公开(公告)号：JPWO2018164267A1

公开(公告)日：2020-01-09

申请号：JP2018009257

申请日：2018-03-09

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 野坂 直矢 ,  若松 剛史 ,  阿部 翼 ,  三浦 一裕 ,  江原 健悟 ,  中津 大貴 ,  中川 大樹

IPC: G03F7/20 ,  C07C13/547 ,  G03F7/11

Abstract: 平坦性に優れると共に溶媒耐性、耐熱性及びエッチング耐性に優れるレジスト下層膜を形成できるレジスト下層膜形成用組成物の提供を目的とする。本発明は、下記式(1)で表される部分構造を有する化合物と、溶媒とを含有するレジスト下層膜形成用組成物である。下記式(1)中、Xは、下記式(i)、(ii)、(iii)又は(iv)で表される基である。下記式(i)中、R 1 及びR 2 は、それぞれ独立して、水素原子、ヒドロキシ基、置換若しくは非置換の炭素数1〜20の1価の脂肪族炭化水素基又は置換若しくは非置換の炭素数7〜20のアラルキル基であるか、又はR 1 とR 2 とが互いに合わせられこれらが結合する炭素原子と共に構成される環員数3〜20の環構造の一部を表す。但し、R 1 及びR 2 が、水素原子、ヒドロキシ基又はこれらの組み合わせである場合を除く。

公开(公告)号：JP6963187B2

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：JP2018539694

申请日：2017-09-08

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 高梨 和憲 ,  中津 大貴 ,  酒井 一憲 ,  三浦 一裕

IPC: C07D265/16 ,  C07D265/12 ,  C07D413/14 ,  C08F8/32 ,  G03F7/11

公开(公告)号：JPWO2018051930A1

公开(公告)日：2019-07-04

申请号：JP2017032592

申请日：2017-09-08

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 高梨 和憲 ,  中津 大貴 ,  酒井 一憲 ,  三浦 一裕

IPC: C07D265/16 ,  C07D265/12 ,  C07D413/14 ,  C08F8/32 ,  G03F7/11

Abstract: 平坦性に優れると共に溶媒耐性及びエッチング耐性に優れるレジスト下層膜を形成できるレジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法並びにパターニングされた基板の製造方法の提供を目的とする。本発明は、芳香環に縮合したオキサジン環を有する第1化合物と、溶媒とを含有するレジスト下層膜形成用組成物である。上記第1化合物は、下記式(1)で表される部分構造を有することが好ましい。下記式(1)中、R 2 〜R 5 は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1〜20の1価の有機基である。Ar 1 は、炭素数6〜20のアレーンから(n+3)個又は(n+2)個の芳香環上の水素原子を除いた基である。R 6 は、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は炭素数1〜20の1価の有機基である。nは、0〜9の整数である。