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公开(公告)号:KR102236193B1
公开(公告)日:2021-04-05
申请号:KR1020190063837A
申请日:2019-05-30
Applicant: 울산과학기술원
IPC: G01N27/327 , G01N27/30 , G01N33/487 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/3065
CPC classification number: G01N27/3278 , G01N27/308 , G01N33/48714 , G03F7/2004 , H01L21/02115 , H01L21/02118 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 본 발명은 중금속 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, (a) 실리콘 기판의 상면에 절연층을 증착하는 단계, (b) 상기 (a) 단계에 의해 증착된 절연층 상에 네거티브 포토레지스트를 코팅하는 단계, (c) 상기 (b) 단계에 의해 코팅된 네거티브 포토레지스트에 자외선을 노광하는 단계, (d) 상기 (c) 단계에서 노광된 네거티브 포토레지스트 상에 추가적으로 네거티브 포토레지스트를 코팅하는 단계, (e) 상기 (d) 단계에서 코팅된 네거티브 포토레지스트에 자외선을 노광하는 단계, (f) 상기 (c)와 (e) 단계에서 노광된 네거티브 포토레지스트를 현상하는 처리를 수행하여 복수의 3차원 마이크로 구조를 포함하는 계층 구조의 포토레지스트 폴리머 구조체를 형성하는 단계, (g) 상기 (f)단계에 의해 형성된 상기 폴리머 구조체에 산소 플라즈마 식각 장비를 이용하여 다공성 구조를 형성하는 단계, (h) 상기 (g)단계에 의해 형성된 다공성 폴리머 구조체를 열분해하여 다공성 3D 탄소 구조체로 변환하는 단계, (i) 상기 변환된 다공성 탄소 전극에 절연층을 증착하는 단계, (j) 상기 (i) 단계에서 형성된 절연층 상에 포지티브 포토레지스트를 코팅하는 단계, (k) 상기 (j) 단계에서 코팅된 포토레지스트에 자외선 노광을 하는 단계, (l) 상기 (k) 단계에서 노광된 포토레지스트를 현상하는 단계, (m) 상기 (l) 단계에서 노출된 절연층을 식각하여 제거하는 단계, (n) 포지티브 포토레지스트를 제거하는 단계, 그리고 (o) 상기 패터닝된 다공성 탄소 전극에 나뭇가지 형태의 비스무트 나노 입자을 도포하는 단계를 포함한다.