公开(公告)号：KR20210035159A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020210038732A

申请日：2021-03-25

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 슌뻬이 야마자끼 ,  šœ뻬이 야마자끼 ,  아쯔오 이소베 ,  도시히꼬 사이또 ,  다께히사 하따노 ,  히데오미 스자와 ,  신야 사사가와 ,  준이찌 고에즈까 ,  유이찌 사또 ,  신지 오노

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 산화물 반도체를 사용하는 반도체 장치에 있어서, 전기 특성이 양호한 반도체 장치를 제공한다.
기판 위에 산화물 반도체막 및 절연막을 갖고, 산화물 반도체막의 측면은 절연막과 접해 있고, 산화물 반도체막은, 채널 형성 영역과, 채널 형성 영역을 사이에 두고 형성된 도펀트를 포함하는 영역을 포함하고, 산화물 반도체막 위에 접해서 형성된 게이트 절연막과, 게이트 절연막 위에 형성되고 사이드월 절연막을 갖는 게이트 전극과, 산화물 반도체막 및 절연막에 접해서 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 갖는 반도체 장치이다.

公开(公告)号：KR20210033878A

公开(公告)日：2021-03-29

申请号：KR1020200059831A

申请日：2020-05-19

Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 지광환 ,  박상희 ,  장기석 ,  이광흠 ,  김도형

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/306 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78618

Abstract: 본 명세서는 반도체 기판, 트렌치 구조의 층간 절연층, 이격되어 배치된 소스 전극과 드레인 전극, 층간 절연층의 내부 측벽에 위치하는 버퍼층, 트렌치 구조의 활성층과 보호층, 및 트렌치 구조의 게이트 절연층과 게이트 전극으로 이루어진 박막 트랜지스터를 개시한다.

公开(公告)号：KR102231372B1

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：KR1020190102100A

申请日：2019-08-21

Applicant: 충북대학교 산학협력단

Inventor： 박우진 ,  김태현 ,  조병진

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/324 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 본 발명은 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 게이트 전극층; 상기 게이트 전극층 상에 배치된 유전체층; 상기 유전체층 상의 적어도 일부에 배치되며, 아연(Zn)을 포함하는 산화물 반도체 채널층; 상기 유전제층 및 산화물 반도체 채널층 중 적어도 하나의 층 상에 배치된 절연 버퍼층; 및 상기 절연 버퍼층 상에 서로 이격하여 배치된 소스 전극 및 드레인 전극;을 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR102223126B1

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：KR1020200011852A

申请日：2020-01-31

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 순페이 야마자키 ,  요시하루 히라카타 ,  타케시 니시

IPC: G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1339 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  G02F1/0107 ,  G02F1/1341 ,  G02F2202/28

Abstract: 본 발명은 신뢰성을 향상시킨 표시 장치를 제공한다. 또는 표시 장치의 프레임을 좁게 한다.
액정 표시 장치 등의 표시 장치에 있어서, 제 1 기판과, 제 1 기판에 중첩되는 제 2 기판과, 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 제공된 액정층과, 제 1 기판과 제 2 기판 사이에서 액정층을 둘러싸는 제 1 실재와, 제 1 실재를 둘러싸고 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 간극을 폐색하며 적어도 제 2 기판의 측면까지 연장하는 제 2 실재를 제공하여 표시 장치를 구성한다.

公开(公告)号：JP6437512B2

公开(公告)日：2018-12-12

申请号：JP2016250543

申请日：2016-12-26

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  細羽 みゆき ,  坂田 淳一郎 ,  桑原 秀明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8236 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L29/78606 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2201/123 ,  G09G3/344 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/45 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：JP2018195858A

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：JP2018173882

申请日：2018-09-18

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/441 ,  H01L21/46 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す ることを目的の一とする。 【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜の上面部に、 チャネル保護膜として機能する、酸化物半導体膜と同種の成分でなる金属酸化物膜が積層 されているトランジスタを提供する。また、トランジスタの活性層に用いる酸化物半導体 膜は、熱処理によって、水素、水分、水酸基または水素化物などの不純物を酸化物半導体 より排除し、かつ不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成す る主成分材料である酸素を供給することによって、高純度化および電気的にi型(真性) 化されたものである。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018164102A

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：JP2018118181

申请日：2018-06-21

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 渡邊 正寛 ,  増山 光男 ,  半田 拓哉 ,  岡崎 健一

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L23/564 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】水分による電気特性劣化が抑制された半導体装置および半導体装置の作製方法を提供する。 【解決手段】トランジスタを覆う層間絶縁層に接して金属酸化物層118が位置する構造とし、金属酸化物層を、アモルファス構造を有する第1の金属酸化物層118aと、多結晶構造を有する第2の金属酸化物層118bを含む積層構造とする。アモルファス構造を有する第1の金属酸化物層は、結晶粒界が存在せず、また、結晶状態の金属酸化物層と比較して格子間隔が広いため格子間に水分をトラップしやすい。多結晶構造を有する第2の金属酸化物層は、結晶粒界部分を除く結晶部分については緻密な構造を有しており、水分の透過性が非常に低い。このため、第1の金属酸化物層および第2の金属酸化物層を含む金属酸化物層が層間絶縁層に接する構造とすることにより、トランジスタ中への水分の侵入を効果的に防止できる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6401483B2

公开(公告)日：2018-10-10

申请号：JP2014079878

申请日：2014-04-09

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 野田 耕生 ,  鳥海 聡志 ,  種村 和幸

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606

公开(公告)号：JP2018157224A

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：JP2018112770

申请日：2018-06-13

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 野村 昌史 ,  岡崎 健一 ,  宮本 敏行 ,  羽持 貴士 ,  山崎 舜平

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  H01L51/50 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半 導体装置を提供する。また、現在実用化されている量産技術からの膜構成、プロセス条件 、または生産装置等の変更が少なく、半導体装置に安定した電気特性を付与し、信頼性の 高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。 【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上 に形成された酸化物半導体膜と、を有し、ゲート絶縁膜は、窒化酸化シリコン膜と、窒化 酸化シリコン膜上に形成された酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に形成され た金属酸化膜と、を含み、金属酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成される。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018152574A

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：JP2018086116

申请日：2018-04-27

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 郷戸 宏充 ,  秋元 健吾 ,  山崎 舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、しきい値電圧のばらつきを低減し、電気特性を安定させ、オフ電流を低減する。 【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層106の上に絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層103を積層し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層105a、105bとが絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層を介して接触するように薄膜トランジスタを形成することによって、薄膜トランジスタのしきい値電圧のばらつきを低減し、電気特性を安定させることができる。また、オフ電流を低減することもできる。 【選択図】図1