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    荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置
    1.
    发明专利
    荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018148147A

    公开(公告)日：2018-09-20

    申请号：JP2017044533

    申请日：2017-03-09

    Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

    Inventor： 松井 秀樹 ,  野村 春之 ,  上久保 貴司

    IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

    Abstract: 【課題】調整用のレンズを追加することなく、荷電粒子ビームのショットサイズ変更に起因する位置ずれを補正できる描画方法を提供する。 【解決手段】荷電粒子ビームの成形サイズを変えながら所定の照射面高さ位置における成形サイズに依存したビームの位置ずれ量を測定する工程(S102)と、ショットデータを生成する工程(S106)と、成形サイズに依存した荷電粒子ビームの位置ずれ量の情報を用いてショット図形毎にショットデータに定義されるショットサイズに応じた位置ずれ量を演算する工程(S108)と、演算された位置ずれ量を補正するようにショット位置を補正する工程(S110)と、ショット図形毎に荷電粒子ビームを当該ショットサイズに可変成形した荷電粒子ビームを用いて試料上の補正されたショット位置に当該ショット図形を描画する工程(S120)と、を備える。 【選択図】図6

    荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
    2.
    发明专利
    荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019201111A

    公开(公告)日：2019-11-21

    申请号：JP2018094858

    申请日：2018-05-16

    Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

    Inventor： 野村 春之 ,  上久保 貴司

    IPC: G03F7/20 ,  H01J37/305 ,  H01L21/027

    Abstract: 【課題】描画対象物へのビーム照射位置の精度を向上させる。 【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置1は、描画対象物6を載置するステージ5を収納する描画室2と、ステージに載置された描画対象物に荷電粒子ビームを照射するビーム照射部3と、ステージを移動させるステージ駆動部28と、ステージの移動履歴情報に基づいて、描画室内の熱源による描画対象物の温度分布を計算する温度分布計算部31と、ステージに載置された描画対象物の拘束条件と、計算された温度分布とに基づいて、描画対象物の変形量を計算する変形量計算部32と、計算された変形量に基づいて、描画対象物への荷電粒子ビームの照射位置を補正する位置補正部33と、を備える。ビーム照射部は、位置補正部で補正された照射位置に基づいて荷電粒子ビームを照射する。 【選択図】図1

    マルチ荷電粒子ビーム描画装置およびマルチ荷電粒子ビーム描画方法
    4.
    发明专利
    マルチ荷電粒子ビーム描画装置およびマルチ荷電粒子ビーム描画方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018098242A

    公开(公告)日：2018-06-21

    申请号：JP2016238499

    申请日：2016-12-08

    Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

    Inventor： 上久保 貴司

    IPC: G03F7/20 ,  H01J37/305 ,  H01L21/027

    Abstract: 【目的】制御データを複雑化させずにマルチビームのショットサイズを変更可能な描画装置を提供する。 【構成】描画装置100は、複数の第1の開口部を荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、第1のマルチビームを形成する第1の成形アパーチャアレイ基板224と、第1のマルチビームを一括して偏向する第1の偏向器216と、偏向された第1のマルチビームを振り戻すように一括して偏向する第2の偏向器218と、複数の第2の開口部を第1のマルチビームの対応ビームの少なくとも一部がそれぞれ通過することにより、一括偏向の偏向量に応じて第2のマルチビームを可変成形する第2の成形アパーチャアレイ基板203と、第2の成形アパーチャアレイ基板を通過した第2のマルチビームの少なくとも一部のビーム群の照射を受ける試料を載置するXYステージ105と、を備えたことを特徴とする。 【選択図】図1

    荷電粒子ビーム描画装置
    7.
    发明专利
    荷電粒子ビーム描画装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017143147A

    公开(公告)日：2017-08-17

    申请号：JP2016022951

    申请日：2016-02-09

    Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

    Inventor： 上久保 貴司

    IPC: G03F7/20 ,  H01J37/305 ,  H01L21/027

    Abstract: 【課題】描画対象物からの二次電子の影響を抑制して、パターンの描画精度を向上させる。 【解決手段】本実施形態に係る荷電粒子ビーム描画装置は、描画対象物へ入射する荷電粒子ビームを偏向する偏向手段と、偏向手段による荷電粒子ビームの偏向量によって規定されるショット領域が露出する開口が形成される遮蔽板と、を備え、遮蔽板の開口は、ショット領域の大きさと、描画対象物からの遮蔽板の高さに基づいて規定される。これによれば、描画対象物からの二次電子の影響が抑制され、パターンの描画精度が向上する。 【選択図】図1

    アパーチャ部材製造方法
    8.
    发明专利
    アパーチャ部材製造方法 有权
    APERTURE会员制造方法

    公开(公告)号：JP2016046385A

    公开(公告)日：2016-04-04

    申请号：JP2014169665

    申请日：2014-08-22

    Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

    Inventor： 上久保 貴司

    IPC: H01J37/305 ,  H01J37/09 ,  H01L21/027

    CPC classification number: H01L21/84 ,  H01J37/09 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/0451 ,  H01J2237/31776

    Abstract: 【課題】所望の寸法形状を有する開口部を持つアパーチャ部材を再現性良く製造できるアパーチャ部材製造方法を提供する。 【解決手段】基板101上の複数のチップ領域Cにおいて、描画条件を変えながら第1パターンを描画し、第1パターンに基づいて基板101を加工して第2パターンを形成し、各チップ領域の第2パターンの寸法精度及びエッジ位置精度を測定し、所望の寸法精度及びエッジ位置精度を有する第2パターンが形成されたチップ領域Cを基板101から切り出してテンプレート200を作製する。そして、基板220の表面のレジスト222にテンプレート200を接触させ、テンプレートパターンに対応する転写パターンをレジストへパターニングし、転写パターンをマスクとして凹部230を形成する。そして、凹部230と連通するように、基板の裏面側から凹部240を形成し、基板220を貫通する開口部252を形成する。 【選択図】図9

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种孔径构件制造方法，其能够以高再现性制造包括具有期望尺寸形状的开口的孔构件。解决方案：在基板101上的多个芯片区域C中，绘制第一图案，同时 改变光刻条件，并且基于第一图案，对衬底101进行处理，从而形成第二图案。 测量每个芯片区域中的第二图案的尺寸精度和边缘位置精度，并且从衬底101分割具有期望的尺寸精度和边缘位置精度的第二图案的芯片面积C，从而形成模板200 然后，将模板200与基板220的表面上的抗蚀剂222接触，对抗蚀剂进行与模板图案对应的转印图案的图案化，并且在使用转印图案作为 面具。 然后从基板的后侧形成凹部240，以便与凹部230连通，并且形成穿透基板220的开口252.图示：图9

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