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    荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
    1.
    发明专利
    荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020141022A

    公开(公告)日：2020-09-03

    申请号：JP2019034559

    申请日：2019-02-27

    Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

    Inventor： 松井 秀樹

    IPC: H01J37/305 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

    Abstract: 【課題】スループットの低下を抑制しつつ、多重描画により描画精度を向上させる。 【解決手段】基板を移動させながら荷電粒子ビームを照射して、前記基板の描画領域を幅Wで分割した複数のストライプ毎に順次パターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法。この方法では、ストライプ毎に、設定されたストライプずらし量で前記ストライプの幅方向に前記ストライプの基準点をずらすとともに、前記基板の移動方向を切り替えながら、多重度2n(nは1以上の整数)で前記複数のストライプを描画する処理を1回のストロークとし、前記ストロークの描画処理をS回(Sは2以上の整数)行い、前記ストローク毎に、設定されたストロークずらし量で前記ストライプの幅方向に前記ストロークにおける前記ストライプの基準点をずらして描画する。 【選択図】図1

    荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
    3.
    发明专利
    荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 有权
    带电粒子束写入装置和带电粒子束写入方法

    公开(公告)号：JP2016219577A

    公开(公告)日：2016-12-22

    申请号：JP2015101953

    申请日：2015-05-19

    Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

    Inventor： 松井 秀樹

    IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

    CPC classification number: H01J37/1472 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/103 ,  H01J2237/2485 ,  H01J2237/31715

    Abstract: 【課題】セトリング時間を短縮し、スループットを向上させることができる荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供する。 【解決手段】本実施形態による描画装置100の記憶部142は、偏向器216を制御するDACアンプ136のセトリング時間、及び偏向器216によるビーム偏向量を変えながら評価基板上に描画された各評価パターンの描画位置の設計位置からの位置ずれ量と前記セトリング時間との対応関係を示す近似式を記憶する。ショット位置補正部52は、各ショットの偏向量に基づく前記DACアンプのセトリング時間と、前記近似式とから、このセトリング時間における偏向量とショット位置ずれ量との関係を示す補正式を作成し、このショットの偏向量と前記補正式とを用いて位置補正量を求め、ショットデータで定義されるショット位置を補正する。描画部150は、ショット位置が補正されたショットデータを用いて描画を行う。 【選択図】図1

    Abstract translation: 甲缩短稳定时间，以提供带电粒子束描绘设备和带电粒子束写入方法能够提高生产率。 根据本实施例中，DAC放大器136的稳定时间来控制偏转器216，并且当由所述偏转器216改变光束偏转量的评价基板上所绘制的评价的描绘装置100的存储单元142中 存储的近似表达式表示从该图案的描绘位置的设计位置的位置偏差量和整定时间之间的关系。 拍摄位置校正单元52创建基于每个镜头的偏转量的DAC放大器的稳定时间，从所述近似方程，示出了在建立时间偏转量和拍摄位置偏移量之间的关系的校正方程， 通过使用镜头的偏转量确定的位置校正量和所述校正公式校正由拍摄数据中定义的拍摄位置。 渲染单元150个执行通过使用拍摄数据的拍摄位置呈现已被校正。 点域1

    電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法
    4.
    发明专利
    電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 有权
    电子束绘图设备和电子束绘图方法

    公开(公告)号：JP2015216321A

    公开(公告)日：2015-12-03

    申请号：JP2014099725

    申请日：2014-05-13

    Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

    Inventor： 松井 秀樹

    IPC: H01J37/305 ,  H01L21/027

    CPC classification number: H01J37/147 ,  H01J37/305 ,  H01J37/3174

    Abstract: 【課題】描画スループットを向上させることができる電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法を提供する。 【解決手段】電子ビーム描画装置100は、電子銃201から出射された電子ビームを成形する第1アパーチャ203と、第1アパーチャ203を通過したアパーチャ像の電子ビームが投影される第2アパーチャ206と、それぞれ第1アパーチャ203と第2アパーチャ206との間に設けられ、電子ビームを偏向させ、第2アパーチャ206上における前記アパーチャ像の照射位置を制御して、ショット形状及びショットサイズを決定する第1成形偏向器220及び第2成形偏向器222と、を備える。第1成形偏向器220は、ショット形状及びショットサイズに対応して定まる位置にアパーチャ像が位置するように電子ビームを偏向させ、第2成形偏向器222は、第1成形偏向器220で偏向された電子ビームを偏向させて所望のショットサイズの形成を制御する。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够提高制纸量的电子束描绘装置和电子束拉制方法。电子束描绘装置100包括：用于模制从电子枪201发射的电子束的第一孔203; 其上突出有通过第一孔203的具有孔径图像的电子束的第二孔206; 以及分别设置在第一孔203和第二孔206之间的第一成型偏转器220和第二成型偏转器222，通过偏转电子束来确定射出形状和射出尺寸，以控制孔径图像的照射位置 第一成型偏转器220偏转电子束，使得孔径图像位于根据射出形状和射出尺寸确定的位置，并且第二成型偏转器222将由第一成型偏转器220偏转的电子束偏转到 控制形成所需的镜头尺寸。

    荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
    6.
    发明专利
    荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018063988A

    公开(公告)日：2018-04-19

    申请号：JP2016200163

    申请日：2016-10-11

    Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

    Inventor： 中村 崇志 ,  西村 理恵子 ,  松井 秀樹

    IPC: H01J37/305 ,  H01J37/147 ,  H01L21/027

    Abstract: 【課題】設定ビーム寸法と実寸法との非線形性を補正しつつ、ハードウェアを複雑化せずに、調整工程や描画時間等のコストの増加を抑える。 【解決手段】本実施形態による荷電粒子ビーム描画方法は、設定ビーム寸法を変化させてビーム電流を測定し、設定ビーム寸法とビーム電流測定結果とが所定の関係性を持つためのビーム寸法に対する補正係数を算出する。ショットデータを受け取った偏向制御回路は、ショットデータ内のサイズに対応する補正係数に基づいて前記サイズを補正し、前記サイズの補正量に基づいて前記ショットデータ内の照射位置を補正し、補正後のサイズに基づく第1偏向信号と、補正後の照射位置に基づく第2偏向信号とを出力する。第1DACユニットが前記第1偏向信号に基づく第1偏向電圧を成形偏向器へ出力し、第2DACユニットが前記第2偏向信号に基づく第2偏向電圧を対物偏向器へ出力する。 【選択図】図1

    荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
    8.
    发明专利
    荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019192788A

    公开(公告)日：2019-10-31

    申请号：JP2018084213

    申请日：2018-04-25

    Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

    Inventor： 松井 秀樹

    IPC: G03F7/20 ,  H01J37/305 ,  H01L21/027

    Abstract: 【課題】気圧変化によるビーム照射位置のずれを精度良く補正する。 【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置は、気圧に応じたビーム照射位置の補正量を算出するための計算式の係数を格納する記憶部と、気圧センサの測定値及び前記係数を用いた計算式から、ビーム照射位置の補正量を算出する補正量算出部112と、ショットデータ及び前記補正量に基づいてビーム照射位置が調整された荷電粒子ビームを用いて基板にパターンを描画する描画部200と、前記基板が載置されたステージ211上に設けられたマークMを前記荷電粒子ビームで走査し、前記マークから反射された反射電子を検出する検出部140と、前記検出部による検出結果を用いて、前記荷電粒子ビームの照射位置の補正残差を算出する補正残差算出部113と、前記補正残差の変化と前記気圧の変化とに相関がある場合に、前記係数を更新する更新部115と、を備える。 【選択図】図1

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