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公开(公告)号：JP2017191832A
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：JP2016079641
申请日：2016-04-12
Applicant: 株式会社JOLED
IPC: H01L21/336 , H01L51/50 , H01L29/786
Abstract: 【課題】キャパシタの電気容量の電圧依存性を低減できる半導体装置およびそれを用いたアクティブマトリクス基板を提供する。 【解決手段】実施形態に係る半導体装置1Aは、絶縁基板10と、絶縁基板上に設けられ、少なくとも窒素を含む第1絶縁層11と、第1絶縁層の上方に設けられ、第1酸化物半導体層13Aを備えた薄膜トランジスタTrAと、第1絶縁層の上方に設けられ、第2酸化物半導体層13Cを備えたキャパシタCsと、少なくとも薄膜トランジスタの第1絶縁層と第1酸化物半導体層との間に設けられた第2絶縁膜12Aと、を具備する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2019192467A
公开(公告)日：2019-10-31
申请号：JP2018083298
申请日：2018-04-24
Applicant: 株式会社JOLED
Abstract: 【課題】カソード電極層が複数の画素にて共通化されている有機EL表示パネルにおいて、カソード部の電位変動に起因する画質不良を抑制する。 【解決手段】有機EL表示パネル10の各画素10aは、アノード電極層116と、有機層118と、カソード電極層119とを備えている。有機層118およびカソード電極層119のそれぞれは、複数の画素10a間において繋がるように共通化されている。各画素10aの有機EL素子90は、アノード部ANと、カソード部CAと、発光部EMとを有している。有機EL素子90の光出射方向Zから見た場合に、有機EL素子90が形成されている領域の外側の領域に、凹部51を有する導体層50が設けられている。凹部51は、有機層118で覆われている被覆部52と、導体層50が露出している導体露出部53とを有している。カソード電極層119は、導体露出部53の一部に接続されている。 【選択図】図5
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公开(公告)号：JP2019049595A
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：JP2017172654
申请日：2017-09-08
Applicant: 株式会社JOLED
Abstract: 【課題】周辺領域に設けられる配線の設計の自由度を向上させることが可能な表示装置を提供する。 【解決手段】 表示領域および前記表示領域の外側の周辺領域が設けられた第1基板と、前記第1基板上の前記表示領域に設けられ、半導体層と、前記半導体層に対向するゲート電極と、前記ゲート電極と前記半導体層との間のゲート絶縁膜と、前記半導体層に電気的に接続されたソース・ドレイン電極とを有するトランジスタと、前記第1基板上の前記周辺領域に設けられ、前記トランジスタに電気的に接続されるとともに、前記トランジスタの前記ゲート電極および前記ソース・ドレイン電極と同層の位置よりも前記第1基板に近い位置に配置された第1配線層と、前記第1配線層を間にして前記第1基板上に設けられ、前記第1配線層の電位と異なる電位を有する第2配線層と、前記第2配線層と前記第1配線層との間に設けられた絶縁膜とを備えた表示装置。 【選択図】図4
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2017188505A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：JP2016074368
申请日：2016-04-01
Applicant: 株式会社JOLED
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/06 , H01L21/822 , H01L27/04 , G02F1/1368 , G02F1/1345 , H01L51/50 , H01L29/786
Abstract: 【課題】消費電力の低減に有利な半導体装置およびその半導体装置を用いたアクティブマトリクス基板を提供する。 【解決手段】実施形態に係る半導体装置1Aは、画素領域DAと画素領域の周辺の周辺回路領域PAとを含む絶縁基板10と、絶縁基板上に設けられた少なくとも窒素を含む第1絶縁層11と、少なくとも周辺回路領域の第1絶縁層上に設けられた第2絶縁層12A,12Bと、画素領域の前記第1絶縁層の上方に設けられ、第1酸化物半導体層13Aを備えた第1薄膜トランジスタTrAと、周辺回路領域の第2絶縁層上に設けられ、第2酸化物半導体層13Bを備えた第2薄膜トランジスタTrBとを具備する。画素領域の第2絶縁層の膜厚TAは、周辺回路領域の第2絶縁層の膜厚TAよりも薄い。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6594818B2
公开(公告)日：2019-10-23
申请号：JP2016074368
申请日：2016-04-01
Applicant: 株式会社JOLED
IPC: H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/06 , H01L21/822 , H01L27/04 , G02F1/1368 , G02F1/1345 , H01L51/50 , H01L21/336
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公开(公告)号：JP6594820B2
公开(公告)日：2019-10-23
申请号：JP2016079641
申请日：2016-04-12
Applicant: 株式会社JOLED
IPC: H01L29/786 , H01L51/50 , H01L21/336
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公开(公告)号：JP6563367B2
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：JP2016118475
申请日：2016-06-15
Applicant: 株式会社JOLED
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G09F9/30
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公开(公告)号：JP2017223815A
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：JP2016118475
申请日：2016-06-15
Applicant: 株式会社JOLED
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G09F9/30
CPC classification number: G02F1/136286 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L27/124 , H01L27/1262 , G02F1/1368
Abstract: 【課題】高精細化および歩留まりの向上を実現することが可能なアクティブマトリクス基板および表示装置を提供する。 【解決手段】このアクティブマトリクス基板は、基板と、基板上に形成されると共に、チャネル領域としての第1領域を含む酸化物半導体層と、酸化物半導体層の第1領域に第1の絶縁膜を介して対向配置されたゲート電極と、酸化物半導体層に電気的に接続されたソース・ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタと、ゲート電極と同層であって薄膜トランジスタとは異なる領域に設けられた電極層と、基板と電極層との間に設けられ、電極層の第1の端部よりも後退した位置に第2の端部を有する第2の絶縁膜とを備える。酸化物半導体層は、第1領域よりも低抵抗な第2領域を含み、電極層は、第1の端部において、酸化物半導体層の第2領域に電気的に接続される。 【選択図】図3
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