公开(公告)号：JP6823619B2

公开(公告)日：2021-02-03

申请号：JP2018080541

申请日：2018-04-19

Applicant: 日本電信電話株式会社

Inventor： 高橋 雅之 ,  都築 健

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02F1/025

公开(公告)号：JP6652969B2

公开(公告)日：2020-02-26

申请号：JP2017521685

申请日：2016-05-27

Applicant: 日本電信電話株式会社

Inventor： 亀井 新 ,  地蔵堂 真 ,  福田 浩 ,  菊池 清史 ,  都築 健

IPC: G02F2/00 ,  G02B6/126 ,  G02B6/12 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/10 ,  G02B6/125

公开(公告)号：JP6649843B2

公开(公告)日：2020-02-19

申请号：JP2016097427

申请日：2016-05-13

Applicant: NTTエレクトロニクス株式会社 ,  日本電信電話株式会社

Inventor： 中西 智浩 ,  佐藤 照明 ,  石井 元速 ,  今野 悟 ,  鈴木 雄一 ,  長島 茂雄 ,  美野 真司 ,  浅川 修一郎 ,  福田 浩 ,  亀井 新 ,  相馬 俊一 ,  都築 健 ,  碓氷 光男 ,  才田 隆志

IPC: G02B6/30 ,  G02B6/122

公开(公告)号：JP6560795B2

公开(公告)日：2019-08-14

申请号：JP2018120129

申请日：2018-06-25

Applicant: 日本電信電話株式会社

Inventor： 福田 浩 ,  亀井 新 ,  都築 健 ,  地蔵堂 真 ,  菊池 清史

IPC: H01L31/10

公开(公告)号：JP2019110173A

公开(公告)日：2019-07-04

申请号：JP2017241161

申请日：2017-12-15

Applicant: 日本電信電話株式会社

Inventor： 伊藤 敏洋 ,  都築 健

IPC: H03F3/08 ,  H01L31/02

Abstract: 【課題】フリップチップ実装されたIC間を接続する線路がICの入力インピーダンスに対して高インピーダンスである光受信器を提供すること。 【解決手段】デュアルフォトダイオード112は、アノードS1、S2及びカソードCA1、CA2がパッケージ基板140と接続されている。TIA IC130は、信号端子T1、T2及びVPD1、VPD2がパッケージ基板140と接続されている。S1とT1、S2とT2を接続する信号線路121は、バンプ151を介して半導体チップ110と電気的に接続するようにパッケージ基板140の表面上に形成されている。また、CA1とVPD1、CA2とVPD2を接続する電源線路122は、バンプ151と接続したパッドからビア152を介してTIA IC130と電気的に接続するようにパッケージ基板140の内層に形成されている。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6499804B2

公开(公告)日：2019-04-10

申请号：JP2018505933

申请日：2017-03-14

Applicant: 日本電信電話株式会社

Inventor： 都築 健 ,  川村 百合子

IPC: G02F1/025 ,  G02F1/015

公开(公告)号：JP6368289B2

公开(公告)日：2018-08-01

申请号：JP2015169794

申请日：2015-08-28

Applicant: 日本電信電話株式会社

Inventor： 福田 浩 ,  亀井 新 ,  都築 健 ,  地蔵堂 真 ,  菊池 清史

IPC: H01L21/66 ,  G01M11/00 ,  G02F1/025

公开(公告)号：JP2017045009A

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：JP2015169750

申请日：2015-08-28

Applicant: 日本電信電話株式会社

Inventor： 福田 浩 ,  亀井 新 ,  都築 健 ,  地蔵堂 真 ,  菊池 清史

IPC: G02F1/025

Abstract: 【課題】製造時間および光損失を増大させることなく、かつ、電圧が印加されていない状態における空乏領域を最小限に抑え、高い変調効率を実現する光変調器を提供すること。 【解決手段】シリコン光変調器200は、シリコン基板201と、シリコン基板上のシリコン酸化膜からなる下部クラッド層202と、下部クラッド層202上の表面シリコン層を整形した凸部210および凸部210の両側に横方向に延びる凸部210よりも膜厚の薄いスラブ領域からなるリブ導波路203と、リブ導波路203上に形成された上部クラッド層204を備える。リブ導波路203は、凸部210の中央付近のp型不純物とn型不純物の双方が打ち込まれているオーバーラップ領域215を挟んで、それぞれスラブ領域に広がるp型不純物領域211およびn型不純物領域212が形成され、PN接合を有する。 【選択図】図3

Abstract translation: 甲不增加制造时间和光损耗，并在未施加电压的状态下最小化耗尽区，提供一种光学调制器，以实现高调制效率。 甲硅光调制器200包括硅衬底201，在硅衬底上形成由氧化硅膜构成的下部包层202，凸部210和由下包层202上成形表面硅层得到的凸部210 包括脊形波导203包括膜厚度的薄板坯区域中比在两侧横向延伸的突出部210，形成在该肋形波导203的上包层204。 肋形波导203横过其中两个p型杂质，并在凸部210的中心部附近的n型杂质被驱动时，p型杂质区211和n型杂质区域中的每个延伸的板状区域的重叠区域215 212形成，具有PN结。 点域

公开(公告)号：JP2017017076A

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：JP2015129324

申请日：2015-06-26

Applicant: 日本電信電話株式会社

Inventor： 碓氷 光男 ,  菊池 清史 ,  都築 健 ,  福田 浩 ,  浅川 修一郎 ,  亀井 新 ,  相馬 俊一 ,  才田 隆志

IPC: B23K3/04 ,  B23K1/00 ,  B23K1/018 ,  H05K1/14 ,  H05K3/36 ,  B23K101/42 ,  H05K3/34

Abstract: 【課題】FPC側の電極パッドとパッケージ側の電極パッドの間をはんだ接合する従来技術のはんだ接合方法においては、熱圧着ツールが用いられていた。はんだ接合工程の後に生じるはんだの盛り上がり部分が、高周波の電気信号特性に影響を与える問題があった。はんだ接合に使用された以外の余分なはんだは、FPCの電極パッドの上面の導体電極上に盛り上がり部分として残る。はんだの盛り上がり部分で電気信号の反射が発生し、高周波電気信号の伝送特性を劣化させる要因となっていた。 【解決手段】本発明のはんだ接合ツールは、加熱面を持つ本体部に加えて、本体部に隣接してスライドするように移動可能な機構部品を備えて、本体部と機構部品によって加熱面に隣接する開口部を形成する。この開口部から余分なはんだを吸引するとともに、はんだ接合の終了間際に加熱面から離れるように機構部品がスライドして、開口部をはんだ接合される電極パッドから移動させる。 【選択図】図1

Abstract translation: 公开的是FPC侧电极焊盘和封装侧的电极焊盘之间，以被焊接的现有技术的焊料接合方法，热压接工具已被使用。 焊料接合过程之后发生的焊料隆起部时，存在会影响高频的电信号特性的问题。 比用于焊点多余的焊料保持为部分地基于所述FPC的电极焊盘的上表面上的导体电极升高。 的电信号的反射在焊料，这是限制高频电信号的传播的因子的隆起部分被生成。 本发明的焊料接合工具，除了具有加热表面的主体部分，设置有可移动机构部由所述主体部分和机构部分相邻滑动到所述主体部分，所述加热表面 形成相邻的开口。 吸入从开口多余焊料，机械零件从靠近焊点的端部的加热表面离开滑动到从电极垫移动到被焊接的开口。 点域1

公开(公告)号：JP6774456B2

公开(公告)日：2020-10-21

申请号：JP2018085713

申请日：2018-04-26

Applicant: 日本電信電話株式会社

Inventor： 菊池 清史 ,  相馬 俊一 ,  都築 健 ,  浅川 修一郎

IPC: G02B6/46 ,  G02B6/42