公开(公告)号：JP4216803B2

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：JP2004508971

申请日：2003-05-29

申请人： 本田技研工業株式会社

发明人： チャ、サク−ウォン ,  パーク、ヨング−イル ,  プリンツ、フリッツ・ビー ,  リー、サン−ジュン・ジョン ,  祐司 斉藤

IPC分类号： B05D5/12 ,  G01N27/41 ,  B05D3/02 ,  B05D7/24 ,  C04B35/486 ,  C04B35/50 ,  C04B41/00 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  G01N27/26 ,  G01N27/407 ,  G01N27/409 ,  H01M8/02 ,  H01M8/12

CPC分类号： H01M8/124 ,  C04B35/486 ,  C04B35/50 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  C04B2111/00801 ,  C04B2111/00853 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  G01N27/4073 ,  H01M4/9025 ,  H01M8/1226 ,  H01M8/1231 ,  H01M8/1246 ,  H01M8/1253 ,  H01M8/126 ,  H01M2008/1293 ,  H01M2300/0074 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56 ,  Y10T29/49115 ,  C04B41/5042 ,  C04B41/5045 ,  C04B41/522 ,  C04B41/0027 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/5122 ,  C04B35/48

公开(公告)号：JP6272777B2

公开(公告)日：2018-01-31

申请号：JP2014546396

申请日：2012-11-22

申请人： コンストラクション リサーチ アンド テクノロジー ゲーエムベーハー ,  Construction Research & Technology GmbH

发明人： ヴォルフガング ザイドル ,  ダヴィド マルシェフスキ ,  ザシャ ラスプル ,  シュテフェン ヴァッヘ ,  ミヒャエル シナベック ,  シュテファン フリードリッヒ

IPC分类号： C04B24/06 ,  C04B24/38 ,  C04B22/14 ,  C08L93/02 ,  C08L1/28 ,  C08K3/30 ,  C04B22/00

CPC分类号： C04B24/34 ,  A61K9/288 ,  A61K9/5063 ,  C04B20/104 ,  C04B20/12 ,  C04B24/2652 ,  C04B28/02 ,  C04B28/14 ,  C04B41/0027 ,  C04B41/0045 ,  C04B41/0054 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/4535 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2998 ,  C04B20/008 ,  C04B40/0608 ,  C04B2103/10 ,  C04B2103/20 ,  C04B2103/304 ,  C04B2103/44 ,  C04B2103/46 ,  C04B2103/50 ,  C04B2103/58 ,  C04B12/04 ,  C04B20/1048 ,  C04B22/0086 ,  C04B22/0093 ,  C04B22/085 ,  C04B22/124 ,  C04B22/147 ,  C04B22/148 ,  C04B24/04 ,  C04B20/107 ,  C04B14/22

公开(公告)号：JP2005527370A

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：JP2004508971

申请日：2003-05-29

申请人： ザ・ボード・オブ・トラスティーズ・オブ・ザ・レランド・スタンフォード・ジュニア・ユニバーシティThe Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University ,  本田技研工業株式会社

发明人： チャ、サク−ウォン ,  パーク、ヨング−イル ,  プリンツ、フリッツ・ビー ,  リー、サン−ジュン・ジョン ,  祐司 斉藤

IPC分类号： G01N27/41 ,  B05D3/02 ,  B05D5/12 ,  B05D7/24 ,  C04B35/486 ,  C04B35/50 ,  C04B41/00 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  G01N27/26 ,  G01N27/407 ,  G01N27/409 ,  H01M8/02 ,  H01M8/12

CPC分类号： H01M8/124 ,  C04B35/486 ,  C04B35/50 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  C04B2111/00801 ,  C04B2111/00853 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  G01N27/4073 ,  H01M4/9025 ,  H01M8/1226 ,  H01M8/1231 ,  H01M8/1246 ,  H01M8/1253 ,  H01M8/126 ,  H01M2008/1293 ,  H01M2300/0074 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56 ,  Y10T29/49115 ,  C04B41/5042 ,  C04B41/5045 ,  C04B41/522 ,  C04B41/0027 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/5122 ,  C04B35/48

摘要： 流体不透過性の薄膜（２０）が、所定の空間的酸化膨張率を有する材料（４）をデポジットすることにより多孔質基板（１０）上に形成される。 デポジットした後、材料（４）は酸化され（５）、それによってデポジットした材料（４）が膨張して多孔質基板（１０）上にボイドのない膜を形成する。 ボイドのない膜（５）の粒界（６）を再結合して多孔質基板（２０）上に連続膜（２０）を形成することができる。

公开(公告)号：JP4947838B2

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：JP2000617148

申请日：2000-05-01

申请人： グリーンリーフ テクノロジー コーポレイションGreenleaf Technology Corporation

发明人： アーン，ジャンジー

IPC分类号： C04B41/80 ,  G01R33/09 ,  C04B41/00 ,  G11B5/10 ,  G11B5/31 ,  G11B5/39 ,  G11B5/40 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC分类号： C04B41/009 ,  C04B41/0027 ,  C04B41/80 ,  C04B2111/90 ,  G11B5/10 ,  G11B5/102 ,  G11B5/3103 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/40 ,  Y10T29/49032 ,  C04B35/117 ,  C04B35/56

公开(公告)号：JP2002544108A

公开(公告)日：2002-12-24

申请号：JP2000617148

申请日：2000-05-01

申请人： グリーンリーフ コーポレイション

发明人： アーン，ジャンジー

IPC分类号： G01R33/09 ,  C04B41/00 ,  C04B41/80 ,  G11B5/10 ,  G11B5/31 ,  G11B5/39 ,  G11B5/40 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC分类号： C04B41/009 ,  C04B41/0027 ,  C04B41/80 ,  C04B2111/90 ,  G11B5/10 ,  G11B5/102 ,  G11B5/3103 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/40 ,  Y10T29/49032 ,  C04B35/117 ,  C04B35/56

摘要： (57)【要約】 【解決手段】 基板の少なくとも一部分の電気抵抗率を大きくする方法は、セラミック基板に対して、少なくとも一種のイオン源からのイオンを用いて、イオン注入及び／又はプラズマ浸漬を行なうことを含んでおり、イオン源は、希ガス、窒素、酸素、ハロゲン、ハロゲン化合物、ケイ素及びアンチモンからなる群から選択される。 この方法は、基板の表面から基板の内部に、電気抵抗率の高い変質領域を形成する。 この方法は、薄膜磁気記録ヘッド及び該ヘッドを内蔵する装置に適用することができる。 この方法は、従来の磁気記録ヘッドの製造において発生した欠点を解消するものである。

公开(公告)号：JP2017001945A

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：JP2016117873

申请日：2016-06-14

申请人： スカイワークス ソリューションズ,インコーポレイテッド ,  SKYWORKS SOLUTIONS,INC.

发明人： デイビッド・ボウイ・クルイックシャンク ,  マイケル・デビッド・ヒル

IPC分类号： C30B29/28 ,  C04B35/26 ,  H01F1/34 ,  C04B35/00

CPC分类号： C04B35/48 ,  C04B35/2641 ,  C04B35/2675 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B41/0027 ,  C04B41/009 ,  C04B41/80 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  H01P1/2084 ,  H01P1/36 ,  H01P1/38 ,  H01P11/008

摘要： 【課題】超高誘電率を有する改質されたガーネットを提供する。 【解決手段】無線周波数用途で使用される合成ガーネット材料の実施形態が開示される。いくつかの実施形態では、誘電率および磁化などの或る特性を高めるために、合成ガーネットの結晶構造における特定の位置に、増加した量のビスマスを添加することができる。したがって、開示された材料の実施形態は、基地局アンテナなどの高周波用途において使用可能である。 【選択図】図5A

摘要翻译： 以提供具有超级高介电常数的改性石榴石。 在射频应用中使用的合成材料石榴石的实施例中公开。 在一些实施方案中，为了增强某些特性如介电常数和磁化，在合成石榴石的晶体结构中的特定位置，则可以提高铋的添加量。 因此，所公开的材料的实施例可以在高频应用，例如基站天线被使用。 点域5A

公开(公告)号：JP2006501626A

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：JP2004548275

申请日：2003-05-29

申请人： ザ・ボード・オブ・トラスティーズ・オブ・ザ・レランド・スタンフォード・ジュニア・ユニバーシティThe Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University ,  本田技研工業株式会社

发明人： オヘイヤ、ライアン ,  パーク、ヨング−イル ,  プリンツ、フリッツ・ビー ,  祐司 斉藤

IPC分类号： G01N27/41 ,  H01B1/06 ,  B05D3/02 ,  B05D5/12 ,  B05D7/24 ,  C04B35/486 ,  C04B35/50 ,  C04B41/00 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  G01N27/26 ,  G01N27/407 ,  G01N27/409 ,  H01B1/08 ,  H01B13/00 ,  H01M8/02 ,  H01M8/12

CPC分类号： H01M8/124 ,  C04B35/486 ,  C04B35/50 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  C04B2111/00801 ,  C04B2111/00853 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  G01N27/4073 ,  H01M4/9025 ,  H01M8/1226 ,  H01M8/1231 ,  H01M8/1246 ,  H01M8/1253 ,  H01M8/126 ,  H01M2008/1293 ,  H01M2300/0074 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56 ,  Y10T29/49115 ,  C04B41/5042 ,  C04B41/5045 ,  C04B41/522 ,  C04B41/0027 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/5122 ,  C04B35/48

摘要： イオン伝導度を高めるために電解質膜中に転位が形成される。 イオン及び／または電子の照射によって薄膜中に欠陥クラスタの生成が引き起こされ、崩壊して高いイオン伝導度を示すフランク転位ループとなる。 続いてなされる膜の熱処理においてフランク転位ループを空間的に再配向することによってイオン伝導度の最大化がなされる。 これにより、転位ループはサーフェス・ツー・サーフェスの連続した転位を形成し、それに沿って、小さな活性化エネルギーで膜面間をイオンが伝搬することができる。 例えばイットリア安定化ジルコニアやドープトセリアのようなセラミック中に１０
８ 〜１０
１４ ｃｍ／ｃｍ
３ の範囲の転位密度を従来の照射技法により形成することができる。

公开(公告)号：JP2015505808A

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：JP2014546396

申请日：2012-11-22

申请人： コンストラクション リサーチ アンド テクノロジー ゲーエムベーハーConstruction Research & Technology GmbH ,  コンストラクション リサーチ アンド テクノロジー ゲーエムベーハーConstruction Research & Technology GmbH

发明人： ザイドル ヴォルフガング ,  ザイドル ヴォルフガング ,  マルシェフスキ ダヴィド ,  マルシェフスキ ダヴィド ,  ラスプル ザシャ ,  ラスプル ザシャ ,  ヴァッヘ シュテフェン ,  ヴァッヘ シュテフェン ,  ミヒャエル　シナベック ,  シナベック ミヒャエル ,  フリードリッヒ シュテファン ,  フリードリッヒ シュテファン

IPC分类号： C04B22/00 ,  C04B7/02 ,  C04B7/12 ,  C04B7/14 ,  C04B7/32 ,  C04B11/28 ,  C04B22/08 ,  C04B22/12 ,  C04B22/14 ,  C04B24/38 ,  C08K3/30 ,  C08L1/28 ,  C08L93/02

CPC分类号： C04B24/34 ,  A61K9/288 ,  A61K9/5063 ,  C04B20/104 ,  C04B20/12 ,  C04B24/2652 ,  C04B28/02 ,  C04B28/14 ,  C04B41/0027 ,  C04B41/0045 ,  C04B41/0054 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/4535 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2998 ,  C04B20/008 ,  C04B40/0608 ,  C04B2103/10 ,  C04B2103/20 ,  C04B2103/304 ,  C04B2103/44 ,  C04B2103/46 ,  C04B2103/50 ,  C04B2103/58 ,  C04B12/04 ,  C04B20/1048 ,  C04B22/0086 ,  C04B22/0093 ,  C04B22/085 ,  C04B22/124 ,  C04B22/147 ,  C04B22/148 ,  C04B24/04 ,  C04B20/107 ,  C04B14/22

摘要： 10から14のpH値で制御放出特性を有する活性成分の新規なコーティングされた粒子であって、前記活性成分は、無機結合剤の制御のための1種又は複数種の建築用化学添加剤から選択され、前記コーティングがシェラックを含むことを特徴とする、コーティングされた粒子、その製造方法、並びにモルタル、ドライモルタル、セメントスラリー及び/又はコンクリート用の添加剤としてのその使用が提案される。

摘要翻译： 活性成分的10个A颗粒新型涂料与14，其中的活性成分是至少一种构建的化学添加剂为无机粘结剂的控制的pH值下的控释特征 被选择时，该涂层的特征在于，它包括虫胶，涂覆的颗粒，制备和砂浆，干砂浆的方法，其作为水泥浆和/或混凝土的添加剂使用，提出了。

公开(公告)号：JP2004091322A

公开(公告)日：2004-03-25

申请号：JP2003303898

申请日：2003-08-28

申请人： Eastman Kodak Co ,  イーストマン コダック カンパニー

发明人： WINTERS MARY K ,  ALONZO CARLOS F ,  MCLAUGHLIN PAUL O ,  PULVER JOHN C ,  HRYCIN ANNA L ,  STEPHENSON DONALD A

IPC分类号： C03B11/00 ,  C03B11/08 ,  C04B41/51 ,  C04B41/88 ,  C23C14/22 ,  C23C14/48

CPC分类号： C04B41/009 ,  C03B11/086 ,  C03B2215/10 ,  C03B2215/11 ,  C03B2215/12 ,  C03B2215/16 ,  C03B2215/20 ,  C03B2215/38 ,  C04B41/5133 ,  C04B41/88 ,  C04B2111/00939 ,  C23C14/48 ,  C04B41/0027 ,  C04B35/00 ,  C04B35/565 ,  C04B35/584

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for fabricating a molding tool which is capable of molding an optical element from eco-glass at a high temperature without generating an adverse surface chemical effect in the molded element.
SOLUTION: A method for fabricating the molding tool 120 used for a mold glass optical element is disclosed. This method includes the steps of regulating the figure of the molding tool 120 to have a predetermined mold surface 122, then applying an attenuating coating 124 to the predetermined mold surface 122 and removing the attenuating coating 124 while leaving the predetermined mold surface 122 with metal ions implanted therein. The optical element can be molded from eco-glass such as titania at a high temperature without generating adverse surface chemical effect in the molded element by using the molding tool 120 fabricated by this fabrication method.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO

公开(公告)号：JPS59188860A

公开(公告)日：1984-10-26

申请号：JP6191083

申请日：1983-04-08

申请人： Victor Co Of Japan Ltd

发明人： MIZUNO HIDEAKI ,  DOI KEIICHIROU

IPC分类号： C04B41/00 ,  C04B41/80 ,  C23C14/48 ,  G11B9/07

CPC分类号： C04B41/009 ,  C04B41/0027 ,  C04B41/80 ,  C23C14/48 ,  G11B9/075 ,  C04B35/00

摘要： PURPOSE: To prevent the total exfoliation of an electrode part during a reproduction mode by obtaining the highest graphitization factor on the electrode surface of a diamond part and a smaller average graphitization factor at the opposite side to the electrode surface than the variation factor obtained at the ion implantation of one time.
CONSTITUTION: An electrode part 2A is formed by implanting an ion to the diamond of the main body 1A of a production stylus. The highest graphitization factor is set on the surface of the electrode 2A along with the electric resistance value set at a low level. In addition, the surface of the electrode 2A is easily worn. Therefore a sharp corner part where the surface of the electrode 2A crosses a rubbing surface 3 is easily rounded by the production stylus. Thus the stress is never concentrated at said corner part, and therefore no exfoliation is caused owing to the trigger produced by the concentration of stress. Otherwise the exfoliation is produced only at a part having a high graphitization factor. Thus the reproduction function is never lost.
COPYRIGHT: (C)1984,JPO&Japio

摘要翻译： 目的：为了通过在金刚石零件的电极表面上获得最高的石墨化因子，并且与电极表面相反侧的平均石墨化系数较小，在再生模式下防止电极部分的总剥落比在 离子注入一次。 构成：通过将离子注入生产用触针的主体1A的金刚石而形成电极部2A。 在电极2A的表面上设置最高的石墨化因子以及设定在低电平的电阻值。 此外，电极2A的表面容易磨损。 因此，电极2A的表面与摩擦面3交叉的尖锐角部容易被生产用触针圆形化。 因此，应力从不集中在所述拐角部分，因此由于由应力集中产生的触发而不会产生剥离。 否则剥离仅在具有高石墨化因子的部分产生。 因此，再现功能永远不会丢失。