公开(公告)号：KR20210032460A

公开(公告)日：2021-03-24

申请号：KR1020217004513A

申请日：2019-07-19

申请人： 닛산 가가쿠 가부시키가이샤

发明人： 히로카즈 니시마키 ,  마코토 나카지마 ,  케이스케 하시모토

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08G8/00 ,  C08G8/20 ,  C08G12/08 ,  C08G12/26 ,  G03F7/16 ,  H01L21/027

CPC分类号： C08G12/08 ,  C08G12/26 ,  C08G8/00 ,  C08G8/20 ,  G03F7/11 ,  G03F7/168 ,  H01L21/027

摘要： 아래 식(1)로 표시되는 기가 부가된 폴리머를 포함한다.

(식(1) 중, R
x , S
y 및 S
z 는, 각각 독립적으로 수소원자 또는 1가의 유기기이며, R
y 및 R
z 는, 각각 독립적으로 단결합 또는 2가의 유기기이며, 환Ar
y 및 환Ar
z 는, 각각 독립적으로 탄소수 4~20의 환상 알킬기 또는 탄소수 6~30의 아릴기이며, 또한, 서로 결합하여 환Ar
y 및 환Ar
z 의 사이에 새로운 환을 형성할 수도 있고, n
y 는, 0 이상 또한 환Ar
y 로 치환할 수 있는 최대수까지의 정수이며, n
z 는, 0 이상 또한 환Ar
z 로 치환할 수 있는 최대수까지의 정수이며, ※는 폴리머와의 결합개소이다.)

公开(公告)号：KR102229657B1

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：KR1020157022546A

申请日：2014-05-08

申请人： 닛산 가가쿠 가부시키가이샤

发明人： 타카후미 엔도 ,  케이스케 하시모토 ,  히로카즈 니시마키 ,  리키마루 사카모토

IPC分类号： G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC分类号： C09D179/02 ,  C08G73/06 ,  C09D161/12 ,  C09D179/04 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

摘要： [과제] 높은 드라이에칭내성과 위글링내성을 가지며, 단차나 요철부에 대하여 양호한 평탄화성이나 매립성을 발현하는 레지스트 하층막을 형성하기 위한 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공한다. [해결수단] 방향족환을 포함하는 유기 화합물 A와, 페놀성 하이드록시기를 갖는 방향족 탄소환기를 적어도 2개 가지며, 그리고 이 방향족 탄소환기가 3급탄소원자를 개재하여 결합한 구조를 갖는 알데히드 B의 반응에 의해 얻어지는 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물. 알데히드 B가 하기 식(1)이다. Ar
1 및 Ar
2 는 각각 탄소원자수 6 내지 40의 아릴기를 나타낸다. 얻어지는 수지가 식(2)이다. 방향족환을 포함하는 유기 화합물 A가 방향족 아민, 또는 페놀성 하이드록시기 함유 화합물이다. 용제를 추가로 포함한다. 산 및/또는 산발생제, 가교제를 추가로 포함한다. 레지스트 하층막 형성 조성물을 반도체기판 상에 도포하고 소성하여 하층막을 형성하는 공정을 포함하는 반도체의 제조에 이용되는 레지스트 패턴의 형성방법.