エミッタの作製方法、エミッタ及び集束イオンビーム装置

    公开(公告)号:JP2020161262A

    公开(公告)日:2020-10-01

    申请号:JP2019057661

    申请日:2019-03-26

    Abstract: 【課題】トリートメントによる原子の再配列によって、その最先端の結晶構造を再現性良く元の状態に戻すことができると共に、トリートメント後の引出電圧の上昇を抑制でき、長く使用し続けることができるエミッタを得ること。 【解決手段】先鋭化された針状のエミッタを作製する方法であって、導電性のエミッタ素材の先端部を電解研磨加工し、先端に向かって漸次縮径するように加工する電解研磨工程と、先端部を頂点とした先鋭部における先端の結晶構造を電界イオン顕微鏡で観察しながら、印加電圧を一定に保持した状態による電界誘起ガスエッチング加工により該先端をさらに先鋭化させ、その最先端を構成する原子数を一定数以下とさせるエッチング工程と、を備えている。 【選択図】図5

    エミッターの作製方法
    2.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2019145443A

    公开(公告)日:2019-08-29

    申请号:JP2018030577

    申请日:2018-02-23

    Abstract: 【課題】エミッターの素材が種々多様な場合であっても、エミッターの先端を好ましい形状に成形することができるエミッターの作製方法を提供すること。 【解決手段】エミッターの作製方法は、導電性のエミッター素材の先端部を電解研磨加工し、先端に向かって漸次縮径するように加工する工程と、当該工程により加工されたエミッター素材における加工部位に荷電粒子ビームを照射してエッチング加工を行い、先端を頂点とした角錐状の先鋭部を形成する工程と、当該工程により当該先鋭部が形成されたエミッター素材の表面をスパッタリング加工し、荷電粒子ビームによるエッチング加工の痕跡を取り除く工程と、当該工程により当該痕跡を取り除かれたエミッター素材の当該先鋭部における先端の結晶構造を電界イオン顕微鏡で観察しながら、当該先端を電界誘起ガスエッチング加工によりさらに先鋭化させ、その最先端を構成する原子数を一定数以下とさせる工程とを有する。 【選択図】図5

    エミッターの作製方法
    3.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2018163808A

    公开(公告)日:2018-10-18

    申请号:JP2017060522

    申请日:2017-03-27

    Abstract: 【課題】エミッターの素材が種々多様な場合であっても、エミッターの先端を好ましい形状に成形することができるエミッターの作製方法を提供すること。 【解決手段】エミッターの作製方法は、導電性のエミッター素材の先端部を電解研磨加工し、先端に向かって漸次縮径するように加工する工程と、当該工程により加工されたエミッター素材における当該加工部分に荷電粒子ビームを照射してエッチング加工を行い、先端を頂点とした角錐状の先鋭部を形成する工程と、当該工程により当該先鋭部が形成されたエミッター素材の表面を電解研磨加工し、荷電粒子ビームによるエッチング加工の痕跡を取り除く工程と、当該工程により当該痕跡を取り除かれたエミッター素材の当該先鋭部における先端の結晶構造を電界イオン顕微鏡で観察しながら、当該先端を電界誘起ガスエッチング加工によりさらに先鋭化させ、その最先端を構成する原子数を一定数以下とさせる工程と、を有する。 【選択図】図12

Patent Agency Ranking