KR20210028882A - Substrate developing apparatus having function of discharging developing solution

    公开(公告)号:KR20210028882A

    公开(公告)日:2021-03-15

    申请号:KR1020190109975A

    申请日:2019-09-05

    Inventor: 김종학 홍을표

    CPC classification number: G03F7/0025 G03F7/70991 H01L21/67075 H01L21/6715

    Abstract: 본 발명은 박막 기판의 표면에 회로 패턴을 형성하는 기판 현상 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 표면으로부터 일정 두께 이상의 현상액을 외부로 배출시킴으로써 현상액의 퍼들링(puddling) 현상을 방지하여 기판 표면에 현상액이 고르게 도포될 수 있도록 하기 위한 현상액 배출 기능을 갖는 기판 현상 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 기판을 경사지게 배치한 상태로 이송하면서 현상액을 분사 도포함으로써 기판의 처짐을 방지함과 아울러 기판의 중앙 또는 가장자리 부근에 현상액이 두껍게 쌓이는 현상을 방지하고, 기판의 표면으로부터 일정 두께 이상을 초과하는 현상액을 유도하여 외부로 배출시킴으로써 퍼들링 현상을 최소화할 수 있다.

    KR20210028791A - Methods for treating a substrate and apparatus for treating a substrate

    公开(公告)号:KR20210028791A

    公开(公告)日:2021-03-15

    申请号:KR1020190109579A

    申请日:2019-09-04

    Abstract: 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 회전하는 기판 상으로 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 액 처리 단계와; 처리액의 공급을 중지하고, 기판 상으로 세정액을 공급하는 세정 단계를 포함하되, 세정 단계는, 회전하는 기판의 상부에서 기판의 중심에서 제1방향으로 이격된 지점에 제1노즐로부터 제1액을 토출하고, 기판의 중심에서 제2방향으로 이격된 지점에 제2노즐로부터 제2액을 토출하되, 상부에서 바라볼 때 제1액은 기판에 탄착 후 제2노즐을 향하는 방향으로 흐르고, 제1액은 기판에 탄착 후 제1노즐을 향하는 방향으로 흐르도록 제공될 수 있다.
    본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 상의 서로 다른 위치에 토출된 탈이온수들이 서로 충돌하는 것을 방지할 수 있다.

    KR102226471B1 - Method of Sample solution sampling of substrate inspection machine and device therefor

    公开(公告)号:KR102226471B1

    公开(公告)日:2021-03-11

    申请号:KR1020200142684A

    申请日:2020-10-30

    Abstract: 기판 검사기의 시료 용액 샘플링 방법 및 그 장치가 개시된다.
    본 발명은 기판(W)을 수평상으로 지지하여 회전시키는 회전기구(20)와; 시료 용액을 기판(W)에 적하하는 노즐(30)와; 상기 노즐(30)를 수평 방향으로 이동시킬 수 있는 구동기구(40)를 포함하여, 상기 회전기구(20)에 의해 기판(W)이 회전할 때 상기 구동기구(40)가 구동하여 노즐(30)이 기판(W)의 모서리에 접촉하여 샘플링할 수 있게 되는 기판 검사기에 있어서, 시료 용액을 기판(W) 표면에 적하시키는 적하수단(310)과, 상기 적하수단(310)에 의해 기판(W) 표면에 적하된 시료 용액을 회수하는 회수수단(320)를 구비하는 노즐(30) 및 상기 노즐(30)의 회수수단(320)에 의해 회수된 시료 용액을 처리하기 위한 처리수단(50)을 구비하여, 시료 용액이 적하된 기판(W)으로부터 정량분석을 하기 위한 시료 용액을 샘플링할 수 있게 된다.

    KR20210028175A - Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus

    公开(公告)号:KR20210028175A

    公开(公告)日:2021-03-11

    申请号:KR1020210026725A

    申请日:2021-02-26

    Abstract: 예시적인 반도체 처리 시스템들은 처리 챔버를 포함할 수 있고, 처리 챔버와 결합된 원격 플라즈마 유닛을 포함할 수 있다. 예시적인 시스템들은 또한, 원격 플라즈마 유닛과 처리 챔버 사이에 결합된 혼합 매니폴드를 포함할 수 있다. 혼합 매니폴드는 제1 단부 및 제1 단부 반대쪽의 제2 단부를 특징으로 할 수 있고, 제2 단부에서 처리 챔버와 결합될 수 있다. 혼합 매니폴드는, 혼합 매니폴드를 통하는 중앙 채널을 한정할 수 있고, 혼합 매니폴드의 외부를 따라 포트를 한정할 수 있다. 포트는 혼합 매니폴드의 제1 단부 내에 한정된 제1 트렌치와 유체적으로 결합될 수 있다. 제1 트렌치는 제1 내측 측벽에서의 내측 반경 및 외측 반경을 특징으로 할 수 있고, 제1 트렌치는 제1 내측 측벽을 통해 중앙 채널로의 유체 접근을 제공할 수 있다.

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