公开(公告)号：JPWO2020008965A1

公开(公告)日：2021-07-08

申请号：JP2019025256

申请日：2019-06-25

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 青木 俊 ,  片切 崇 ,  高梨 和憲 ,  島 基之

IPC: H01L21/304

Abstract: 半導体基板の表面に基板処理膜を形成してこの基板表面の異物を除去するプロセスにおいて、基板表面の微小なパーティクルを効率よく除去でき、かつ形成された基板処理膜を基板表面から容易に除去することができる基板処理膜形成用組成物及び基板の処理方法の提供を目的とする。本発明は、基板に基板処理膜形成用組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成された基板処理膜に基板処理膜除去液を接触させる工程とを備える基板の処理方法に用いられる基板処理膜形成用組成物であって、樹脂と、溶媒とを含有し、上記溶媒が、標準沸点が175℃以上である第1溶媒成分を含み、上記樹脂100質量部に対する上記第1溶媒成分の含有量が1質量部以上である。

公开(公告)号：JP5999215B2

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：JP2015056994

申请日：2015-03-19

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 庵野 祐亮 ,  森 隆 ,  出井 慧 ,  高梨 和憲

IPC: C08K5/16 ,  H01L21/027 ,  C08L83/04

公开(公告)号：JP5776400B2

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：JP2011159331

申请日：2011-07-20

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 元成 正之 ,  高梨 和憲 ,  滝本 嘉夫

IPC: C01G41/02 ,  C01G41/00

公开(公告)号：JP5765298B2

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：JP2012135049

申请日：2012-06-14

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 庵野 祐亮 ,  森 隆 ,  榊原 宏和 ,  古川 泰一 ,  高梨 和憲 ,  田中 博允 ,  峯岸 信也

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/038 ,  H01L21/027 ,  G03F7/11

公开(公告)号：JP6963187B2

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：JP2018539694

申请日：2017-09-08

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 高梨 和憲 ,  中津 大貴 ,  酒井 一憲 ,  三浦 一裕

IPC: C07D265/16 ,  C07D265/12 ,  C07D413/14 ,  C08F8/32 ,  G03F7/11

公开(公告)号：JPWO2019098109A1

公开(公告)日：2020-12-17

申请号：JP2018041410

申请日：2018-11-07

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 野坂 直矢 ,  松村 裕史 ,  中津 大貴 ,  高梨 和憲 ,  中川 大樹

IPC: G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  G03F7/11

Abstract: 有機溶媒耐性を維持しつつ、平坦性及びパターンの曲り耐性に優れるレジスト下層膜を形成できるレジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜、レジスト下層膜の形成方法、パターニングされた基板の製造方法及び化合物の提供を目的とする。本発明は、下記式(1)で表される化合物と、溶媒とを含有するレジスト下層膜形成用組成物である。下記式(1)中、Ar 1 は、環員数5〜20のm価の芳香族複素環基である。mは、1〜11の整数である。Ar 2 は、Ar 1 における芳香族複素環の炭素原子に結合する基であって、環員数6〜20の(n+1)価の芳香族炭素環基又は環員数5〜20の(n+1)価の芳香族複素環基である。nは、0〜12の整数である。R 1 は、炭素数1〜20の1価の有機基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子又はニトロ基である。

公开(公告)号：JP6311702B2

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：JP2015508171

申请日：2014-02-18

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 中川 恭志 ,  酒井 達也 ,  栗田 俊輔 ,  出井 慧 ,  高梨 和憲 ,  滝本 嘉夫 ,  元成 正之

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/11

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C07F5/00 ,  C07F5/003 ,  C07F5/06 ,  C07F7/28 ,  C07F9/00 ,  C07F11/00 ,  C07F13/00 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/09 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/36 ,  H01L21/0332

公开(公告)号：JP5938989B2

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：JP2012078446

申请日：2012-03-29

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 高梨 和憲 ,  滝本 嘉夫 ,  森 隆 ,  栗田 俊輔 ,  元成 正之

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/32 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  G03F7/11

公开(公告)号：JP2015087644A

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：JP2013227511

申请日：2013-10-31

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 宮田 拡 ,  高梨 和憲 ,  庵野 祐亮

IPC: G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  G03F7/038

Abstract: 【課題】膜減りを抑制し、エッチング耐性、露光余裕度に優れる感放射線性樹脂組成物を提供する。 【解決手段】酸解離性基を含む第1構造単位を有する重合体、感放射線性酸発生体、及び溶媒を含有し、酸解離性基が、相互に又は多官能性化合物と反応しうる官能基を有する。 【選択図】なし

Abstract translation: 要解决的问题：提供抑制膜厚度降低并且具有优异的耐蚀刻性和曝光余量的辐射敏感性树脂组合物。解决方案：辐射敏感性树脂组合物包含具有第一结构单元的聚合物，该第一结构单元包含酸解离基团， 辐射敏感性酸产生剂和溶剂。 酸解离基具有可以彼此反应或与多官能化合物反应的官能团。

公开(公告)号：JPWO2019049795A1

公开(公告)日：2020-11-19

申请号：JP2018032434

申请日：2018-08-31

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 中津 大貴 ,  高梨 和憲 ,  酒井 一憲 ,  松村 裕史 ,  中川 大樹

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  C08G83/00 ,  C09D201/02

Abstract: 溶媒耐性を維持しつつ、平坦性、ウェット剥離耐性及びパターンの曲り耐性に優れる膜を形成できる組成物、膜、膜の形成方法及びパターニングされた基板の製造方法の提供を目的とする。本発明は、下記式(1)で表される基を有し、分子量が200以上であり、炭素原子の含有率が40質量%以上である化合物と、溶媒とを含有する組成物である。下記式(1)中、R 1 及びR 2 は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20の1価の炭化水素基若しくは炭素数1〜20の1価のフッ素化炭化水素基であるか、又はこれらの基が互いに合わせられこれらが結合する炭素原子と共に構成される環員数3〜20の脂環構造の一部である。Ar 1 は、環員数6〜20のアレーン又はヘテロアレーンから(n+3)個の水素原子を除いた基である。Xは、酸素原子、−CR 3 R 4 −、−CR 3 R 4 −O−又は−O−CR 3 R 4 −である。