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公开(公告)号:JP2020145459A
公开(公告)日:2020-09-10
申请号:JP2020085296
申请日:2020-05-14
申请人: 日亜化学工業株式会社
IPC分类号: H01S5/14 , G11B7/0065 , G11B7/125 , G11B7/1353 , G11B7/1362 , H01S3/139
摘要: 【課題】 外部共振器の縦モード間隔を小さくすることができる光源装置を提供する。 【解決手段】 レーザ光を発するレーザ光源4と、レーザ光源4からの出射光の一部を透過する回折格子6と、を備え、回折格子6からの戻り光がレーザ光源4に入射し、回折格子6を透過した光が出力光となる外部共振器型レーザ光源装置2であって、レーザ光源に所定の範囲の電力が印加されたときに光源装置から出力される所定の波長範囲の出力光における可干渉性を示す指標であって、0から1の値をとり、1において可干渉性が最も高く、0において可干渉性が最も低いことを示すCR(Contrast Ratio)において、レーザ光源4と回折格子6との間の外部共振におけるモードホップが生じたときのCRが、レーザ光源4の内部共振におけるモードホップが生じたときのCRよりも大きな値を示す外部共振器型レーザ光源装置2を提供する。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2018139166A
公开(公告)日:2018-09-06
申请号:JP2018077787
申请日:2018-04-13
申请人: シャープ株式会社 , メモリーテック・ホールディングス株式会社
CPC分类号: G11B20/10314 , G11B7/0052 , G11B7/0053 , G11B7/013 , G11B7/13 , G11B7/1374 , G11B7/13927 , G11B2007/0133
摘要: 【課題】不特定多数の超解像媒体に記録された情報を、精度よく再生する再生装置を提供する。 【解決手段】再生装置100は、超解像媒体である光ディスク1に再生光を照射する光ピックアップ6と、反射光を再生信号に変換するRF信号処理回路9と、再生信号の品質を評価するi−MLSE検出部141と、再生信号の品質評価結果を用いて球面収差を補正する球面収差補正部142と、を備えている。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP6362309B2
公开(公告)日:2018-07-25
申请号:JP2013163331
申请日:2013-08-06
申请人: 株式会社イノバステラ
CPC分类号: G11B13/08 , G11B5/1871 , G11B5/3116 , G11B5/314 , G11B5/3163 , G11B5/6082 , G11B2005/0021 , H01L27/15 , H01L33/38 , H01L33/48 , H01L2933/0016 , H01S5/0425 , H01S5/1071 , H01S2301/18
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公开(公告)号:JP2017216371A
公开(公告)日:2017-12-07
申请号:JP2016109499
申请日:2016-05-31
申请人: 日亜化学工業株式会社
IPC分类号: G11B7/0065 , G11B7/125 , H01S3/10 , H01S5/065 , H01S5/14
摘要: 【課題】 ホログラム記録再生に適用可能な光を安定して出力可能なコンパクトな光源装置を提供する。 【解決手段】 レーザ光を発するレーザ光源4と、レーザ光源からの出射光の一部を透過する回折格子6と、回転軸24を中心に回折格子6を回転させる回転機構20と、を備え、回折格子6からの戻り光がレーザ光源4に入射し、回折格子6を透過した光が出力光となる外部共振器型レーザ光源装置であって、レーザ光源4及び回折格子6の間の光路上に、前記レーザ光源からの出射光を前記回折格子に向けて入射光として反射する第1の反射ミラー8aを備え、レーザ光源4からの出射光が、該入射光の光路に対して回転軸24側から第1の反射ミラー8aに入射する外部共振器型レーザ光源装置2を提供する。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2016517632A
公开(公告)日:2016-06-16
申请号:JP2016501438
申请日:2014-03-12
发明人: オルソン,スコット・イー
CPC分类号: H01S5/0021 , G11B5/105 , G11B2005/0021 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425
摘要: レーザダイオードは、基板と、基板上に配置された接合層とを備える。接合層は、レーザダイオードの量子井戸を形成する。レーザダイオードは、接合層を通って基板に延在する少なくとも1つのチャネルを含む接合面を備える。少なくとも1つのチャネルは、アノード領域およびカソード領域を画定する。カソード電気接合部は、カソード領域に位置する接合面上に配置されている。アノード電気接合部は、接合面に配置され、アノード領域に位置する接合層に接続されている。カソード金属層は、チャネルの少なくともトレンチ領域に配置されている。カソード金属層は、基板をカソード電気接合部に接続する。
摘要翻译: 激光二极管包括基板,和设置在衬底上的结合层。 粘接层形成量子阱激光二极管。 激光二极管具有一个接合表面包括通过接合层延伸基板的至少一个信道。 至少一个通道限定阳极区和阴极区。 阴极电接线布置位于阴极区域上形成接合表面上。 阳极电接线设置在接合表面上,其被连接到位于所述阳极区的粘结层。 阴极金属层被布置在至少一个信道的沟槽区域。 阴极金属层的基板与阴极电接线连接。
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公开(公告)号:JP5870509B2
公开(公告)日:2016-03-01
申请号:JP2011120501
申请日:2011-05-30
申请人: ソニー株式会社
CPC分类号: G11B7/126 , G11B7/127 , H01S5/50 , G11B7/1356 , G11B7/1372 , G11B7/1378 , H01S5/0657 , H01S5/1064
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公开(公告)号:JP2015143732A
公开(公告)日:2015-08-06
申请号:JP2014016348
申请日:2014-01-31
申请人: 株式会社日立エルジーデータストレージ
摘要: 【課題】レンズ等の光学部品を高い精度で装置筐体に接着固定する、光学部品の固定構造を提供する。 【解決手段】光軸に平行な貫通穴を有する光学部品を、筐体内部の光軸方向に垂直な筐体壁と該筐体壁に対向する筐体壁との間に、前記貫通穴に充填した接着剤で両側接着により固定する。 【選択図】図2
摘要翻译: 要解决的问题:提供一种用于将诸如透镜的光学部件以高精度固定地结合到器件壳体的光学部件固定结构。解决方案:具有与光轴平行的通孔的光学部件固定在 套管壁垂直于光轴方向,外壳壁通过双面粘合使用粘合剂填充到通孔中而面向前壳体壁。
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公开(公告)号:JP2015023055A
公开(公告)日:2015-02-02
申请号:JP2013147743
申请日:2013-07-16
发明人: WATABE YOSHIAKI , KAWASUMI TAKAYUKI
IPC分类号: H01L21/316 , G09F9/30 , G11B7/125 , H01L27/14 , H01L27/32 , H01L51/50 , H01S5/028 , H04N5/369 , H05B33/04 , H05B33/12 , H05B33/22
CPC分类号: H01S5/028 , G11B7/12 , G11B7/127 , H01L23/291 , H01L31/0216 , H01L51/5253 , H01L2924/0002 , H01S5/02469 , H01S5/0282 , H01S5/0283 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/34333 , H01S2301/176 , H04N5/369 , H01L2924/00
摘要: 【課題】各種電子装置の光源に用いられる半導体レーザー素子における共振端面の保護膜について、放熱性及び水分等による劣化に対する信頼性に優れた保護膜を有する電子装置を提供する。【解決手段】電子装置である半導体レーザは基板11の上にn型クラッド層12、n型ガイド層13、活性層14、p型ガイド層15、p型クラッド層16及びp型コンタクト層17を順に積層してなり、軸方向(Y方向)に対して垂直な面(XZ平面)に平行な一対の共振器端面10Tには反射膜としても機能する保護膜30が形成されている。この保護膜30は酸化アルミニウム層31、及び酸化アルミニウム層31の表面31Sに点在する珪素酸化物32を有する。前記保護膜30は、共振器端面10Tと酸化アルミニウム層31との間に、より高い熱伝導率を有する窒化アルミニウム(AlN)を含む中間層33を更に有するとよい。【選択図】図2
摘要翻译: 要解决的问题:提供一种电子器件,其具有耐热性等优异的保护膜和耐水分等引起的劣化的可靠性,关于用于所述半导体激光元件的半导体激光元件的共振端面上的保护膜 各种类型的电子器件的光源。解决方案:作为电子器件的半导体激光器通过在衬底11上依次层叠n型覆盖层12,n型引导层13,有源层14, p型引导层15,p型覆盖层16和p型接触层17.在与轴向垂直的平面(XZ平面)平行的一对谐振器端面10T上 方向),形成也用作反射膜的保护膜30。 该保护膜30具有氧化铝层31,并且氧化硅32散布在氧化铝层31的表面31S上。优选地,保护膜30还具有包含具有较高导热性的氮化铝(AlN)的中间层33 在谐振器端面10T和氧化铝层31之间。
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