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公开(公告)号：JP2019137891A
公开(公告)日：2019-08-22
申请号：JP2018021928
申请日：2018-02-09
申请人： 田中貴金属工業株式会社
摘要： 【課題】長時間安定して使用可能な給電体、並びにそれを用いた電解セルおよび電解装置を提供することを課題とする。 【解決手段】本発明は、TiまたはTi合金からなる基材と、上記基材の一の表面上に貴金属からなる貴金属層とを備え、電解セルの固体電解質膜の少なくとも一方の面に上記貴金属層が接して配置される、給電体であって、上記給電体は、上記貴金属層の表面から対向する他の表面まで貫通する貫通孔が1平方cm四方に200箇所以上設けられており、上記固体電解質膜に接して配置される面の表面粗さ(Ra)が、0.5μm以下である、給電体に関する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JPWO2020179693A1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：JP2020008405
申请日：2020-02-28
申请人： 田中貴金属工業株式会社
摘要： 多孔質導電性基材に金属皮膜が形成された多孔質体において、金属皮膜を形成する金属の使用量の低減と、多孔質導電性基材と金属皮膜間の酸化皮膜の抑制とを両立する。 連通する空孔と前記空孔を形成する骨格とを有する多孔質導電性基材と、前記骨格の表面の一部に設けられた金属皮膜とを備える多孔質体であって、 前記多孔質導電性基材の気孔率は10%以上であり、 前記金属皮膜の70質量%以上が、前記多孔質体の一方の表面から厚さ方向30%以内の領域に存在し、 前記骨格と前記金属皮膜との間の酸化皮膜の厚みが、少なくとも一部において2nm以下である、多孔質体。
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公开(公告)号：JP6812606B1
公开(公告)日：2021-01-13
申请号：JP2020531680
申请日：2020-02-28
申请人： 田中貴金属工業株式会社
摘要： 多孔質導電性基材に金属皮膜が形成された多孔質体において、金属皮膜を形成する金属の使用量の低減と、多孔質導電性基材と金属皮膜間の酸化皮膜の抑制とを両立する。 連通する空孔と前記空孔を形成する骨格とを有する多孔質導電性基材と、前記骨格の表面の一部に設けられた金属皮膜とを備える多孔質体であって、 前記多孔質導電性基材の気孔率は10%以上であり、 前記金属皮膜の70質量%以上が、前記多孔質体の一方の表面から厚さ方向30%以内の領域に存在し、 前記骨格と前記金属皮膜との間の酸化皮膜の厚みが、少なくとも一部において2nm以下である、多孔質体。
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公开(公告)号：JP2020105592A
公开(公告)日：2020-07-09
申请号：JP2018245929
申请日：2018-12-27
申请人： 田中貴金属工業株式会社
摘要： 【課題】電解めっき層の欠損や通電痕の発生が抑制されためっき部材を、効率よく製造することができる金属板材、めっき板材、めっき板材の製造方法及びめっき部材の製造方法を提供する。 【解決手段】複数の被めっき部と、枠部と、被めっき部と枠部とを連結する連結部とを備え、複数の被めっき部と、枠部と、連結部とは金属からなる金属板材。 【選択図】図1
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