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公开(公告)号：JP2018111848A
公开(公告)日：2018-07-19
申请号：JP2017002000
申请日：2017-01-10
Applicant: 東レエンジニアリング株式会社 , 長州産業株式会社
IPC: C23C16/42 , H01L21/31 , C23C16/509
CPC classification number: C23C16/42 , C23C16/509 , H01L21/31 , H01L21/318
Abstract: 【課題】メンテナンス後の復帰が容易となる成膜装置の提供。 【解決手段】基材を収容するチャンバー10と、チャンバー10内の基材に対して成膜を行うための放電用の電極25を有すると共にチャンバー10に取り外し可能として設けられている電極ユニット20とを備え、電極25は、直線部31,32と、一つの直線部31と別の直線部32とを繋げている折り返し部33とを有し、電極ユニット20は、更に、折り返し部33を覆うと共に内部の気密性が確保された大気ボックス27を有しており、大気ボックス27はチャンバー10内に設けられている成膜装置。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP2019039036A
公开(公告)日：2019-03-14
申请号：JP2017161363
申请日：2017-08-24
Applicant: 東レエンジニアリング株式会社 , 長州産業株式会社
IPC: C23C16/44
Abstract: 【課題】基材への異物の付着を低減させることができる薄膜形成装置を提供する。 【解決手段】基材2を保持する基材保持部5と、プラズマを発生させる電極71と、プラズマ形成ガスを電極71の近傍に供給するプラズマ形成ガス供給部72と、薄膜の原料を電極71と基材保持部5の間に供給する原料供給部73と、プラズマ形成ガス供給部72および電極71を囲い基材保持部5と電極71との間に位置する第1のプラズマ通過壁74aに開口を有する電極カバー部74と、電極カバー部74を囲い基材保持部5と電極71との間に位置する第2のプラズマ通過壁75aに開口を有し、第2のプラズマ通過壁75aの開口と異なる箇所にて減圧手段77と接続される原料流出防止部75と、基材保持部5と原料流出防止部75の間に位置し、基材保持部5と電極71との間の位置に開口を有し、基材保持部5に保持された基材2の一部を遮蔽するマスク76と、を備える。 【選択図】 図2
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公开(公告)号：JP2018076569A
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：JP2016220213
申请日：2016-11-11
Applicant: 東レエンジニアリング株式会社 , 長州産業株式会社
IPC: C23C14/34 , C23C16/505 , H05H1/46 , C23C16/54
Abstract: 【課題】複数の電極を備えている成膜装置において、各電極のメンテナンス作業を容易にする。 【解決手段】成膜装置7は、基材を収容可能であり一方に向かって開口するチャンバー10と、チャンバー10内において所定の配設方向に沿って並んで設けられている4つ以上の電極25と、電極25の数よりも少ない数について設けられ相互が重なった状態で前記開口を覆うことができる複数のカバー51,52とを備えている。電極25は、複数のカバー51,52に別れて取り付けられており、カバー51,52それぞれにおいて、前記配設方向に沿って連続して並んで取り付けられている電極25の数の最大値は2である。 【選択図】 図4
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2019067892A
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：JP2017191072
申请日：2017-09-29
Applicant: 東レエンジニアリング株式会社
IPC: B23K26/57 , B23K26/36 , H01L33/48 , H01L21/683
Abstract: 【課題】転写時の衝撃を緩和して高精度に半導体チップを転写する転写方法及び転写基板を提供する。 【解決手段】転写元基板(キャリア基板50)から半導体チップSを転写されるとともに、半導体チップを保持して転写先基板に転写するための転写基板10であって、第1主面1aと第2主面1bとを有した基材1と、前記基材1の第1主面1aに第2主面2bを接して設けた、半導体チップSの転写時の衝撃を緩和するための衝撃吸収層2と、を少なくとも備える。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2017155298A
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：JP2016040578
申请日：2016-03-03
Applicant: 東レエンジニアリング株式会社
Abstract: 【課題】帯状の基材のシワの発生を抑え、基材上に安定した蒸着膜を形成することができる薄膜形成装置を提供する。 【解決手段】帯状の基材2に所定の張力をかけながら基材2を所定の搬送方向に搬送させる搬送部と、搬送部により搬送される基材2の膜形成面に蒸着膜を形成する成膜部7と、基材2の搬送に関して成膜部7よりも上流にあり基材2の膜形成面の反対側の面にシート状の支持体11を貼り付ける支持体貼り付け部10と、を備え、支持体貼り付け部10における基材2の周囲の圧力は、成膜部7における基材2の周囲の圧力よりも低い。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6006614B2
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：JP2012242474
申请日：2012-11-02
Applicant: 東レエンジニアリング株式会社
IPC: C23C16/44
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公开(公告)号：JP6966281B2
公开(公告)日：2021-11-10
申请号：JP2017191072
申请日：2017-09-29
Applicant: 東レエンジニアリング株式会社
IPC: B23K26/57 , B23K26/36 , H01L33/48 , H01L21/683
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公开(公告)号：JP2021163816A
公开(公告)日：2021-10-11
申请号：JP2020062263
申请日：2020-03-31
Applicant: 東レエンジニアリング株式会社
Inventor： 陣田 敏行
Abstract: 【課題】測定誤差が累積されることなく、レーザ光の照射位置を基準とする転写基板保持部の位置、被転写基板保持部の位置および素子測定カメラの位置を測定することができる転写装置および転写装置の位置補正方法を提供する。 【解決手段】レーザ光照射部2と、転写基板保持部6と、被転写基板保持部10と、素子測定カメラ14と、保持部測定カメラ16と、制御部18と、を備え、転写基板C1に保持された素子を被転写基板C2に転写させる転写装置1である。転写基板保持部6は、転写基板用基準マーク9bを有し、被転写基板保持部10は、蛍光ガラスに付された被転写基板用基準マーク13bを有する。素子測定カメラ14は、転写基板用基準マーク9bと被転写基板用基準マーク13bを撮影可能に構成され、保持部測定カメラ16は、蛍光ガラスにレーザ光Lが照射された際の蛍光発光点Fと被転写基板用基準マーク13bとを同時に撮影可能に構成される。 【選択図】図5
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