公开(公告)号：JP2021518057A

公开(公告)日：2021-07-29

申请号：JP2020557287

申请日：2018-04-19

Applicant: 長江存儲科技有限責任公司 ,  Yangtze Memory Technologies Co.,Ltd.

Inventor： プ・ユエチャン ,  ドン・ジンウェン ,  チェン・ジュン ,  ル・ゼンユ ,  タオ・チャン ,  フ・ユシ ,  タン・ザオフイ ,  シャオ・リホン ,  ゾウ・ユティン ,  リ・シゼ ,  リ・ザオソン

IPC: H01L27/11582 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/11573

Abstract: 三次元メモリデバイスの方法および構造が開示される。一例では、メモリデバイスは、第1の領域において1つ以上の第1の凹部と第2の領域において1つ以上の第2の凹部とを有する基板を含む。ライナー層は、第1の領域において1つ以上の第1の凹部の側壁および底部の上に配置され、エピタキシャル成長材料は、第2の領域において1つ以上の第2の凹部に形成される。1つ以上のNANDストリングは、1つ以上の第2の凹部に配置されたエピタキシャル成長材料の上に形成され、1つ以上の垂直構造は、第1の領域において1つ以上の第1の凹部の上に形成される。