公开(公告)号：JP2006501626A

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：JP2004548275

申请日：2003-05-29

申请人： ザ・ボード・オブ・トラスティーズ・オブ・ザ・レランド・スタンフォード・ジュニア・ユニバーシティThe Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University ,  本田技研工業株式会社

发明人： オヘイヤ、ライアン ,  パーク、ヨング−イル ,  プリンツ、フリッツ・ビー ,  祐司 斉藤

IPC分类号： G01N27/41 ,  H01B1/06 ,  B05D3/02 ,  B05D5/12 ,  B05D7/24 ,  C04B35/486 ,  C04B35/50 ,  C04B41/00 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  G01N27/26 ,  G01N27/407 ,  G01N27/409 ,  H01B1/08 ,  H01B13/00 ,  H01M8/02 ,  H01M8/12

CPC分类号： H01M8/124 ,  C04B35/486 ,  C04B35/50 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  C04B2111/00801 ,  C04B2111/00853 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  G01N27/4073 ,  H01M4/9025 ,  H01M8/1226 ,  H01M8/1231 ,  H01M8/1246 ,  H01M8/1253 ,  H01M8/126 ,  H01M2008/1293 ,  H01M2300/0074 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56 ,  Y10T29/49115 ,  C04B41/5042 ,  C04B41/5045 ,  C04B41/522 ,  C04B41/0027 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/5122 ,  C04B35/48

摘要： イオン伝導度を高めるために電解質膜中に転位が形成される。 イオン及び／または電子の照射によって薄膜中に欠陥クラスタの生成が引き起こされ、崩壊して高いイオン伝導度を示すフランク転位ループとなる。 続いてなされる膜の熱処理においてフランク転位ループを空間的に再配向することによってイオン伝導度の最大化がなされる。 これにより、転位ループはサーフェス・ツー・サーフェスの連続した転位を形成し、それに沿って、小さな活性化エネルギーで膜面間をイオンが伝搬することができる。 例えばイットリア安定化ジルコニアやドープトセリアのようなセラミック中に１０
８ 〜１０
１４ ｃｍ／ｃｍ
３ の範囲の転位密度を従来の照射技法により形成することができる。

公开(公告)号：JP4879883B2

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：JP2007506490

申请日：2005-03-30

申请人： ザ・ボード・オブ・トラスティーズ・オブ・ザ・レランド・スタンフォード・ジュニア・ユニバーシティThe Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University ,  本田技研工業株式会社

发明人： カング、サングキュン ,  スー、ペイ−シェン ,  チャ、サク−ウォン ,  パーク、ヨング−イル ,  ファービッド、アリ ,  プリンツ、フレデリック・ビー ,  祐司 斉藤

IPC分类号： B01D71/02 ,  B01D53/22 ,  B01D67/00 ,  B01D69/00 ,  B01D69/02 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  B01J23/42 ,  B01J35/10 ,  B01J37/02 ,  B01J37/34 ,  H01M4/86 ,  H01M4/88 ,  H01M4/92 ,  H01M8/10

CPC分类号： B01D53/228 ,  B01D67/0062 ,  B01D69/02 ,  B01D69/10 ,  B01D71/022 ,  B01D71/024 ,  B01D2325/02 ,  B01D2325/04 ,  H01M4/861 ,  H01M4/8657 ,  H01M4/92 ,  H01M8/1226 ,  Y10T428/12028 ,  Y10T428/2944 ,  Y10T428/31678

公开(公告)号：JP4216803B2

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：JP2004508971

申请日：2003-05-29

申请人： 本田技研工業株式会社

发明人： チャ、サク−ウォン ,  パーク、ヨング−イル ,  プリンツ、フリッツ・ビー ,  リー、サン−ジュン・ジョン ,  祐司 斉藤

IPC分类号： B05D5/12 ,  G01N27/41 ,  B05D3/02 ,  B05D7/24 ,  C04B35/486 ,  C04B35/50 ,  C04B41/00 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  G01N27/26 ,  G01N27/407 ,  G01N27/409 ,  H01M8/02 ,  H01M8/12

CPC分类号： H01M8/124 ,  C04B35/486 ,  C04B35/50 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  C04B2111/00801 ,  C04B2111/00853 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  G01N27/4073 ,  H01M4/9025 ,  H01M8/1226 ,  H01M8/1231 ,  H01M8/1246 ,  H01M8/1253 ,  H01M8/126 ,  H01M2008/1293 ,  H01M2300/0074 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56 ,  Y10T29/49115 ,  C04B41/5042 ,  C04B41/5045 ,  C04B41/522 ,  C04B41/0027 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/5122 ,  C04B35/48

公开(公告)号：JP2008514384A

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：JP2007506490

申请日：2005-03-30

申请人： ザ・ボード・オブ・トラスティーズ・オブ・ザ・レランド・スタンフォード・ジュニア・ユニバーシティThe Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University ,  本田技研工業株式会社

发明人： カング、サングキュン ,  スー、ペイ−シェン ,  チャ、サク−ウォン ,  パーク、ヨング−イル ,  ファービッド、アリ ,  プリンツ、フレデリック・ビー ,  祐司 斉藤

IPC分类号： B01D71/02 ,  B01D53/22 ,  B01D67/00 ,  B01D69/00 ,  B01D69/02 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  B01J23/42 ,  B01J35/10 ,  B01J37/02 ,  B01J37/34 ,  H01M4/86 ,  H01M4/88 ,  H01M4/92 ,  H01M8/10

CPC分类号： B01D53/228 ,  B01D67/0062 ,  B01D69/02 ,  B01D69/10 ,  B01D71/022 ,  B01D71/024 ,  B01D2325/02 ,  B01D2325/04 ,  H01M4/861 ,  H01M4/8657 ,  H01M4/92 ,  H01M8/1226 ,  Y10T428/12028 ,  Y10T428/2944 ,  Y10T428/31678

摘要： 多孔質金属膜を形成するための改善された２工程複製プロセスが提供される。 多孔質非金属テンプレートのネガが、テンプレートに液体前駆体を浸透させ、この前駆体を硬化して固体のネガを形成した後、テンプレートを除去してネガを露出することで得られる。 露出されたネガを周囲するように金属を成膜する。 そしてネガを除去することで、元のテンプレート膜の細孔を複製した細孔を有する多孔質金属膜が得られる。 テンプレートの除去と金属の成膜の間、ネガは常に液体中に浸った状態に保たれる。 この浸漬によって、これらの工程間にネガが乾燥することで引き起こされるネガの損傷が防止される。 本発明の別の側面によると、上記方法によって形成された金属膜が提供される。 例えば、膜の一面に他面より小さい細孔を有するような金属膜が提供される。

公开(公告)号：JP2005527370A

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：JP2004508971

申请日：2003-05-29

申请人： ザ・ボード・オブ・トラスティーズ・オブ・ザ・レランド・スタンフォード・ジュニア・ユニバーシティThe Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University ,  本田技研工業株式会社

发明人： チャ、サク−ウォン ,  パーク、ヨング−イル ,  プリンツ、フリッツ・ビー ,  リー、サン−ジュン・ジョン ,  祐司 斉藤

IPC分类号： G01N27/41 ,  B05D3/02 ,  B05D5/12 ,  B05D7/24 ,  C04B35/486 ,  C04B35/50 ,  C04B41/00 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  G01N27/26 ,  G01N27/407 ,  G01N27/409 ,  H01M8/02 ,  H01M8/12

CPC分类号： H01M8/124 ,  C04B35/486 ,  C04B35/50 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  C04B2111/00801 ,  C04B2111/00853 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  G01N27/4073 ,  H01M4/9025 ,  H01M8/1226 ,  H01M8/1231 ,  H01M8/1246 ,  H01M8/1253 ,  H01M8/126 ,  H01M2008/1293 ,  H01M2300/0074 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56 ,  Y10T29/49115 ,  C04B41/5042 ,  C04B41/5045 ,  C04B41/522 ,  C04B41/0027 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/5122 ,  C04B35/48

摘要： 流体不透過性の薄膜（２０）が、所定の空間的酸化膨張率を有する材料（４）をデポジットすることにより多孔質基板（１０）上に形成される。 デポジットした後、材料（４）は酸化され（５）、それによってデポジットした材料（４）が膨張して多孔質基板（１０）上にボイドのない膜を形成する。 ボイドのない膜（５）の粒界（６）を再結合して多孔質基板（２０）上に連続膜（２０）を形成することができる。