公开(公告)号：KR102232624B1

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：KR1020130145023A

申请日：2013-11-27

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 하지메 도쿠나가 ,  준이치 고에즈카 ,  겐이치 오카자키 ,  슌페이 야마자키 ,  šœ페이 야마자키

IPC分类号： H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/041

CPC分类号： H01L29/78696 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/041 ,  H01L29/22 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： 본 발명은 신뢰성이 높으며 안정된 전기 특성을 갖는 반도체 장치를 제공한다.
채널이 형성되는 산화물 반도체막의 상층과 하층에 접촉하도록, 상기 산화물 반도체막을 구성하는 금속 원소 중 1종류 이상의 같은 금속 원소를 포함한 산화물막을 형성함으로써, 상기 산화물 반도체막의 상측의 계면과 하측의 계면에 계면 준위가 생성되기 어렵게 한다. 또한, 산화물 반도체막에 접촉하는 산화물막의 재료에 전자 친화력이 산화물 반도체막의 전자 친화력보다 작은 것을 사용함으로써 채널에 흐르는 전자가 산화물 반도체막에 접촉하는 산화물막으로 이동하는 일은 거의 없고 주로 산화물 반도체막 내를 이동한다. 따라서, 산화물막의 외측에 형성되는 절연막과 산화물막의 계면에 준위가 존재하더라도 상기 준위는 전자의 이동에는 거의 영향을 미치지 않는다.