公开(公告)号：JP2020120035A

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：JP2019011161

申请日：2019-01-25

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 深谷 直人 ,  籔内 真 ,  早川 純

IPC: C12M1/38 ,  H01L35/32

Abstract: 【課題】温度制御装置の性能を向上する。 【解決手段】温度制御装置は、行列状に配置された複数のセルCLを備え、各セルCLは、第1端部と第2端部とを含み、第1端部を行電極REに接続されたp型半導体PSと、第3端部と第4端部とを含み、第3端部を列電極CEに接続されたn型半導体NSと、第2端部と第4端部とを接続する共通電極COMと、を有する。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP2018195629A

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：JP2017096187

申请日：2017-05-15

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 西出 聡悟 ,  早川 純 ,  黒崎 健 ,  タヌーシップ ソラット

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/26 ,  C22C13/00 ,  C22C12/00 ,  C22C21/00 ,  C22C28/00 ,  C22C11/00 ,  C22C11/02 ,  B22F1/00 ,  B22F9/04 ,  B22F3/14 ,  H02N11/00 ,  C01B33/06 ,  H01L35/14

CPC classification number: H01L35/22 ,  C01B33/06 ,  C04B35/58085 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/42 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/666 ,  C22C29/18 ,  H01L35/28 ,  H01L35/34

Abstract: 【課題】低温域及び中温域で、熱伝導率が低くかつ出力因子が高い熱電変換材料を提供する。 【解決手段】アルカリ土類金属及びランタノイドに属する元素R、並びに、第13族元素、第14族元素、及び第15族元素のいずれかに属する元素Xから生成された化合物を含む熱電変換材料であって、前記元素R及び前記元素Xの組成比は、AlB 2 型構造を有する化合物となるように選択されることを特徴とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017188547A

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：JP2016075752

申请日：2016-04-05

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 西出 聡悟 ,  早川 純 ,  黒崎 洋輔

IPC: H01L35/34 ,  C22C30/00 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  C01B33/06 ,  H01L35/26 ,  H01L35/14

CPC classification number: B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  C01B33/06 ,  C22C30/00 ,  H01L35/14 ,  H01L35/26 ,  H01L35/34

Abstract: 【課題】熱電変換材料の特性を向上させる。 【解決手段】熱電変換材料は、第1結晶相シリサイドの結晶粒と、第2結晶相シリサイドの結晶粒と、を含む。第1結晶相シリサイドと第2結晶相シリサイドそれぞれの平均結晶粒径は、0より大きく100nm以下である。第1結晶相シリサイドは、Mn元素、Fe元素、Cr元素から選択された元素とSi元素とで構成される、又は、Mn元素、Fe元素、Cr元素から選択された元素とSi元素とAl元素、Ga元素、In元素から選択された1以上の元素とで構成されている。第2結晶相シリサイドは、Mn元素、Fe元素、Cr元素から選択された元素と、Si元素と、Al元素、Ga元素、In元素から選択された1以上の金属元素とで構成されている。第1結晶相シリサイドの結晶粒と前記第2結晶相のシリサイド結晶粒は配向されている。 【選択図】図1B

公开(公告)号：JP6948229B2

公开(公告)日：2021-10-13

申请号：JP2017216779

申请日：2017-11-09

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 籔内 真 ,  三浦 勝哉 ,  早川 純

IPC: H01L37/04

公开(公告)号：JP2017050505A

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：JP2015174977

申请日：2015-09-04

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 黒崎 洋輔 ,  籔内 真 ,  早川 純

IPC: H01L35/14 ,  H01L35/32 ,  C01B33/06 ,  C01B19/04 ,  H01L35/26

CPC classification number: H01L35/04 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  H01L35/22

Abstract: 【課題】熱伝導率が低く、高温で安定な熱電変換材料およびそれを用いた熱電変換モジュールを提供する。 【解決手段】半導体からなる粒子状の母材料101と、粒子状の母材料の内部に分布するゲスト材料からなる微粒子102と、粒子状の母材料の粒界に存在するゲスト材料からなるバインダ103とを含み、バインダは微粒子の量以下であり、粒子状の母材料はバインダと微粒子の総量よりも多く、半導体とゲスト材料は共晶反応、共析反応、包晶反応、包析反応、偏晶反応、偏析反応により化合物を形成せずに分離した状態で存在する熱電変換材料とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP5775163B2

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：JP2013532337

申请日：2011-09-05

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 早川 純 ,  黒崎 洋輔

IPC: H01L37/00 ,  C22C38/00 ,  H01L29/82

CPC classification number: H01L37/00

公开(公告)号：JP2021118263A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：JP2020010771

申请日：2020-01-27

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 岡本 政邦 ,  深谷 直人 ,  早川 純

IPC: H01L35/32

Abstract: 【課題】コージェネの排熱から電力効率をさらに向上させる熱電変換モジュールを提供する。 【解決手段】本開示は、一例として、p型熱電変換材料とn型熱電変換材料が2元系をベースとしたシリサイド材料であり、その複数対で構成される熱電変換モジュールであって、当該熱電変換モジュールの厚さ方向の上下面に設置され、熱電変換モジュールに温度差を付与し、熱電変換材料のゼーベック効果により発電するための熱を供給する熱源および熱を排出する冷却源をそれぞれ供給するための熱供給部を備え、熱電変換材料のp型:n型の断面積比t:1−tが0.5
【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020174109A

公开(公告)日：2020-10-22

申请号：JP2019074706

申请日：2019-04-10

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 黒崎 洋輔 ,  籔内 真 ,  早川 純 ,  宮▲崎▼ 讓 ,  ▲高▼松 智寿 ,  林 慶

IPC: C22C22/00 ,  C22C30/00 ,  H01L35/14

Abstract: 【課題】熱電変換材料および熱電変換モジュールの性能を向上する。 【解決手段】熱電変換材料101は、4〜9族の第1元素および13〜15族の第2元素により構成されるチムニーラダー型化合物を含む母相102と、母相102の粒界に存在する添加相103とを有し、母相102は、前記チムニーラダー型化合物の格子定数を変化させる第3元素を含み、添加相103は、前記第2元素を含む。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP5762633B2

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：JP2014516553

申请日：2012-05-22

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 西出 聡悟 ,  黒崎 洋輔 ,  早川 純 ,  籔内 真 ,  山本 浩之

IPC: H01L35/32 ,  H01L35/14

CPC classification number: H01L35/20 ,  H01L35/28 ,  H01L35/32

公开(公告)号：JP5723591B2

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：JP2010291527

申请日：2010-12-28

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 早川 純 ,  籔内 真 ,  岡本 政邦 ,  黒崎 洋輔 ,  西出 聡悟

IPC: H01L35/14 ,  H01L35/32

CPC classification number: H01L35/20 ,  H01L35/12 ,  H01L35/32 ,  H01L37/00