半導体装置
    3.
    发明专利
    半導体装置 有权
    半导体设备

    公开(公告)号:JP2017032512A

    公开(公告)日:2017-02-09

    申请号:JP2015155536

    申请日:2015-08-05

    Abstract: 【課題】多層配線層の上面近傍に配置された能動電極と多層配線層の内部に配置された接地電極を有する半導体装置において、能動電極と接地電極の間の寄生容量を低減することが可能な技術を提供する。 【解決手段】本明細書が開示する半導体装置は、半導体素子層と、半導体素子層の上部に形成された多層配線層と、多層配線層の上面近傍に配置されており、能動電位が入力される能動電極と、多層配線層の内部に配置されてり、接地電位に接続された接地電極と、多層配線層の内部で、能動電極と接地電極の間に配置されたフローティング電極を備えている。 【選択図】図1

    Abstract translation: 本发明公开了具有内部,以设置在多层布线层有源电极和设置在附近的多层布线层顶表面的接地电极,能够减少活性电极和接地电极之间的寄生电容的半导体器件 提供一种技术。 在本说明书中教导的半导体器件包括半导体元件层,以及形成在半导体元件层上设置在多层布线层的上表面附近的多层布线层,所述有源电位输入 有源电极,其包括Reteri的内部放置的多层布线层,和连接到接地电位的接地电极,所述多层布线层中,所述活性电极和接地电极之间所放置的浮置电极 。 点域1

    センサシステム、ロボットハンド、センサシステムの較正方法、およびプログラム

    公开(公告)号:JP2020034425A

    公开(公告)日:2020-03-05

    申请号:JP2018161365

    申请日:2018-08-30

    Abstract: 【課題】印加される力を検出する分解能の低下を抑制しつつ簡便にダイナミックレンジを拡げることができるセンサシステム等を提供すること。 【解決手段】本発明に係るセンサシステム10は、基準平面91Aを有する基板91と、基板91に設置され、受力部に受ける物体からの外力に応じて、基準平面91Aに直交する直交軸方向と基準平面91Aに平行な2軸方向とにそれぞれ対応する3軸方向の信号をそれぞれ出力する複数の力覚センサ11と、信号の値が予め設定された閾値を超えているか否かをそれぞれ判断し、判断の結果に基づいて、物体から受ける直交軸方向の押圧力または直交軸周りのモーメントの演算をする制御部15と、演算の結果である演算結果を出力する出力部17とを備える。 【選択図】図8

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