公开(公告)号：JP6984568B2

公开(公告)日：2021-12-22

申请号：JP2018161718

申请日：2018-08-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 五十嵐 克彦

IPC: C22C12/00 ,  C22C30/04 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L21/52 ,  H05K3/34 ,  B23K35/28

公开(公告)号：JP6959165B2

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：JP2018033224

申请日：2018-02-27

Applicant: 日本電波工業株式会社

Inventor： 西山 大輔 ,  津田 稔正 ,  菊池 賢一 ,  波夛野 真 ,  尾崎 圭

IPC: B23K35/22 ,  C22C13/02 ,  C22C30/04 ,  C22C12/00 ,  B23K35/28 ,  H01L23/02 ,  H05K3/34 ,  B23K35/26

公开(公告)号：JP6938496B2

公开(公告)日：2021-09-22

申请号：JP2018527698

申请日：2017-07-18

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 矢作 政隆 ,  古澤 秀樹

IPC: C22C12/00 ,  C22C13/02 ,  H05K3/34 ,  B23K35/26

公开(公告)号：JPWO2020241317A1

公开(公告)日：2021-09-13

申请号：JP2020019501

申请日：2020-05-15

Applicant: 千住金属工業株式会社

Inventor： 川▲崎▼ 浩由 ,  白鳥 正人 ,  川又 勇司

IPC: B23K35/22 ,  C22C13/02 ,  C22C12/00 ,  H05K3/34 ,  B23K35/26

Abstract: 本発明の課題は、低融点で延性に優れ引張強度が高く、また、無電解Niめっき処理が行われたCu電極にはんだ付けを行うと、このはんだ付けにより形成されたはんだ継手が高いせん断強度を示すSn-Bi-Cu-Ni系はんだ合金等を提供することである。また、本発明の課題は、めっき処理が行われていないCu電極に対しても、はんだ付けにより形成されたはんだ継手が高いせん断強度を示すSn-Bi-Cu-Ni系はんだ合金を提供することである。さらに、本発明の課題は、上述の課題に加えて、はんだ合金の黄色変化を抑制するとともにソルダペーストの粘度の経時的な変化をも抑制することができるはんだ合金等を提供する。 本発明のはんだ合金は、質量%で、Bi:31〜59%、Cu:0.3〜1.0%、Ni:0.01〜0.06%、As:0.0040〜0.025%、残部がSnからなり、その表面に所定のAs濃化層を有するものである。

公开(公告)号：JP6895800B2

公开(公告)日：2021-06-30

申请号：JP2017096187

申请日：2017-05-15

Applicant: 株式会社日立製作所

Inventor： 西出 聡悟 ,  早川 純 ,  黒崎 健 ,  タヌーシップ ソラット

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/26 ,  C22C13/00 ,  C22C12/00 ,  C22C21/00 ,  C22C28/00 ,  C22C11/00 ,  C22C11/02 ,  B22F1/00 ,  B22F9/04 ,  B22F3/14 ,  H02N11/00 ,  C01B33/06 ,  H01L35/14

公开(公告)号：JP2021515411A

公开(公告)日：2021-06-17

申请号：JP2020547072

申请日：2019-01-25

Applicant: サザン・ユニバーシティ・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー ,  Southern University of Science and Technology

Inventor： リィゥ ウェイシュ ,  シュ ルェイ ,  ハン ヂージャ ,  ヂュ ヨンビン ,  フォン シーダー ,  ヂャン シュゥァンモン ,  リィゥ ヨン

IPC: H01L35/18 ,  C22C12/00 ,  C22C23/00 ,  B22F9/04 ,  B22F1/00 ,  H01L35/34

Abstract: n-型Mg-Sb基室温熱電材料であって、化学一般式はMg 3+δ Mn x Sb 2-y-z Bi y A z であり、Aは酸素族元素S、Se又はTe、−0.2≦δ≦0.3であり、x、y、zは原子比率で、x=0.001〜0.4、y=0〜1.0、z=0〜0.2である。化学一般式に従う純度≧99%の単体材料を原料とし、それぞれアルゴン雰囲気でバッチ計量し、且つボールミルにステンレス製の小球を加え、ボールミルを高速回転させて粉体を得る。粉体をそれぞれ秤量して黒鉛金型に詰め、金型を高温炉に入れて真空にして、総気圧4Pa未満で焼結し、焼結終了後室温まで冷却する。熱電材料の室温熱電性能指数及び力学性能は伝統的なn-型テルル化ビスマスのレベルより明らかに優れ、且つコストが安く、製造方法が簡単で、制御性が強く、再現性が良い。

公开(公告)号：JP2021070057A

公开(公告)日：2021-05-06

申请号：JP2019199966

申请日：2019-11-01

Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社

Inventor： 大橋 直倫 ,  松野 行壮 ,  大川 靖弘

IPC: B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  C22C12/00 ,  C22C28/00 ,  H05K3/34 ,  B23K35/363

Abstract: 【課題】フラックス成分を含むはんだペーストであって、保存時およびはんだ付け時の物性が良好であるはんだペーストを提供する。 【解決手段】はんだ粉末と、トリアルキルシリル基で保護されたカルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物を含むフラックス成分とを含む、はんだペースト。はんだペーストは、熱硬化性樹脂を更に含み、化合物のカルボキシル基は、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸のいずれか、または双方に由来する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021048392A

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：JP2020149165

申请日：2020-09-04

Applicant: 株式会社新菱

Inventor： 西 弘敏 ,  沢井 毅 ,  城川 謙一郎 ,  尾前 聡一朗

IPC: B23K35/26 ,  C22C12/00 ,  C22C28/00 ,  B23K35/14 ,  H01L21/60

Abstract: 【課題】本発明の目的は、耐熱性が低い半導体部品や配線基板などの実装において、接合信頼性が高く、135℃以下の低温接合が可能なPbフリーの低融点導電性接合材料に適した接合部材を提供することにある。 【解決手段】Sn−Bi−In三元状態図で、Snがx質量%、Biがy質量%、Inがz質量%である点を(x、y、z)とするとき、点1(1、69、30)、点2(26、52、22)、点3(40、10、50)、点4(1、57、42)の4点を頂点とする四角形の範囲内であり、融点が60〜110℃であるSn−Bi−In合金を含むSn−Bi−In系低融点接合部材を提供するものである。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JP6780994B2

公开(公告)日：2020-11-04

申请号：JP2016184922

申请日：2016-09-22

Applicant: 日本電波工業株式会社

Inventor： 津田 稔正 ,  西山 大輔 ,  波夛野 真 ,  尾崎 圭 ,  原田 知尚

IPC: B23K35/28 ,  C22C13/02 ,  C22C30/00 ,  C22C12/00 ,  H01L23/02 ,  H01L23/08 ,  B23K35/26

公开(公告)号：JP2020132996A

公开(公告)日：2020-08-31

申请号：JP2019175893

申请日：2019-09-26

Applicant: 三菱マテリアル株式会社

Inventor： 近藤 佑一 ,  林 雄二郎 ,  小路 雅弘

IPC: C22C28/00 ,  C22C12/00 ,  C23C14/34

Abstract: 【課題】適切に結晶化が進行しており、取り扱い時やスパッタ時における割れの発生を抑制でき、安定してGe−Sb−Te合金膜を成膜可能なスパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】Ge、Sb、Teから構成される金属間化合物を75mol%以上含有し、金属間化合物の結晶子径が400Å以上800Å以下の範囲内であり、B,C,In,Ag,Si,Sn,Sから選択される1種又は2種以上の添加元素を含有し、添加元素の合計含有量が25mol%以下であるスパッタリングターゲット。 【選択図】なし