公开(公告)号：KR20210035218A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020217004556A

申请日：2019-07-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다쿠야 구보 ,  강송윤

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/02

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 기판을 처리하는 방법이 제공된다. 기판은, 에칭층과 마스크를 구비한다. 마스크는, 에칭층의 제1 표면 상에 마련된다. 이 방법은, 제1 공정, 제2 공정 및 제3 공정을 구비한다. 제1 공정은, 마스크의 제2 표면에 제1 막을 형성한다. 제2 공정은, 에칭층의 제1 표면을 에칭함으로써, 에칭층의 재료를 갖는 제2 막을 제1 막 상에 형성한다. 제3 공정은, 제2 공정 후의 기판을 처리 가스의 플라스마에 노출시킴으로써, 제1 막 및 제2 막을 제거한다. 제1 막은, 전극 재료를 갖는다. 처리 가스는, 산소를 갖는다.

公开(公告)号：KR20210034719A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020190115965A

申请日：2019-09-20

Applicant: 대전대학교 산학협력단

Inventor： 김경남 ,  박준영 ,  김석준

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32009 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H05H1/46

Abstract: 본 발명은 L-FC 전구체를 이용하는 플라즈마에칭공정에서 적외선 또는 자외선을 이용하여 웨이퍼, 전극, 기판, 헤드 등에 응결되는 L-FC 를 제거하는 것을 특징으로 하는 플라즈마에칭공정상의 L-FC 제거 방법 및 그 시스템에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR102233920B1

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：KR1020177003865A

申请日：2015-09-24

Applicant: 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤

Inventor： 히토시 고노 ,  겐타로 다카하시 ,  후미히로 고보

IPC: H01L21/683 ,  B23Q3/15 ,  H01L21/3065 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H02N13/00 ,  H05K7/20009 ,  B23Q3/15

Abstract: 본 발명은, 포커스 링을 정전 흡착하는 힘을 증대할 수 있고, 포커스 링을 균일하게 냉각할 수 있는 정전 척 장치를 제공한다. 본 발명의 정전 척 장치(10)에서는, 재치대(11)가, 재치면(24a)의 주위에 포커스 링(12)의 둘레 방향을 따라 마련되어 포커스 링(12)을 정전 흡착하는 지지부(15)를 갖고, 지지부(15)가, 둘레 방향을 따라 마련되어 포커스 링(12)이 재치되는 한 쌍의 제방부(16)와, 이들의 사이에 형성된 환 형상의 홈부(17)을 가지며, 한 쌍의 제방부(16) 중 적어도 포커스 링(12)의 외주측에 위치하는 제방부(16A)에 있어서, 포커스 링(12)과 대향하는 면에는, 복수의 미소 돌기를 포함하는 미소 돌기부가 형성되거나, 홈부(17)의 바닥면(17a)에는 볼록부(18)가 마련되어 있다. 볼록부(18)는 포커스 링과 접하지 않으며, 한 쌍의 제방부(16) 또는 복수의 미소 돌기는 포커스 링(12)과 접하여, 볼록부(18)와 협동하여 포커스 링(12)을 정전 흡착한다.

公开(公告)号：KR20210033890A

公开(公告)日：2021-03-29

申请号：KR1020200108407A

申请日：2020-08-27

Applicant: 가부시기가이샤 디스코

Inventor： 요시오 와타나베 ,  히로유키 다카하시 ,  겐타로 와다

IPC: H01L21/78 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/67739 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32788 ,  H01J37/32816 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/6838 ,  H01J2237/186 ,  H01J2237/334 ,  H01L2221/68327

Abstract: (과제) 장치의 대형화를 억제하면서, 에칭 중에 가해지는 고열을 피가공물이 배열할 수 있는 피가공물의 가공 방법을 제공하는 것.
(해결 수단) 피가공물의 가공 방법은, 흡인로로부터 유지면에 부압을 작용시켜 피가공물을 척 테이블에서 흡인 유지하고, 저압 플라즈마를 실현 가능하고 척 테이블에 의한 피가공물의 흡인 유지가 가능한 50 Pa 이상 5000 Pa 이하까지 진공 챔버 내의 기압을 감압시키고, 피가공물을 흡인 유지하면서, 피가공물에 플라즈마 상태의 불활성 가스를 공급하여, 척 테이블에 배치된 전극에 전압을 인가하여 피가공물을 척 테이블에서 정전 흡착하고, 플라즈마 상태의 가공용 가스를 공급하고, 피가공물을 드라이 에칭한다.

公开(公告)号：KR20210032487A

公开(公告)日：2021-03-24

申请号：KR1020217004823A

申请日：2019-08-08

Applicant: 가부시키가이샤 아루박

Inventor： 겐지 사카타 ,  히데카즈 요코오

IPC: H01L21/683 ,  C23C14/50 ,  C23C16/458 ,  H01J37/317 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/6833 ,  C23C14/50 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4586 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/683 ,  H01L21/68785

Abstract: 가스의 급격한 체적증가를 억제하고, 기판을 안정적으로 지지하는 정전척, 진공처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것에 있다. 본 발명의 일 형태에 따른 정전척은 기판을 지지하는 제1 면과, 상기 제1 면과는 반대측의 제2 면을 가지는 척 플레이트를 구비한다. 척 플레이트에는 상기 기판을 상기 제1 면에서 지지했을 때, 상기 기판과 상기 제1 면 사이에서 상기 기판으로부터 방출되는 가스를 상기 기판과 상기 제1 면 사이에서 배기하는 배기로가 설치되어 있다.

公开(公告)号：KR102228330B1

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：KR1020197016732A

申请日：2018-03-05

Applicant: 가부시키가이샤 알박

Inventor： 신야 나카무라 ,  미츠노리 헨미 ,  요시노리 후지이 ,  요시히로 이케다

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

CPC classification number: H01L21/76829 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76813 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: Ÿ‡ 에칭될 때 우수한 제어성을 가지는 에칭 스톱층 및 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공한다. 드라이 에칭에 의해 피에칭층(Le)을 한 방향으로 에칭할 때에 피에칭층의 에칭 진행 방향 앞쪽에 적층되는 본 발명의 에칭 스톱층(Ls)은, 붕소 또는 이트륨을 20~50 중량% 함유하는 산화 알루미늄막(BAlOx막, YAlOx막)으로 구성된다.

公开(公告)号：KR102227879B1

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：KR1020187020121A

申请日：2017-01-11

Applicant: 베이징 이타운 세미컨덕터 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 ,  매슨 테크놀로지 인크

Inventor： 블라디미르 나고르니 ,  샤우밍 마 ,  비제이 엠. 바니아프라 ,  리안 엠. 파쿨스키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/0206 ,  H01L21/3065 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32651 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H05H1/46 ,  H01J2237/334

Abstract: 가변 패턴 분리 그리드를 이용하여 플라즈마 처리 장치 내에서 기판을 처리하는 시스템, 방법 및 장치가 제공된다. 일 예시적인 실시예에서, 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 챔버와, 상기 플라즈마 챔버로부터 분리된 처리 챔버를 가질 수 있다. 상기 장치는 상기 플라즈마 챔버와 상기 처리 챔버를 분리하는 가변 패턴 분리 그리드를 더 구비할 수 있다. 상기 가변 패턴 분리 그리드는 복수의 그리드 플레이트를 구비할 수 있다. 각각의 그리드 플레이트는 하나 이상의 구멍을 갖는 그리드 패턴을 가질 수 있다. 상기 그리드 플레이트 중 적어도 하나는 상기 복수의 그리드 플레이트 내의 다른 그리드 플레이트에 대해 이동가능함으로써 상기 가변 패턴 분리 그리드가 복수의 상이한 복합 그리드 패턴을 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR102227783B1

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：KR1020197022375A

申请日：2017-10-17

Applicant: 에바텍 아크티엔게젤샤프트

Inventor： 위르겐 바이카르트 ,  요하네스 바이카르트

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01J37/32834 ,  C23C14/35 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/466 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32816 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/3341

Abstract: 플라즈마 반응기에서 펌핑 구획은 중앙 프레임을 포함하는 구조에 의해 플라즈마 처리 구획으로부터 분리된다. 프레임은 스포크들을 통해 반응기의 케이싱에 매달려 있다. 스포크들은 열 로딩 하에서 프레임의 자유로운 팽창과 수축을 허용한다. 스포크 사이의 슬릿들은 거기에서 플라즈마 점화를 허용하지 않고 처리 구획과 펌핑 구획 사이에 작은 유동 저항을 제공한다. 프레임은 더 작은 전극상의 기판에 대한 다운홀딩 부재로 작용할 수 있다.

公开(公告)号：KR20210029827A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：KR1020217006211A

申请日：2019-07-31

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 펄킷 아가월 ,  애드리언 라보이 ,  라비 쿠마 ,  프루쇼탐 쿠마

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32926 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32458 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67276 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334

Abstract: 제어기는 축적 값들을 각각의 조정 인자들에 상관시키는 데이터를 저장하는 메모리를 포함한다. 축적 값들은 프로세싱 챔버 내 표면들 상의 재료의 축적에 대응하고 각각의 조정 인자들은 프로세싱 챔버에 제공된 RF 전력의 제어 파라미터에 대한 조정에 대응한다. 축적 계산 모듈은 재료의 축적량을 나타내는 제 1 축적 값을 계산하도록 구성된다. RF 전력 제어 모듈은 제 1 축적 값을 수신하고, 설정점 전력 및 에칭 단계의 지속 기간 중 적어도 하나를 수신하고, 메모리로부터 저장된 데이터를 검색하고 제 1 축적 값, 설정점 전력 및 에칭 단계의 지속 기간 중 적어도 하나, 및 저장된 데이터에 기초하여 제어 파라미터를 조정하고, 그리고 조정된 제어 파라미터에 따라 프로세싱 챔버로 제공된 RF 전력을 제어하도록 구성된다.

公开(公告)号：KR102225657B1

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020190145721A

申请日：2019-11-14

Applicant: 피에스케이 주식회사

Inventor： 강정현

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32633 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/3065

Abstract: 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 처리 공간을 가지는 하우징과; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스와; 상기 지지 유닛의 상부에 배치되는 배플 유닛을 포함하고, 상기 배플 유닛은, 상기 공정 가스 및/또는 상기 플라즈마가 흐르는 제1홀들이 형성된 배플을 포함하고, 상기 배플의 가장자리 영역에는, 상부에서 바라볼 때, 그 길이 방향이 상기 배플의 반경 방향에 대하여 경사진 제2홀들이 형성될 수 있다.