公开(公告)号：JPWO2006003955A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：JP2006528765

申请日：2005-06-29

Applicant: 松下電器産業株式会社

Inventor： 峯本　尚 ,  尚 峯本 ,  北岡　康夫 ,  康夫 北岡 ,  木戸口　勲 ,  勲 木戸口 ,  根上　卓之 ,  卓之 根上 ,  高橋　康仁 ,  康仁 高橋 ,  寿美 西山 ,  寿美 西山 ,  公彦 渋谷 ,  公彦 渋谷

IPC: G02F1/11 ,  B41J2/44 ,  G02F1/33

CPC classification number: G02F1/0072

Abstract: 紫外領域の光でも利用可能で、レーザダメージや光損傷がなく、音響光学性能に優れる音響光学素子及びそれを用いた光描画装置を提供する。本発明の音響光学素子は、高周波信号入力部(65)、トランスデューサ部(64)および音響光学媒体(6)を含み、前記高周波信号入力部(65)から入力した高周波信号を、前記トランスデューサ部(64)により機械振動に変換し、前記機械振動により前記音響光学媒体(6)の光学的な特性が変化する音響光学素子であって、前記音響光学媒体が、III族窒化物結晶であることを特徴とする。また、本発明の光描画装置は、光源、音響光学素子、駆動回路および描画面を有し、前記光源からの光が、前記駆動回路からの信号に応じて前記音響光学素子において回折され、その回折光が、前記描画面に描画される光描画装置であって、前記音響光学素子の音響光学媒体が、III族窒化物結晶であることを特徴とする。

公开(公告)号：JPWO2005103341A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：JP2006519519

申请日：2005-04-27

Applicant: 松下電器産業株式会社 ,  森 勇介 ,  勇介 森

Inventor： 峯本　尚 ,  尚 峯本 ,  北岡　康夫 ,  康夫 北岡 ,  木戸口　勲 ,  勲 木戸口 ,  森　勇介 ,  勇介 森 ,  史朗 川村 ,  史朗 川村 ,  佐々木　孝友 ,  孝友 佐々木 ,  英和 梅田 ,  英和 梅田 ,  高橋　康仁 ,  康仁 高橋

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/00 ,  C30B9/02 ,  C30B9/10 ,  C30B35/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B9/10 ,  C30B29/406 ,  C30B35/00 ,  Y10T117/1064 ,  Y10T117/1096

Abstract: 高品質の結晶が製造可能なIII族元素窒化物結晶製造装置およびIII族元素窒化物結晶製造方法を提供する。本発明の装置を用いた結晶成長は、例えば、以下のようにして行うことができる。反応容器(120)内に結晶原料(131)および窒素含有ガスを導入して加熱器(110)で加熱し、かつ加圧雰囲気下で結晶を成長させる。前記ガスは、ガス供給装置(180)から前記反応容器のガス導入口を通して前記反応容器(120)内に導入し、ついで、前記反応容器のガス排出口から耐圧容器(102)の内部に排出する。前記ガスが耐圧容器(102)を介さず反応容器(120)に直接導入するため、耐圧容器(102)等に付着した不純物の結晶成長の場への混入を防止できる。また、前記ガスが反応容器(120)内においてフローするため、蒸発したアルカリ金属等のガス導入口等での凝集やガス供給装置(180)等への流入等がない。これらの結果、得られるIII族元素窒化物結晶の品質を向上させることができる。

公开(公告)号：JP3571641B2

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：JP2000347669

申请日：2000-11-15

Applicant: 松下電器産業株式会社

Inventor： 雄三郎 伴 ,  良子 宮永 ,  勲 木戸口 ,  清之 森田 ,  明彦 石橋 ,  雅博 粂 ,  岳 菅原 ,  歩 辻村 ,  政勝 鈴木 ,  義晃 長谷川

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01S5/223 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

公开(公告)号：JP4066317B2

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：JP2002031984

申请日：2002-02-08

Applicant: 松下電器産業株式会社

Inventor： 雄三郎 伴 ,  良子 宮永 ,  福一 平山 ,  勲 木戸口 ,  雅博 粂 ,  岳 菅原 ,  政勝 鈴木

IPC: G11B7/125 ,  H01S5/028

公开(公告)号：JP4048662B2

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：JP29963999

申请日：1999-10-21

Applicant: 松下電器産業株式会社

Inventor： 雄三郎 伴 ,  信之 大塚 ,  勲 木戸口 ,  明彦 石橋 ,  雅博 粂 ,  歩 辻村 ,  義晃 長谷川

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

公开(公告)号：JP3773947B2

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：JP2005205925

申请日：2005-07-14

Applicant: 松下電器産業株式会社

Inventor： 哲生 上田 ,  啓嗣 山根 ,  勲 木戸口 ,  省司 藤森

IPC: H01S5/028

公开(公告)号：JP3454181B2

公开(公告)日：2003-10-06

申请号：JP7738699

申请日：1999-03-23

Applicant: 松下電器産業株式会社

Inventor： 雄三郎 伴 ,  信之 大塚 ,  勲 木戸口

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

公开(公告)号：JPWO2005095681A1

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：JP2006519467

申请日：2005-03-31

Applicant: 松下電器産業株式会社 ,  森 勇介 ,  勇介 森

Inventor： 峯本　尚 ,  尚 峯本 ,  北岡　康夫 ,  康夫 北岡 ,  木戸口　勲 ,  勲 木戸口 ,  森　勇介 ,  勇介 森 ,  史朗 川村 ,  史朗 川村 ,  佐々木　孝友 ,  孝友 佐々木 ,  高橋　康仁 ,  康仁 高橋

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/00 ,  C30B9/08 ,  C30B9/10

CPC classification number: C30B9/10 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/1092 ,  Y10T117/1096

Abstract: 成長レートを向上し、高品質で大きな結晶を短時間で育成できるIII族元素窒化物結晶の製造方法、それに用いる製造装置、およびそれらにより得られた半導体素子を提供する。アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とIII族元素と窒素とを含む原料液中において、窒素含有ガス雰囲気下、加圧加熱して前記原料液中の窒素とIII族元素とを反応させ結晶を成長させる結晶成長工程を有するIII族元素窒化物結晶の製造方法であって、前記結晶成長工程に先立ち、さらに、原料調製工程を有し、前記原料調製工程は、窒素含有ガス雰囲気下、雰囲気温度および雰囲気圧力の少なくとも一方を前記結晶成長工程の条件よりも高く設定して、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とIII族元素とを含む融液中に窒素を溶解させて前記原料液を調製する工程である。本発明の方法は、例えば、図7に示す製造装置により行うことができる。

公开(公告)号：JP4035021B2

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：JP2002263104

申请日：2002-09-09

Applicant: 松下電器産業株式会社

Inventor： 雄三郎 伴 ,  良子 宮永 ,  勲 木戸口 ,  雅博 粂 ,  政勝 鈴木

IPC: G11B7/125 ,  H01S5/323

公开(公告)号：JP4028967B2

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：JP2001116386

申请日：2001-04-16

Applicant: 松下電器産業株式会社

Inventor： 雄三郎 伴 ,  勲 木戸口 ,  歩 辻村 ,  義晃 長谷川

IPC: C23C16/56 ,  H01L21/324 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343