受信データ復元装置
    2.
    发明专利
    受信データ復元装置 有权
    接收数据恢复设备

    公开(公告)号:JP2016122901A

    公开(公告)日:2016-07-07

    申请号:JP2014260691

    申请日:2014-12-24

    Abstract: 【課題】ノイズの影響を受けず、高精度のクロックが不要な受信データ復元装置を提供する。 【解決手段】先頭にプリアンブルが付与されたデジタル信号を受信して、当該デジタル信号を復元する受信機1であって、前記プリアンブルの受信期間中の受信機1のクロックカウント数、および前記プリアンブルの長さから、受信機1のオーバーサンプリング率βを算出するβ演算器14と、オーバーサンプリング率βに基づいて、復元対象となる1ビットのデータを抽出するための時間幅であるサンプリング窓時間T0・T1・T2を算出する窓時間演算器15と、を具備する。 【選択図】図3

    Abstract translation: 要解决的问题:提供不受噪声影响的接收数据恢复装置,并且不需要高精度时钟。解决方案:用于接收在头部具有前导码并且恢复数字信号的数字信号的接收机1包括 β计算单元14,用于在前导码的接收周期期间从接收机1的时钟计数的数量和前导码的长度计算接收机1的过采样率β,以及窗口时间计算单元15,用于计算 采样窗口时间T0 T1 T2,即基于过采样率β提取1位数据成为恢复对象的时间宽度。图3

    半導体装置
    7.
    发明专利
    半導体装置 有权
    半导体设备

    公开(公告)号:JP2017032512A

    公开(公告)日:2017-02-09

    申请号:JP2015155536

    申请日:2015-08-05

    Abstract: 【課題】多層配線層の上面近傍に配置された能動電極と多層配線層の内部に配置された接地電極を有する半導体装置において、能動電極と接地電極の間の寄生容量を低減することが可能な技術を提供する。 【解決手段】本明細書が開示する半導体装置は、半導体素子層と、半導体素子層の上部に形成された多層配線層と、多層配線層の上面近傍に配置されており、能動電位が入力される能動電極と、多層配線層の内部に配置されてり、接地電位に接続された接地電極と、多層配線層の内部で、能動電極と接地電極の間に配置されたフローティング電極を備えている。 【選択図】図1

    Abstract translation: 本发明公开了具有内部,以设置在多层布线层有源电极和设置在附近的多层布线层顶表面的接地电极,能够减少活性电极和接地电极之间的寄生电容的半导体器件 提供一种技术。 在本说明书中教导的半导体器件包括半导体元件层,以及形成在半导体元件层上设置在多层布线层的上表面附近的多层布线层,所述有源电位输入 有源电极,其包括Reteri的内部放置的多层布线层,和连接到接地电位的接地电极,所述多层布线层中,所述活性电极和接地电极之间所放置的浮置电极 。 点域1

    力センサ試験装置
    8.
    发明专利
    力センサ試験装置 有权
    力传感器测试装置

    公开(公告)号:JP2015222216A

    公开(公告)日:2015-12-10

    申请号:JP2014106957

    申请日:2014-05-23

    Abstract: 【課題】被験センサにロッドを介して荷重を印加するセンサ試験装置において、被験センサに作用する曲げモーメントの影響を軽減することが可能な技術を提供する。 【解決手段】本明細書が開示するセンサ試験装置は、被験センサを保持するセンサ保持部と、一端が被験センサに取り付けられたロッドと、ロッドの他端に軸方向の荷重を印加する縦方向荷重印加装置と、ロッドに軸方向に直交する方向の荷重を印加する横方向荷重印加装置を備えている。センサ試験装置では、ロッドの両端において軸方向に直交する方向の変位が拘束されている。 【選択図】図9

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种能够减轻作用在测试传感器上的弯矩的影响的技术,用于通过杆向测试传感器施加负载的传感器测试装置。解决方案:本说明书中公开的传感器测试装置 包括:用于保持测试传感器的传感器保持部; 其中一端安装在测试传感器上的杆; 垂直方向载荷施加装置,用于在所述杆的另一端上沿轴向施加载荷; 以及用于在与杆的轴向正交的方向上施加载荷的横向载荷施加装置。 在传感器测试装置中,与轴向正交的方向上的位移被限制在杆的两端。

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