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    RuO4ガスの発生抑制剤及びRuO4ガスの発生抑制方法
    3.
    发明专利
    RuO4ガスの発生抑制剤及びRuO4ガスの発生抑制方法 有权

    公开(公告)号：JPWO2021060234A1

    公开(公告)日：2021-10-07

    申请号：JP2020035677

    申请日：2020-09-23

    申请人： 株式会社トクヤマ

    发明人： 佐藤 伴光 ,  吉川 由樹 ,  下田 享史 ,  根岸 貴幸

    IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/306

    摘要： 半導体素子の製造工程において使用される、ルテニウムを含む半導体ウェハと処理液を接触させる際に発生するRuO 4 ガスを抑制するRuO 4 ガスの発生抑制剤、およびRuO 4 ガスを抑制する方法を提供する。具体的には、半導体形成工程にてルテニウムを含む半導体ウェハと処理液を接触させる際に発生するRuO 4 ガスを抑制するためのRuO 4 ガスの発生抑制剤であって、オニウムイオンと臭素含有イオンから成るオニウム塩を含む抑制剤を提供する。また、半導体形成工程おいて使用されるルテニウム処理液またはルテニウム含有液に対して該抑制剤を添加することにより発生するRuO 4 ガスを抑制する方法を提供する。

    銅および銅合金を選択的にエッチングするためのエッチング液およびそれを用いた半導体基板の製造方法
    4.
    发明专利
    銅および銅合金を選択的にエッチングするためのエッチング液およびそれを用いた半導体基板の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2020105605A1

    公开(公告)日：2021-09-30

    申请号：JP2019045158

    申请日：2019-11-19

    申请人： 三菱瓦斯化学株式会社

    发明人： 深澤 隼 ,  藤井 智子 ,  松永 裕嗣

    IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  C23F1/18

    摘要： 本発明は、ニッケル、錫、金およびこれらの合金の溶解を抑制しつつ、銅および銅合金を選択的にエッチングすることができるエッチング液に関する。本発明のエッチング液は、(A)過酸化水素をエッチング液の全質量に対して5〜10.5質量%、(B)硝酸をエッチング液の全質量に対して0.3〜6質量%、(C)炭素数1〜6のアルキル基、アミノ基、ならびに炭素数1〜6のアルキル基およびフェニル基からなる群より選択される置換基を有する置換アミノ基からなる群より選択される1種以上の置換基を有していてもよい、トリアゾールおよびテトラアゾールからなる群より選択される1種以上の含窒素5員環化合物、ならびに(D)(d1)アルカリ金属水酸化物、アンモニア、アミンおよびアンモニウム塩からなる群より選択される1種以上のpH調整剤、(d2)ホスホン酸化合物、または(d3)これらの組み合わせを含むことを特徴とする。

    半導体処理液、及び基板の処理方法
    5.
    发明专利
    半導体処理液、及び基板の処理方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021150644A

    公开(公告)日：2021-09-27

    申请号：JP2021028789

    申请日：2021-02-25

    申请人： 東京応化工業株式会社

    发明人： 江藤 崇弘 ,  リーホン リュウ

    IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/308

    摘要： 【課題】半導体基板に存在する各種構成材料のうち、所望の材料のみを選択性高く処理することが可能な半導体処理液を提供すること。 【解決手段】(A)フッ化水素酸と、(B)有機溶媒と、を含み、前記(B)有機溶媒は、以下の式で表される化合物を含む半導体処理液(式中、X 1 は単結合、又は内部にエーテル結合が介在してもよい炭素原子数1〜6のアルキレン基であり、Y 10 は−O−、−(C=O)−、−O−(C=O)−及び−(C=O)−O−からなる群から選択される一つであり、Y 20 は−(C=O)−、−O−(C=O)−及び−(C=O)−O−からなる群から選択される一つであり、Y 11 及びY 21 はそれぞれ独立して単結合、又はエーテル結合が介在してもよい炭素原子数1〜6のアルキレン基である。但し、X 1 、Y 11 及びY 21 はその構造中に水酸基を含むことはない。また、X 1 が単結合の場合、Y 10 は−O−にはならない。)。 [化1] 【選択図】なし

    半導体装置及びその製造方法
    7.
    发明专利
    半導体装置及びその製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021128978A

    公开(公告)日：2021-09-02

    申请号：JP2020021378

    申请日：2020-02-12

    申请人： 株式会社ジャパンディスプレイ

    发明人： 山口 陽平

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  H01L21/336

    摘要： 【課題】ポリシリコンを用いた素子と酸化物半導体を用いた素子との両方を電子回路に含む半導体装置を好適に製造する。 【解決手段】絶縁基板50上にポリシリコン膜54からなる第1の半導体領域を形成し、その上に絶縁膜55,58を積層する。絶縁膜55,58にコンタクトホール63を形成した後、絶縁膜58bの表面に酸化物半導体膜82を形成する。酸化物半導体膜82の表面にエッチングマスク84を形成する。当該エッチングマスク84を用いて酸化物半導体膜82をエッチングし、コンタクトホール63から酸化物半導体膜82を除去すると共に酸化物半導体膜60からなる第2の半導体領域を形成する。コンタクトホール63に導電材を埋め込んで第1の半導体領域に電気的に接続されるコンタクト電極62s、62dを形成する。 【選択図】図6

    エッチング液、及び半導体素子の製造方法
    8.
    发明专利
    エッチング液、及び半導体素子の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021103765A

    公开(公告)日：2021-07-15

    申请号：JP2020180113

    申请日：2020-10-28

    申请人： 東京応化工業株式会社

    发明人： 和田 幸久 ,  森 大二郎

    IPC分类号： H01L21/308

    摘要： 【課題】Si、Ge、及びこれらの酸化物に対して一般式Si 1−x Ge x で表される化合物を選択的にエッチング処理可能で、かつ、エッチングストップを起こしづらいエッチング液、及び該エッチング液を用いた半導体の製造方法の提供。 【解決手段】Si、Ge、及びこれらの酸化物に対して一般式Si 1−x Ge x で表される化合物(ただし、xは0超1未満である。)を選択的にエッチング処理するためのエッチング液であって、フッ化水素酸と、硝酸と、水とを含み、前記エッチング液全体における前記フッ化水素酸の含有割合が0.002質量%以上1.0質量%以下であり、前記エッチング液全体における前記硝酸の含有割合が10質量%以上であり、前記エッチング液全体における前記水の含有割合が40質量%以下である、エッチング液。 【選択図】なし

    構造体の製造方法
    10.
    发明专利
    構造体の製造方法 有权

    公开(公告)号：JP6893268B1

    公开(公告)日：2021-06-23

    申请号：JP2020041622

    申请日：2020-03-11

    申请人： 株式会社サイオクス ,  住友化学株式会社

    发明人： 堀切 文正 ,  福原 昇

    IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/308

    摘要： 【課題】III族窒化物のPECエッチングにおける、エッチングレート等のエッチング条件の制御性を向上させることができる技術を提供する。 【解決手段】構造体の製造方法は、III族窒化物で構成された被エッチング領域を有する処理対象物を、ペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液中に浸漬された状態で容器に収容する工程と、エッチング液の所定温度への加熱により硫酸イオンラジカルを生成させ、被エッチング領域への光照射によりホールを生成させることで、被エッチング領域をエッチングする工程と、を有する。 【選択図】図2