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    基板処理装置及び基板処理方法
    5.
    发明专利
    基板処理装置及び基板処理方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019129162A

    公开(公告)日：2019-08-01

    申请号：JP2018007696

    申请日：2018-01-19

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 難波 宏光

    IPC: H01L21/304 ,  H01L21/308

    Abstract: 【課題】除去の対象とする膜をより均一に除去することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。 【解決手段】基板処理システム1の一態様は、基板の周縁部分を処理する基板処理装置であって、膜が形成された基板を保持して回転させる基板回転部と、前記膜の除去に用いる薬液に増粘剤を混合する混合部71と、回転している前記基板の周縁部分に向けて、前記混合部により前記増粘剤が混合された薬液を吐出するノズルと、を有する。基板回転部及びノズルは、処理ユニット21に含まれる。 【選択図】図1

    基板処理装置および基板処理方法
    7.
    发明专利
    基板処理装置および基板処理方法 有权
    基板处理装置和基板处理方法

    公开(公告)号：JP2016063193A

    公开(公告)日：2016-04-25

    申请号：JP2014192578

    申请日：2014-09-22

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 難波 宏光

    IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306

    Abstract: 【課題】下地膜の除去を抑えつつ、上層の膜を除去すること。 【解決手段】実施形態に係る基板処理装置は、保持部と、供給部と、冷却機構とを備える。保持部は、下地膜であるSiO 2 膜と、SiO 2 膜を覆う上層膜であるポリシリコン膜とが形成された基板を保持する。供給部は、保持部に保持された基板に対してフッ硝酸を供給する。冷却機構は、保持部に保持された基板を冷却する。 【選択図】図3

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种在抑制基膜去除的同时去除上层膜的基板处理装置。解决方案：根据实施方式的基板处理装置包括：保持部; 供应部分; 和冷却机构。 保持部保持其中形成用作基膜的SiO膜和用作覆盖SiO膜的上层膜的多晶硅膜的基板。 供给部将硝基氢氟酸供给到由保持部保持的基板。 冷却机构冷却由保持部保持的基板。选择图：图3

    基板処理装置、基板処理装置の付着物除去方法、及び記憶媒体
    8.
    发明专利
    基板処理装置、基板処理装置の付着物除去方法、及び記憶媒体 有权
    基板加工设备，其沉积物去除方法和储存介质

    公开(公告)号：JP2015216224A

    公开(公告)日：2015-12-03

    申请号：JP2014098039

    申请日：2014-05-09

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 水野 剛資 ,  徳永 容一 ,  難波 宏光 ,  植木 達博 ,  フィトリアント

    IPC: H01L21/304

    CPC classification number: H01L21/67109 ,  F26B3/20 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67075

    Abstract: 【課題】カバー部材に付着した処理液又はその処理液から生じた結晶を除去することで、パーティクルの発生を防止するようにする。 【解決手段】基板を保持する基板保持部3と、基板保持部3に保持された基板Wに対して処理液を供給する処理液供給部7と、基板保持部3に保持された基板の周縁部と対向するように配置されるリング形状のカバー部材5と、を備え、カバー部材5には、カバー部材5を加熱するためのヒーター701が設けられている。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：去除附着在覆盖构件上的处理液或从工艺液体发生的晶体，从而防止颗粒的出现。解决方案：一种基板处理装置，包括：保持基板的基板保持部3; 将处理液供给到由基板保持部3保持的基板W的处理液供给部7; 以及与由基板保持部3保持的基板的周边部配置的环状的盖部件5.在盖部件5上设置有用于加热盖部件5的加热器701。

    基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
    9.
    发明专利
    基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019062055A

    公开(公告)日：2019-04-18

    申请号：JP2017184809

    申请日：2017-09-26

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 福井 祥吾 ,  難波 宏光

    IPC: H01L21/304

    Abstract: 【課題】基板の洗浄時間を短縮すること。 【解決手段】基板処理装置100は、ウェハWを支持すると共に該ウェハWを回転させるウェハ支持部23と、ウェハWの表面Wfを物理洗浄する表面洗浄部24と、ウェハの回転軸ARと交差する方向に伸びウェハWの裏面Wrを物理洗浄するバーブラシ50を有する裏面洗浄部25と、を備える。 【選択図】図2

    基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
    10.
    发明专利
    基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019054093A

    公开(公告)日：2019-04-04

    申请号：JP2017176844

    申请日：2017-09-14

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 難波 宏光

    IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

    Abstract: 【課題】簡易な構成にて、基板の周縁部におけるエッチング処理の進行速度を向上させることができる基板処理装置を提供する。 【解決手段】基板処理装置10は、表面Waに被膜Fが形成されたウェハWを保持して回転させる回転保持部20と、回転保持部20により保持されたウェハWの表面Waの周縁部に被膜Fのエッチング処理用の第一薬液を供給する第一供給部30と、ウェハWの裏面Wbの周縁部に第一薬液を供給する第二供給部40と、ウェハWの裏面Wbの周縁部に、第一薬液と発熱反応する第二薬液を供給する第三供給部50と、を備える。 【選択図】図2

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