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公开(公告)号：JP2020113650A
公开(公告)日：2020-07-27
申请号：JP2019003740
申请日：2019-01-11
申请人： 株式会社東芝 , 芝浦メカトロニクス株式会社
摘要： 【課題】電磁波の減衰特性を向上可能な電磁波減衰体及び電子装置を提供する。 【解決手段】電磁波減衰体10は、複数の磁性層11と、導電性の複数の非磁性層12と、を含む。複数の磁性層11の1つから複数の磁性層11の別の1つへの方向は、第1方向Zに沿う。複数の非磁性層12の1つは、複数の磁性層11の1つと、複数の磁性層11の別の1つと、の間にある。複数の磁性層11の1つの第1方向Zに沿う第1厚さt1は、複数の非磁性層12の1つの第1方向Zに沿う第2厚さt2の1/2倍以上である。複数の磁性層11の数は、3以上である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP5695451B2
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：JP2011048105
申请日：2011-03-04
申请人： 株式会社東芝
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , G11C11/15 , H01L21/8246
CPC分类号： G11C11/16 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L29/82
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公开(公告)号：JP2021145021A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：JP2020041864
申请日：2020-03-11
申请人： 株式会社東芝
摘要： 【課題】特性を向上できる磁気センサを提供する。 【解決手段】実施形態によれば、磁気センサは、第1配線回路、交流回路部、第1直流回路部及び第1素子を含む。前記第1配線回路は、第1配線及び第1交流伝達素子を含む。前記第1配線は、第1配線端部及び第1配線他端部を含む。前記第1交流伝達素子は、前記第1配線と電気的に直列に接続される。前記第1配線回路は、第1回路端部及び第1回路他端部を含む。前記交流回路部は、前記第1回路端部及び前記第1回路他端部の間に交流電圧を印加可能である。前記第1直流回路部は、前記第1配線端部及び前記第1配線他端部に第1直流電圧を印加可能である。前記第1素子は、第1磁性層を含む。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020120066A
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：JP2019012148
申请日：2019-01-28
申请人： 株式会社東芝 , 芝浦メカトロニクス株式会社
摘要： 【課題】電磁波の減衰特性を向上可能な電磁波減衰体及び電子装置を提供する。 【解決手段】電磁波減衰体10は、多層部材10M及び磁性部材15を含む。多層部材10Mは、複数の磁性層11と、導電性の複数の非磁性層12と、を含む。前記複数の磁性層11の1つから前記複数の磁性層11の別の1つへの方向は、前記多層部材10Mから前記磁性部材15への第1方向に沿う。複数の非磁性層12の1つは、複数の磁性層11の1つと、複数の磁性層11の別の1つと、の間にある。磁性部材15の第1方向に沿う厚さは、多層部材10Mの第1方向に沿う厚さの1/2以上である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020031188A
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：JP2018157482
申请日：2018-08-24
申请人： 株式会社東芝
摘要： 【課題】動作をより安定にできる電子装置を提供する。 【解決手段】実施形態によれば、電子装置は、第1〜第3部材、及び、第1、第2素子を含む。第1部材から第3部材への方向は、第1方向に沿う。第2部材は、第1方向において第1、第3部材の間にある。第1素子は、第1方向において第1、第2部材の間にある。第2素子は、第1方向において第2、第3部材の間にある。第1部材は、導電性の複数の第1非磁性層と、複数の第1非磁性層の1つと複数の第1非磁性層の別の1つとの間に設けられた第1磁性層と、を含む。第2部材は、導電性の複数の第2非磁性層と、複数の第2非磁性層の1つと複数の第2非磁性層の別の1つとの間に設けられた第2磁性層と、を含む。第3部材は、導電性の複数の第3非磁性層と、複数の第3非磁性層の1つと複数の第3非磁性層の別の1つとの間に設けられた第3磁性層と、を含む。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2019054059A
公开(公告)日：2019-04-04
申请号：JP2017176069
申请日：2017-09-13
申请人： 株式会社東芝
摘要： 【課題】電磁波の減衰特性を向上可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置110は、半導体素子50及び第1部材10を含む。第1部材は、第1方向において半導体素子から離れた第1磁性面状領域11Pと、第1方向において第1磁性面状領域と半導体素子との間に設けられた第1非磁性面状領域21Pと、を含む。第1磁性面状領域の少なくとも一部は、Fe 1−x1−x2 α x1 N x2 を含む。αは、Zr、Hf、Ta、Nb、Ti、Si及びAlよりなる群から選択された少なくとも1つを含み、x1は、0.5原子パーセント以上10原子パーセント以下であり、x2は、0.5原子パーセント以上8原子パーセント以下である。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2015212996A
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：JP2015131471
申请日：2015-06-30
IPC分类号： H01L43/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/12 , G11B5/39
摘要： 【課題】CCP−CPP素子のMR変化率を向上させる。 【解決手段】磁化が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、前記磁化固着層と対向するようにして形成され、磁化が外部磁界に対して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に位置し、絶縁層、及びこの絶縁層を層方向に電流を通過させる導電体とを有する電流狭窄層を含むスペーサ層とを備える磁気抵抗効果素子において、前記磁化自由層の層中、並びに前記磁化自由層及び前記スペーサ層の界面の少なくとも一か所に、Si、Mg、及びBから選択されFeよりも酸化物生成自由エネルギーが低い元素を少なくとも一つ含む機能層を設ける。 【選択図】図1
摘要翻译： 要解决的问题：提高CCP-CPP元件的MR变化率。解决方案：磁阻效应元件包括：磁化固定层，其中磁化在一个方向上基本上固定; 磁化自由层，其与磁化固定层相对地形成，并且其中磁化相对于外部磁场变化; 布置在磁化固定层和磁化自由层之间的间隔层，并且包括具有绝缘层和引起电流沿着层方向流过绝缘层的导体的电流收缩层; 以及在所述磁化自由层和所述磁化自由层与所述间隔层之间的边界面中的至少一个中含有选自Si，Mg和B中的至少一种元素并且具有比Fe低的氧化物产生自由能的功能层 。
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