ガスセンサ
    1.
    发明专利
    ガスセンサ 审中-公开

    公开(公告)号:JPWO2019155867A1

    公开(公告)日:2020-12-03

    申请号:JP2019001867

    申请日:2019-01-22

    Abstract: ガスセンサ10は、センサ素子20と、筒状体と、圧粉体45a,45bと、碍子44a〜44cとを備えている。センサ素子20は、素子本体60と、検出部と、上側コネクタ電極71と、上側コネクタ電極71が配設された第1面60aのうち少なくとも前端側を被覆し且つ気孔率が10%以上の多孔質層80と、第1水侵入抑制部91と、を備えている。第1水侵入抑制部91は、多孔質層80を素子本体60の長手方向に沿って分割するように第1面60aに配設され、上側コネクタ電極71よりも前端側に位置し、前後方向の存在範囲と碍子44bの内周面44b1の前後方向の存在範囲との連続した重複部分の長さである重複距離Wが0.5mm以上である。第1水侵入抑制部91は、多孔質層80が存在しない隙間領域であり、長手方向に沿った水の毛細管現象を抑制する。

    センサ素子及びガスセンサ
    2.
    发明专利

    公开(公告)号:JPWO2018230703A1

    公开(公告)日:2020-04-16

    申请号:JP2018022910

    申请日:2018-06-15

    Abstract: センサ素子は、素子本体102と、測定電極44と、測定電極リード90と、気密層と、リード絶縁層とを備える。素子本体102は、積層された酸素イオン伝導性の複数の固体電解質層を有し、被測定ガスを導入して流通させる被測定ガス流通部が内部に設けられている。測定電極44は、被測定ガス流通部に配設されている。測定電極リード90は、測定電極44に接続され被測定ガス流通部に配設された第1部分91と、第1部分91に接続され素子本体102に埋設された第2部分92と、を有する。気密層は、素子本体102の一部であり、第2部分92のうち第1部分91との境界を含む端部領域92Eを囲んでいる。リード絶縁層93は、素子本体102の一部であり、第2部分92のうち端部領域92E以外の少なくとも一部を囲んでいる。

    ガスセンサ
    6.
    发明专利
    ガスセンサ 审中-公开

    公开(公告)号:JPWO2019155866A1

    公开(公告)日:2020-12-03

    申请号:JP2019001864

    申请日:2019-01-22

    Abstract: ガスセンサ10は、センサ素子20と、圧粉体45a,45bと、碍子44a〜44cとを備えている。センサ素子20は、素子本体60と、上側コネクタ電極71と、多孔質層80と、第1水侵入抑制部91と、を備えている。第1水侵入抑制部91は、多孔質層80を素子本体60の長手方向に沿って分割するか又は多孔質層80よりも後端側に位置するように第1面60aに配設され、上側コネクタ電極71よりも前端側に位置し、前後方向の存在範囲と碍子44bの内周面44b1の前後方向の存在範囲との連続した重複部分の長さである重複距離Wが0.5mm以上である。第1水侵入抑制部91は、気孔率が10%未満の第1緻密層92と多孔質層80が存在しない第1隙間領域93とのうち少なくとも第1緻密層92を有し、長手方向に沿った水の毛細管現象を抑制する。

    センサ素子及びガスセンサ
    7.
    发明专利

    公开(公告)号:JPWO2019155865A1

    公开(公告)日:2020-12-03

    申请号:JP2019001849

    申请日:2019-01-22

    Abstract: センサ素子20は、素子本体60と、検出部と、上側コネクタ電極71と、上側コネクタ電極71が配設された第1面60aのうち少なくとも前端側を被覆し且つ気孔率が10%以上の多孔質層80と、第1水侵入抑制部91と、を備えている。第1水侵入抑制部91は、多孔質層80を素子本体60の長手方向に沿って分割するか又は多孔質層80よりも後端側に位置するように第1面60aに配設され、上側コネクタ電極71よりも前端側に位置し、長手方向の長さLが0.5mm以上である。第1水侵入抑制部91は、第1面60aを被覆し且つ気孔率が10%未満の第1緻密層92と第1緻密層92に隣接し且つ多孔質層80が存在しない第1隙間領域93とのうち少なくとも第1緻密層92を有し、長手方向に沿った水の毛細管現象を抑制する。

    センサ素子及びガスセンサ
    8.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021073477A

    公开(公告)日:2021-05-13

    申请号:JP2021023313

    申请日:2021-02-17

    Abstract: 【課題】水分が多孔質層を介してコネクタ電極に到達するのを抑制する。 【解決手段】センサ素子20は、素子本体60と、検出部と、上側コネクタ電極71と、上側コネクタ電極71が配設された第1面60aのうち少なくとも前端側を被覆し且つ気孔率が10%以上の多孔質層80と、第1水侵入抑制部91と、を備えている。第1水侵入抑制部91は、多孔質層80を素子本体60の長手方向に沿って分割するか又は多孔質層80よりも後端側に位置するように第1面60aに配設され、上側コネクタ電極71よりも前端側に位置し、長手方向の長さLが0.5mm以上である。第1水侵入抑制部91は、第1面60aを被覆し且つ気孔率が10%未満の第1緻密層92と第1緻密層92に隣接し且つ多孔質層80が存在しない第1隙間領域93とのうち少なくとも第1緻密層92を有し、長手方向に沿った水の毛細管現象を抑制する。 【選択図】図4

    ガスセンサ
    9.
    发明专利
    ガスセンサ 审中-公开

    公开(公告)号:JP2021043224A

    公开(公告)日:2021-03-18

    申请号:JP2020204862

    申请日:2020-12-10

    Abstract: 【課題】水分がコネクタ電極に到達するのを抑制する。 【解決手段】ガスセンサ10は、センサ素子20と、圧粉体45a,45bと、碍子44a〜44cとを備えている。センサ素子20は、素子本体60と、上側コネクタ電極71と、多孔質層80と、第1水侵入抑制部91と、を備えている。第1水侵入抑制部91は、多孔質層80を素子本体60の長手方向に沿って分割するか又は多孔質層80よりも後端側に位置するように第1面60aに配設され、上側コネクタ電極71よりも前端側に位置し、前後方向の存在範囲と碍子44bの内周面44b1の前後方向の存在範囲との連続した重複部分の長さである重複距離Wが0.5mm以上である。第1水侵入抑制部91は、気孔率が10%未満の第1緻密層92と多孔質層80が存在しない第1隙間領域93とのうち少なくとも第1緻密層92を有し、長手方向に沿った水の毛細管現象を抑制する。 【選択図】図6

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