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公开(公告)号：JP2020203821A
公开(公告)日：2020-12-24
申请号：JP2019203770
申请日：2019-11-11
Applicant: 東ソー株式会社
Abstract: 【課題】クロムシリサイド(CrSi 2 )、シリコン(Si)からなる高強度なCr−Si系焼結体の提供。 【解決手段】Cr(クロム)、シリコン(Si)を含むCr−Si系焼結体であり、X線回折で帰属される結晶構造がクロムシリサイド(CrSi 2 )、シリコン(Si)から構成され、CrSi 2 相がバルク中に60wt%以上存在し、焼結体密度が95%以上であり、CrSi 2 相の平均粒径が60μm以下であることを特徴とするCr−Si系焼結体。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2016188164A
公开(公告)日：2016-11-04
申请号：JP2015069912
申请日：2015-03-30
Applicant: 東ソー株式会社
Abstract: 【課題】 本発明の目的は、酸化ニオブからなる高密度でDC放電可能な酸化物焼結体を安価に提供することであり、HP法やHIP法によらず安価な設備で容易に得ることができる製造方法を提供することである。 【解決手段】 焼結体密度が95%以上であり、バルク抵抗が1000Ω・cm以下であり、ターゲット面の面積が500cm 2 以上であり、X線回折でNbO 2 相に帰属される酸化ニオブ(IV)が存在しないことを特徴とする酸化ニオブ焼結体。 【選択図】 なし
Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种由氧化铌组成的具有高密度的氧化物烧结体，可以使DC从其中排出并获得廉价，并提供氧化物烧结体的制造方法，其中氧化物烧结 可以通过使用廉价的设备而不采用HP方法或HIP方法，可以容易地获得紧凑。解决方案：氧化物烧结体的特征在于其密度为95％以上，体积电阻为1000Ωcm以下 当通过X射线衍射法测量时，其表面的面积为500cm以上，并且属于NbO相的铌（IV）氧化物不存在。选择图：无
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公开(公告)号：JP2021188064A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2020091164
申请日：2020-05-26
Applicant: 東ソー株式会社
Abstract: 【課題】Cr−Si系焼結体は大型化が困難である。 【解決手段】クロム(Cr)、シリコン(Si)を含むCr−Si系焼結体であり、焼結体の面積が180cm以上 2 であり、平均粒径が40μm以下であり、抗折強度が100MPa以上であることを特徴とするCr−Si系焼結体を提供する。 【選択図】 なし
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JP2017124963A
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：JP2016230493
申请日：2016-11-28
Applicant: 東ソー株式会社
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/453
Abstract: 【課題】高パワー成膜時においてもターゲット表面からのスプラッシュがなく、高成膜レートであり、高屈折率膜を得ることができるスパッタリングターゲットに用いられる酸化物焼結体の提供。 【解決手段】構成元素として、Zn、Nb、Al及びOを有し、Zn、Nb及びAlの含有量が、Nb/(Zn+Nb+Al)=0.076〜0.289、Al/(Zn+Nb+Al)=0.006〜0.031である酸化物焼結体。好ましくは、相対密度が98%以上であり、密度が5.57g/cm 3 以上であり、バルク抵抗値が100Ω・cm以下でZnO相の結晶粒径が3μm以下である、酸化物焼結体。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2021175825A
公开(公告)日：2021-11-04
申请号：JP2021063959
申请日：2021-04-05
Applicant: 東ソー株式会社
Abstract: 【課題】高出力での製膜が可能であり、パーティクルの少ないイットリウムスパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】バッキングプレートとイットリウムインゴットの接着率が90%以上であることを特徴とするイットリウムスパッタリングターゲット。イットリウムインゴット部分の100μm以上の直径のポア数が0.1個/cm 2 以下であり、相対密度が96%以上であること特徴し、さらに、イットリウムインゴット部分の平均粒子径(D50)が、3000μm以下であることを特徴とする。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2021143080A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：JP2020040823
申请日：2020-03-10
Applicant: 東ソー株式会社
Abstract: 【課題】クロムシリサイド(CrSi 2 )、シリコン(Si)からなるCr−Si系焼結体は高純度と高強度の両立が困難である。 【解決手段】Cr(クロム)、シリコン(Si)を含むCr−Si系焼結体であり、Mn+Fe+Mg+Ca+Sr+Baの合計の不純物量が200ppm以下でありX線回折で帰属される結晶構造がクロムシリサイド(CrSi 2 )、シリコン(Si)から構成され、CrSi 2 相がバルク中に60wt%以上存在し、焼結体密度が95%以上であり、CrSi 2 相の平均粒径が60μm以下であることを特徴とするCr−Si系焼結体を提供する。 【選択図】 なし
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公开(公告)号：JP2017145179A
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：JP2016029316
申请日：2016-02-18
Applicant: 東ソー株式会社
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/64 , C23C14/34
Abstract: 【課題】酸化ニオブからなる高強度な酸化物焼結体の安価な提供、及び、HP法によらず安価な設備で容易に得ることができる製造方法の提供。 【解決手段】焼結体密度が95%以上であり、焼結体粒径が5.5μm以下であり、X線回折でNbO 2 相に帰属される酸化ニオブ(IV)が存在しない酸化ニオブ焼結体。 【選択図】なし
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