半導体保護用粘着テープ
    2.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2020050709A

    公开(公告)日:2020-04-02

    申请号:JP2018179023

    申请日:2018-09-25

    Abstract: 【課題】凹凸面を良好に埋め込むことが可能であり、かつ、糊残りが防止された半導体保護用粘着テープを提供すること。 【解決手段】本発明の半導体保護用粘着テープ100は、基材10と、該基材の少なくとも片側に配置された粘着剤層と、該基材と該粘着剤層30との間に配置された中間層20とを備え、粘着剤層の貯蔵弾性率A(MPa)と、中間層の厚みB(μm)と、粘着剤層の厚みC(μm)と、粘着剤層のタック値D(N)とが、下記式(1)を満足する。A×(B/C)×D≧20(MPa・N)・・・(1) 【選択図】図1

    バックグラインドテープ
    3.
    发明专利
    バックグラインドテープ 审中-公开
    背面研磨带

    公开(公告)号:JP2016225388A

    公开(公告)日:2016-12-28

    申请号:JP2015108269

    申请日:2015-05-28

    Abstract: 【課題】帯電防止機能を有するバックグラインドテープであって、貼着面とは反対側の面が研削されても、帯電防止機能が消失しないバックグラインドテープを提供すること。 【解決手段】本発明のバックグラインドテープは、半導体ウエハのバックグラインド工程に用いられる、バックグラインドテープであって、基材と、該基材の片側に配置された粘着剤層とを備え、該基材が、該バックグラインド工程において研削される被研削領域を有し、該バックグラインドテープ中の該被研削領域以外の部分に、帯電防止材を含む。 【選択図】図1

    Abstract translation: 本发明提供一种具有抗静电功能的背面研磨带,附接表面是研磨表面相对,以提供背面研磨带的抗静电功能也不会丢失。 本发明的背面研磨带在半导体晶片的背面研磨工艺中使用时,背面研磨胶带,其包括布置在基板的一侧上的基片和压敏粘合剂层,所述 基板具有可磨损区域在背面研磨步骤研磨,在背面研磨胶带被接地区域比该其他的部分,包括抗静电材料。 点域1

    バックグラインドテープ
    5.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2020025015A

    公开(公告)日:2020-02-13

    申请号:JP2018148701

    申请日:2018-08-07

    Abstract: 【課題】ダイシングの後に行われるバックグラインド工程に用いられるバックグラインドテープであって、バックグラインド時に生じ得るチップ欠けを防止するバックグラインドテープを提供すること。 【解決手段】本発明のバックグラインドテープは、粘着剤層と、中間層と、第1の基材とをこの順に備え、該中間層を構成する材料が、カルボキシル基を有し、かつ、架橋していないアクリル系樹脂であり、該粘着剤層をSiミラーウエハに貼着した際の初期粘着力が、1N/20mm〜30N/20mmである。 【選択図】図1

    半導体保護用粘着テープ
    6.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2019156967A

    公开(公告)日:2019-09-19

    申请号:JP2018045161

    申请日:2018-03-13

    Abstract: 【課題】凹凸面を良好に埋め込むことが可能であり、かつ、溶剤含有量が少ない半導体保護用粘着テープを提供する。 【解決手段】基材10と、該基材10の少なくとも片側に配置された粘着剤層30と、該基材10と該粘着剤層30との間に配置された中間層20とを備え、該粘着剤層30が、(メタ)アクリル系ポリマーを含む活性エネルギー線硬化型粘着剤から構成され、該粘着剤層30の厚さが、1μm〜50μmであり、該中間層20が、UV重合(メタ)アクリル系ポリマーから構成され、該中間層20の厚さが、50μm〜1000μmである、半導体保護用粘着テープ100。 【選択図】図1

    半導体ウエハ保護用粘着テープ
    7.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2019047075A

    公开(公告)日:2019-03-22

    申请号:JP2017171814

    申请日:2017-09-07

    Abstract: 【課題】バックグラインド工程において、半導体ウエハにクラックを生じさせにくい半導体ウエハ保護用粘着テープを提供する。 【解決手段】基材と、前記基材上に積層された粘着剤層とを有する半導体ウエハ保護用粘着テープであって、23℃における前記基材の厚みが10〜150μmであり、熱機械分析装置の圧縮膨張法によって、厚み方向に荷重0.11Nをかけた状態で前記粘着テープを−70℃から150℃まで加熱したときの、23℃における前記粘着テープの厚みに対する、23〜100℃における前記粘着テープの厚みの最大増加率が1.2%以下である、半導体ウエハ保護用粘着テープ。 【選択図】図1

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