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公开(公告)号：JP2016222941A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2015107326
申请日：2015-05-27
Applicant: DOWAサーモテック株式会社
IPC: C23C16/27 , C23C16/455
Abstract: 【課題】ガス導入管を従来よりも容易に製造すると共に、ワークの成膜バラつきを抑制するSi含有DLC膜の成膜装置。 【解決手段】ワークの成膜処理を行う処理室と、ワークを支持する支持部材と、原料ガスを導入するガス導入管20とを備え、ガス導入管20は、内管21と外管22とを備えた二重管構造であり、内管21に、ガス導入管20の長手方向Lに沿って複数の第1のガス噴出口21aが形成され、外管22に、長手方向Lに沿って複数の第2のガス噴出口22aが形成され、第1のガス噴出口21aの向きと第2のガス噴出口22aの向きが異なり、かつ、第2のガス噴出口22aが処理室2の内方に向くようにガス導入管20を構成したSi含有DLC膜の成膜装置。 【選択図】図4
Abstract translation: 甲以及容易不是压制工件含Si-DLC成膜装置的沉积变化之前的气体入口管制造。 和处理室用于进行成膜的工作，用于支撑工件的支撑部件，和用于引入原料气体，气体入口管20，内管21和外管22的气体导入管20的过程 与内管21的双重管结构，多个第一气体喷射口21a的沿气体入口管20，外管22的纵向方向L形成的，沿纵向方向L 多个第二气体口22a的形成，从第二气体端口的第一气体喷射口21a的22a的方位和方向不同，并且所述第二气体喷射口22a是从处理腔室2的 含Si构成的气体导入管20，以便面朝DLC成膜装置。 点域4
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公开(公告)号：JP2015178670A
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：JP2014183701
申请日：2014-09-09
Applicant: DOWAサーモテック株式会社
IPC: C23C14/06 , C23C16/509 , H01L21/205 , C23C16/27
CPC classification number: C23C16/27 , C01B31/02 , C01B31/06 , C23C14/0036 , C23C14/0635 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/345 , C23C16/26 , C23C16/515 , C23C28/046 , C23C28/048
Abstract: 【課題】恒温装置といった大型設備を必要とせず、チャンバ内のガス圧力が低圧であっても成膜速度が落ちず、硬度及び密着性に優れたDLC皮膜を製造する。 【解決手段】プラズマCVD法で基材上にDLC皮膜を成膜させる成膜方法であって、直流パルス電源を用いて基材に印加する電圧をバイアス電圧とし、チャンバ内に供給する成膜ガスとして、アセチレンガス又はメタンガスを用い、且つ、チャンバ内のガスの全圧を、メタンガスを用いた場合は0.5Pa以上3Pa以下とし、アセチレンガスを用いた場合は0.3Pa以上3Pa以下とし、前記バイアス電圧は0.9kV以上2.2kV以下とする、DLC皮膜の成膜方法が提供される。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：为了提供具有优异的硬度和粘附性的DLC膜的制造方法，其不需要诸如恒温装置的大尺寸设备，并且即使在室中的低气压下也不降低沉积速率。 解决方案：在通过等离子体CVD法在基板上沉积DLC膜的成膜方法中，使用偏压作为使用DC脉冲电源施加到基板的电压，使用乙炔气体或甲烷气体作为沉积物 供给到室内的气体，当使用甲烷气体时，室内的总气体压力设定为0.5Pa以上且3Pa以下，当使用乙炔气体时为0.3Pa以上且3Pa以下， 电压设定在0.9kV以上2.2kV以下。
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公开(公告)号：JP6549903B2
公开(公告)日：2019-07-24
申请号：JP2015107326
申请日：2015-05-27
Applicant: DOWAサーモテック株式会社
IPC: C23C16/27 , C23C16/455
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6533374B2
公开(公告)日：2019-06-19
申请号：JP2014183701
申请日：2014-09-09
Applicant: DOWAサーモテック株式会社
IPC: C23C16/515 , C23C14/06 , H01L21/205 , C23C16/27
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公开(公告)号：JP2017106065A
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：JP2015239782
申请日：2015-12-08
Applicant: DOWAサーモテック株式会社
Abstract: 【課題】従来のDLC膜被覆部材は、高負荷摺動時において中間層とDLC層の界面が剥離し、焼き付きが生じるおそれがあった。このため、高負荷摺動時における中間層とDLC層との界面における剥離を抑制し、DLC膜被覆部材の耐焼き付き性を向上させることが望まれていた。 【解決手段】基材2とDLC層5との間に形成される中間層4において、Ti層4aと、前記Ti層4aの表面に形成されるTiC層4bとを設け、前記Ti層および前記TiC層を含む層全体の炭素含有量を53at%以上、77at%以下とする。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2017197804A
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：JP2016088817
申请日：2016-04-27
Applicant: DOWAサーモテック株式会社
Abstract: 【課題】基材とDLC層との間の中間層の耐焼き付き性を向上させる、基材とDLC層との間に形成される中間層の形成方法およびDLC膜被覆部材の製造方法を提供する。 【解決手段】基材2とDLC層5との間に形成されるスパッタ法による中間層4の形成方法において、基材表面に形成されるTiC層4c上に、TiターゲットとWCターゲットをスパッタすることでWCおよびTiCからなるTiC−WC傾斜層4dを形成する工程中に、基材側からDLC層側に向かってTi量を漸減させるためにTiターゲットのスパッタ出力を下げる工程、および、基材側からDLC層側に向かってWC量を漸増させるためにWCターゲットのスパッタ出力を上げる工程の少なくともいずれか一方の工程を設け、TiC—WC傾斜層4d上にWC層4eを形成する工程を設ける。 【選択図】図1
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