公开(公告)号：JP2015095564A

公开(公告)日：2015-05-18

申请号：JP2013234284

申请日：2013-11-12

Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所

Inventor： 桜井 俊介 ,  畠 賢治

IPC: C01B31/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】カーボンナノチューブ集合体でチャネルを形成する電界効果トランジスタにおいて、高いオンオフ比を得ることを目的の一とする。 【解決手段】波長532nmのラマン分光分析で200cm -1 以上280cm -1 以下の領域に観測される金属型CNT由来のピーク面積を130cm -1 以上200cm -1 以下の領域に観測される半導体型CNT由来のピーク面積で除算して得た、直径0.8nm以上1.3nm以下の金属型CNTの量が、波長785nmのラマン分光分析で190cm -1 以上280cm -1 以下の領域に観測される半導体型CNT由来のピーク面積を140cm -1 以上190cm -1 以下の領域に観測される金属型CNT由来のピーク面積で除算して得た、直径0.8nm以上1.3nm以下の半導体型CNTの量の0.1倍以下となるカーボンナノチューブの集合体をチャネル層として用いる。 【選択図】図4

Abstract translation: 要解决的问题：提供通过使用碳纳米管集合体形成通道的场效应晶体管，并实现高开关比。解决方案：一种碳纳米管集合体，其中直径为0.8nm的金属型CNT的量 通过将在来自半导体型的峰面积的拉曼光谱分析中在200cm以上和280cm以下的区域中观察到的来自金属型CNT的峰面积除以获得的波长为532nm以上且1.3nm以下的峰值面积 在130cm以上且200cm以下的区域中观察到的CNT为通过将半导体衍射的峰面积除以得到的直径为0.8nm以上且1.3nm以下的半导体型CNT的量的0.1倍以下 使用在140cm以上且190cm以下的区域观察到的金属型CNT的峰面积在波长785nm的拉曼光谱分析中，在190cm以上且280cm以下的区域中观察到的CNT类型为 一个渠道 呃

公开(公告)号：JP2015095557A

公开(公告)日：2015-05-18

申请号：JP2013234226

申请日：2013-11-12

Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所

Inventor： 桜井 俊介 ,  畠 賢治

IPC: H01L29/06 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/336 ,  C01B31/02 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】カーボンナノチューブ(CNT)集合体でチャネルを形成する電界効果トランジスタにおいて、高いオンオフ比を得る。 【解決手段】波長532nmのラマン分光分析で200cm −1 以上280cm −1 以下の領域に観測される金属型CNT由来のピーク面積を130cm −1 以上200cm −1 以下の領域に観測される半導体型CNT由来のピーク面積で除算して得た、直径0.8nm以上1.3nm以下の金属型CNTの量が、波長785nmのラマン分光分析で190cm −1 以上280cm −1 以下の領域に観測される半導体型CNT由来のピーク面積を140cm −1 以上190cm −1 以下の領域に観測される金属型CNT由来のピーク面積で除算して得た、直径0.8nm以上1.3nm以下の半導体型CNTの量の0.1倍以下となるカーボンナノチューブの集合体を用い、これを帯状領域に分割して電界効果トランジスタ100のチャネル層106とする。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供通过使用碳纳米管（CNT）骨料形成通道的场效应晶体管，并实现高开关比。解决方案：一种碳纳米管集合体，其中具有直径的金属型CNT的量 通过将波长为532nm的拉曼光谱分析中观察到的金属型CNT的峰面积除以200cm以上且280cm以下的区域，得到0.8nm以上且1.3nm以下的峰值区域， 在130cm以上且200cm以下的区域观察到的半导体型CNT为通过除去导出的峰面积得到的直径为0.8nm以上且1.3nm以下的半导体型CNT的量的0.1倍以下 从在140cm以上且190cm以下的区域观察到的金属型CNT衍生的峰面积，在波长785nm的拉曼光谱分析中，在190cm以上且280cm以下的区域中观察到的半导体型CNT， 被使用，而c 碳纳米管集束体被分成条状区域以形成场效应晶体管100的沟道层106。

公开(公告)号：JP2015093807A

公开(公告)日：2015-05-18

申请号：JP2013234222

申请日：2013-11-12

Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所

Inventor： 桜井 俊介 ,  畠 賢治 ,  フタバ ドン ノリミ

IPC: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/02

Abstract: 【課題】金属型CNTの含有量が少ないCNT及びその製造方法を提供する。 【解決手段】CNT集合体は、波長532nmのラマン分光分析で200cm −1 以上280cm −1 以下の領域の金属CNT由来のピーク面積を130cm −1 以上200cm −1 以下の領域の半導体CNT由来のピーク面積で除算して得た、直径0.8nm以上1.3nm以下の金属CNTの量が、波長785nmで190cm −1 以上280cm −1 以下の領域の半導体CNT由来のピーク面積を140cm −1 以上190cm −1 以下の領域の金属CNT由来のピーク面積で除算して得た、直径0.8nm以上1.3nm以下の半導体CNTの量の0.1倍以下であり、波長785nmで140cm −1 以上190cm −1 以下の直径1.3nm以上1.7nm以下の金属CNTに由来するピーク面積が190cm −1 以上280cm −1 以下の半導体CNT由来のピーク面積の0.3倍以下である。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有较少金属型CNT含量的CNT及其制造方法。解决方案：提供CNT组件，其中通过将峰面积除以衍生得到的直径为0.8nm至1.3nm的金属CNT的量 通过在532nm波长处的拉曼光谱分析，由130nm至200cm范围内的半导体CNT衍生的峰面积作为直径为0.5μm的半导体的量，为200cm至280cm的范围的金属CNT， 将从半导体CNT衍生的峰面积在190cm至280cm波长范围内的785nm除以由金属CNT衍生的在140cm至190cm的范围内的峰面积和从金属CNT衍生的峰面积获得的0.8nm至1.3nm 作为190cm至280cm的半导体CNT的峰面积，其直径为1.3nm〜1.7nm，为140cm〜190cm的波长为785nm，为0.3倍以下。