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公开(公告)号：JP4672623B2
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：JP2006238757
申请日：2006-09-04
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N23/225 , H01J2237/2817 , H01J2237/2826
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公开(公告)号：JPWO2016056096A1
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016552760
申请日：2014-10-09
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01J37/20 , G01N23/04 , G01N23/22 , G01N23/225 , H01J37/22 , H01J37/244 , H01J37/26 , H01J37/28
CPC classification number: H01J37/28 , H01J37/18 , H01J37/20 , H01J2237/1825 , H01J2237/2001 , H01J2237/2004 , H01J2237/2802
Abstract: 高精度かつ安定した試料観察が可能な電子顕微鏡を提供する。試料ステージと、試料(111)上で電子線を走査する電子光学系と、前記試料ステージおよび前記電子光学系を真空に保持する真空系と、前記試料から放出される二次電子を検出する二次電子検出器(109)と、前記試料を透過する透過電子を検出する透過電子検出器(113,116)と、前記二次電子検出器および前記透過電子検出器により検出した二次電子および透過電子に基づき、二次電子像および透過電子像を取得し、前記二次電子像および前記透過電子像を記憶する制御装置(117)と、を有する電子顕微鏡であって、前記試料ステージは、前記試料を冷却する冷却手段(122,123)を備え、前記真空系は、前記試料近傍の水分を吸着するコールドトラップ(120)と、前記真空系の真空度を計測する真空計(121)と、を備える。
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公开(公告)号：JP5352135B2
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：JP2008165212
申请日：2008-06-25
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: G01R31/302 , H01L21/66
CPC classification number: G01R31/2874 , G01R31/311
Abstract: There are provided an inspection apparatus and method that can locally perform sample temperature regulation, so that the sample drift can be suppressed. There are included a sample stage 109 that holds a semiconductor sample 118, multiple probes 106 used to measure electrical characteristics of a semiconductor device on the semiconductor sample 118, a power source that applies voltage and/or current to the probe 106, a detector that measures electrical characteristics of the semiconductor device on the sample with which the probe is brought into contact, and an electromagnetic wave irradiating mechanism that irradiates electromagnetic wave on a measurement section of the semiconductor sample 118.
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公开(公告)号：JP5202568B2
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：JP2010101254
申请日：2010-04-26
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01J37/22 , H01J37/317
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