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    凍結真空乾燥装置及び凍結真空乾燥方法
    3.
    发明专利
    凍結真空乾燥装置及び凍結真空乾燥方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2019235036A1

    公开(公告)日：2020-06-25

    申请号：JP2019013493

    申请日：2019-03-28

    申请人： 株式会社アルバック

    发明人： 西橋 勉 ,  中野 美尚 ,  村上 裕彦 ,  吉元 剛 ,  伊藤 薫樹 ,  小宮 卓巳

    IPC分类号： F26B17/10 ,  F26B3/28 ,  F26B5/06

    摘要： 【課題】短時間で凍結真空乾燥と、コスト低減とを実現させる。 【解決手段】凍結真空乾燥装置は、噴霧部と、管部と、加熱部と、捕集部とを具備する。上記噴霧部は、原料液を真空容器内に噴霧する。上記管部は、非直線状であり、第1開口端と第2開口端とを有し、上記原料液が上記真空容器内へ噴霧して形成される液滴が自己凍結して形成される凍結粒子を上記第1開口端から捕捉する。上記加熱部は、噴霧時に得た運動エネルギーによって上記第1開口端から上記第2開口端に向かって上記管部内を移動する上記凍結粒子を上記管部内で加熱することにより上記凍結粒子を昇華乾燥する。上記捕集部は、上記凍結粒子が上記管部内で昇華乾燥することにより形成され、上記管部の上記第2開口端から放出される乾燥粒子を捕集する。

    炭素ナノ構造体成長用装置
    4.
    发明专利
    炭素ナノ構造体成長用装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019214746A

    公开(公告)日：2019-12-19

    申请号：JP2018111039

    申请日：2018-06-11

    申请人： 株式会社アルバック

    发明人： 中野 美尚

    IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/52 ,  C01B32/186 ,  C01B32/164 ,  C23C16/26

    摘要： 【課題】良質な炭素ナノ構造体を確実に形成する炭素ナノ構造体成長用装置の提供。 【解決手段】昇温室20と、成長室30と、搬送手段60と、排気機構50とを具備し、成長室は昇温室に連結され、成長室に炭素含有の原料ガスを導入するガス導入手段31及び原料ガスを加熱する加熱手段33を有し、処理対象物の表面に炭素ナノ構造体を成長させる炭素ナノ構造体製造装置100であって、排気機構は処理対象物が成長室に搬入する成長室の入口部に取り付けられた排気管53,57を通じて原料ガスを成長室外に排気し、排気管内の原料ガスの排気量が一定となる制御を行う炭素ナノ構造体成長用装置。 【選択図】図1

    熱CVD装置
    5.
    发明专利
    熱CVD装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017101278A

    公开(公告)日：2017-06-08

    申请号：JP2015234755

    申请日：2015-12-01

    申请人： 株式会社アルバック

    发明人： 中野 美尚 ,  野末 竜弘 ,  福田 義朗 ,  塚原 尚希 ,  村上 裕彦

    IPC分类号： C01B32/152 ,  C01B32/158 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/26

    摘要： 【課題】炭素含有ガスの使用効率よく基材表面に長さの揃ったカーボンナノチューブを成長させることができる量産性に優れたカーボンナノチューブ成長用の熱CVD装置を提供する。 【解決手段】熱CVD装置1は、真空引き可能な外容器2と、外容器の内部に配置されて反応室を画成する、外容器より容積の小さい内容器3と、内容器の内部で鉛直方向に間隔を置いて複数の基材を保持する保持手段4とを備える。ガス導入手段が鉛直方向に長手のノズル管58を有し、ノズル管に、基材の外方から内方に向けて原料ガスを噴射する複数の噴射口58aが設けられ、鉛直方向上方に位置する内容器の部分に、内容器と外容器との連通を許容する透孔33aが開設されている。 【選択図】図1

    炭素ナノ構造体成長用装置及び炭素ナノ構造体の製造方法
    6.
    发明专利
    炭素ナノ構造体成長用装置及び炭素ナノ構造体の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020076113A

    公开(公告)日：2020-05-21

    申请号：JP2018207961

    申请日：2018-11-05

    申请人： 株式会社アルバック

    发明人： 中野 美尚

    IPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/455 ,  C01B32/164 ,  C23C16/54

    摘要： 【課題】前処理室への原料ガスの流入を確実に抑え、良質な炭素ナノ構造体を確実に処理対象物上に形成する。 【解決手段】炭素ナノ構造体成長用装置では、昇温室は、第1不活性ガスが導入され、処理対象物を昇温する。成長室は、炭素を含む原料ガスが導入され、処理対象物及び原料ガスを加熱する加熱機構を有する。排気室は、昇温室と成長室との間に配置され、昇温室と第1スリットを通じて連通し、成長室と第2スリットを通じて連通し、昇温室から第1スリットを介して漏出するガスと、成長室から第2スリットを介して漏出するガスとを排気する。ガス導入機構は、昇温室に第2不活性ガスを導入し、第1スリット内に向けて第2不活性ガスを噴射する。搬送機構は、昇温室、第1スリット、排気室、第2スリット、及び成長室の順に処理対象物が通過するように処理対象物を搬送する。 【選択図】図1

    凍結真空乾燥装置及び凍結真空乾燥方法
    10.
    发明专利
    凍結真空乾燥装置及び凍結真空乾燥方法 有权

    公开(公告)号：JP6616053B1

    公开(公告)日：2019-12-04

    申请号：JP2019538464

    申请日：2019-03-28

    申请人： 株式会社アルバック

    发明人： 西橋 勉 ,  中野 美尚 ,  村上 裕彦 ,  吉元 剛 ,  伊藤 薫樹 ,  小宮 卓巳

    IPC分类号： F26B17/10 ,  F26B3/28 ,  F26B5/06

    摘要： 【課題】短時間で凍結真空乾燥と、コスト低減とを実現させる。 【解決手段】凍結真空乾燥装置は、噴霧部と、管部と、加熱部と、捕集部とを具備する。上記噴霧部は、原料液を真空容器内に噴霧する。上記管部は、非直線状であり、第1開口端と第2開口端とを有し、上記原料液が上記真空容器内へ噴霧して形成される液滴が自己凍結して形成される凍結粒子を上記第1開口端から捕捉する。上記加熱部は、噴霧時に得た運動エネルギーによって上記第1開口端から上記第2開口端に向かって上記管部内を移動する上記凍結粒子を上記管部内で加熱することにより上記凍結粒子を昇華乾燥する。上記捕集部は、上記凍結粒子が上記管部内で昇華乾燥することにより形成され、上記管部の上記第2開口端から放出される乾燥粒子を捕集する。