第1構造体と当該第2構造体との線熱膨張係数の差は、0.3ppm/K以下である。これにより、熱応力に起因する第1構造体と第2構造体との接合部の損傷を抑制することができる。 【選択図】図1

    SiC被覆黒鉛部材の接合体
    4.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021147256A

    公开(公告)日:2021-09-27

    申请号:JP2020046660

    申请日:2020-03-17

    Abstract: 【課題】接合強度が高く、寸法精度に優れ、気密性の高いSiC被覆黒鉛材料の接合体を提供する。 【解決手段】CVD−SiC層が、黒鉛からなる基材の表面を覆うととともに、前記基材が組み合わせ面を介して前記CVD−SiC層により複数個接合されているSiC被覆黒鉛部材の接合体であって、前記少なくとも一方の基材は、前記組み合わせ面の一端側に周囲よりも高い凸部と、他端側に、他の基材と組み合わせた際、外部に開口した凹部を有し、前記CVD-SiC層は、前記組み合わせ面の凸部の外側で前記基材を接合体の外表面に沿って接合する第一の接合部を有するとともに、前記組み合わせ面の凹部の外側で凹部に貫入し前記基材を対向する面同士接合する第二の接合部を有することを特徴とするSiC被覆黒鉛部材の接合体。 【選択図】 図3

    熱遮蔽効果を有するセラミック製ヒーターとセラミック製ヒーター付き静電チャックおよびそれらの製造方法

    公开(公告)号:JP2021141230A

    公开(公告)日:2021-09-16

    申请号:JP2020038670

    申请日:2020-03-06

    Inventor: 松原 学

    Abstract: 【課題】熱遮蔽効果を有する低熱伝導セラミックと一体化した、ヒーター線内設セラミック製ヒーターまたはセラミック製ヒーター付き静電チャックおよびそれらの製造方法を提供する。 【解決手段】ヒータの製造方法において、ヒーター線内設セラミック層2と低熱伝導セラミック層5の表面に、接合のための活性化接合層4−a、4−bを形成する工程と、接合層同士を接合する工程と、を含む。セラミック製ヒーター付き静電チャックの場合は、金属電極を形成したセラミック誘電体層とセラミック絶縁体層の表面に、接合のための活性化接合層を形成する工程と、接合層同士を接合し一体化したセラミック製静電チャックと、低熱伝導セラミック層が接合されたヒーター線内設セラミック層を同様に接合する工程と、を含む。 【選択図】図1

    ハニカムフィルタ
    7.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021133283A

    公开(公告)日:2021-09-13

    申请号:JP2020029808

    申请日:2020-02-25

    Inventor: 昆野 由規

    Abstract: 【課題】複数のハニカムセグメントを接合して構成したハニカムフィルタにおいて、粒子状物質の燃焼の際に、クラックの発生を良好に抑制することが可能であり、且つ、圧力損失が良好に抑制されたハニカムフィルタを提供すること。 【解決手段】柱状のハニカムセグメントが、接合材層を介して複数個接合して構成されている柱状のハニカムフィルタであって、複数個のハニカムセグメントは、それぞれ、一方の端面から他方の端面まで延びる複数のセルを区画形成する隔壁を有し、複数個のハニカムセグメントのうち、少なくとも1つは、中心軸側に位置する中心部と、ハニカムセグメントの最外周に位置する外周部とで構成されており、ハニカムセグメントの外周部における隔壁は、ハニカムセグメントにおける隔壁の平均厚みに対して、101〜150%の厚みを有しており、セルの延伸方向に垂直な断面において、外周部における隔壁の総面積が、ハニカムセグメントにおける隔壁の総面積に対して、5〜35%であるハニカムフィルタ。 【選択図】図3

    半導体製造装置用部品
    8.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021116216A

    公开(公告)日:2021-08-10

    申请号:JP2020012287

    申请日:2020-01-29

    Abstract: 【課題】プラズマによる接合部の劣化を抑制する。 【解決手段】半導体製造装置用部品は、AlNを主成分とする材料により形成された第1のセラミックス部材と、AlNを主成分とする材料により形成された第2のセラミックス部材と、第1のセラミックス部材と第2のセラミックス部材との間に配置され、第1のセラミックス部材と第2のセラミックス部材とを接合する接合部と、を備える。接合部は、化学式A (0.8〜1) B (11〜12) O (18〜19) (但し、Aは希土類元素であり、BはAlである 以下同じ)で表され、かつ、六方晶の複合酸化物と、化学式A 3 B 5 O 12 で表され、かつ、立方晶の複合酸化物と、化学式A 4 B 2 O 9 で表され、かつ、単斜晶の複合酸化物と、の少なくとも1種のAl−希土類の複合酸化物を含み、Al 2 O 3 を含まない。 【選択図】図4

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