公开(公告)号：KR102227328B1

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：KR1020187036369A

申请日：2017-08-02

Applicant: 닛폰세이테츠 가부시키가이샤

Inventor： 요시아키 나토리 ,  히로요시 야시키 ,  마사루 다카하시 ,  가즈토시 다케다 ,  다쿠야 마츠모토

IPC: C22C38/02 ,  C21D8/12 ,  C22C38/00 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C22C38/14

CPC classification number: C21D1/74 ,  C21D8/1222 ,  C21D8/1244 ,  C21D8/1261 ,  C21D8/1272 ,  C21D8/1283 ,  C22C38/00 ,  C22C38/001 ,  C22C38/002 ,  C22C38/004 ,  C22C38/005 ,  C22C38/008 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C22C38/14 ,  C22C38/34 ,  C22C38/42 ,  C22C38/50 ,  C22C38/60 ,  H01F1/14783 ,  H01F1/18 ,  C21D2201/05 ,  C21D8/1233 ,  C22C2202/02

Abstract: 무방향성 전자 강판은 소정의 화학 조성을 갖고, 지철의 표면으로부터, 상기 지철의 표면으로부터의 깊이가 2㎛까지의 범위에 있어서의 Mn 농도의 평균값을 [Mn
2 ], 상기 지철의 표면으로부터의 깊이가 10㎛의 위치에 있어서의 Mn 농도를 [Mn
10 ]이라 했을 때, 상기 지철은 하기의 식 1을 만족한다.
0.1≤[Mn
2 ]/[Mn
10 ]≤0.9 (식 1)

公开(公告)号：KR20210024613A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：KR1020217002558A

申请日：2019-11-01

Applicant: 닛폰세이테츠 가부시키가이샤

Inventor： 히로요시 야시키 ,  요시아키 나토리 ,  미호 도미타 ,  가즈토시 다케다 ,  다쿠야 마츠모토

IPC: C21D8/12 ,  C22C38/00 ,  C22C38/02 ,  C22C38/08 ,  C22C38/16 ,  C22C38/60 ,  H01F1/147

CPC classification number: C21D8/1222 ,  C21D8/12 ,  C21D8/1283 ,  C22C38/00 ,  C22C38/001 ,  C22C38/02 ,  C22C38/08 ,  C22C38/16 ,  C22C38/60 ,  H01F1/147

Abstract: 이 무방향성 전자기 강판은, 모재가 식[Si+0.5×Mn≥4.3]을 충족하는 소정의 화학 조성을 갖고, 상기 모재의 평균 결정 입경이, 40㎛를 초과하여 120㎛ 이하이다.