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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JP5779168B2
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：JP2012265395
申请日：2012-12-04
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: B05C11/08 , B05D1/40 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02282 , H01L21/6715
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公开(公告)号：JP6267141B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2015041553
申请日：2015-03-03
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: B05C5/02 , B05C11/10 , H01L21/027 , B05D1/26
CPC classification number: B05C5/0216 , B05C5/0225 , B05C11/1002 , B05D1/002 , B05D1/005 , G03F7/162 , H01L21/6715
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公开(公告)号：JP2018061957A
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：JP2017245101
申请日：2017-12-21
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
Abstract: 【課題】基板の表面に形成される塗布膜の膜厚のより一層の均一化を図る。 【解決手段】液塗布方法は、ウエハWの回転中に、ウエハWの回転軸とウエハWの周縁との間でウエハWの表面Waに沿う所定の方向にノズルNを移動させながら、塗布液をノズルNから吐出することにより、ウエハWの表面Waにおいて塗布液をスパイラル状に塗布する工程と、ウエハWの表面WaのうちノズルNからの塗布液の吐出位置がウエハWの周縁側に位置するほどウエハWの回転数を小さくすることにより、吐出位置における線速度を略一定とする工程と、ノズルNから吐出される前の塗布液の流量に基づいてノズルNの吐出口とウエハWの表面Waとのギャップを変化させることにより、ノズルNから吐出される塗布液の吐出流量を略一定の大きさとする工程と、を行う。 【選択図】図4
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公开(公告)号：JP2016010796A
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：JP2015041553
申请日：2015-03-03
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: B05C5/02 , B05C11/10 , H01L21/027 , B05D1/26
CPC classification number: B05C5/0216 , B05C11/1002 , B05C5/0225 , B05D1/002
Abstract: 【課題】基板の表面に形成される塗布膜の膜厚のより一層の均一化を図る。 【解決手段】液塗布方法は、ウエハWの回転中に、ウエハWの回転軸とウエハWの周縁との間でウエハWの表面Waに沿う所定の方向にノズルNを移動させながら、塗布液をノズルNから吐出することにより、ウエハWの表面Waにおいて塗布液をスパイラル状に塗布する工程と、ウエハWの表面WaのうちノズルNからの塗布液の吐出位置がウエハWの周縁側に位置するほどウエハWの回転数を小さくすることにより、吐出位置における線速度を略一定とする工程と、ノズルNから吐出される前の塗布液の流量に基づいてノズルNの吐出口とウエハWの表面Waとのギャップを変化させることにより、ノズルNから吐出される塗布液の吐出流量を略一定の大きさとする工程と、を行う。 【選択図】図4
Abstract translation: 要解决的问题：为了进一步使形成在基材表面上的涂膜的厚度均匀化。溶液：液体涂布方法包括：通过使涂布液喷射涂布液体，用涂布液涂布晶片W的表面Wa， 在晶片W的旋转期间沿着晶片W的旋转轴线与晶片W的周缘之间的晶片W的表面Wa沿预定方向移动喷嘴N; 通过降低晶片W的旋转速度来保持喷射位置大致恒定的过程，因为涂布液从喷嘴N在晶片W的表面Wa上的排出位置更靠近 晶圆W; 并且通过基于涂布液的流量改变喷嘴N的排出口和晶片W的表面Wa之间的间隙，保持从喷嘴N排出的涂布液的排出流量大致恒定的过程， 从喷嘴N排出
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