公开(公告)号：JPWO2017213185A1

公开(公告)日：2019-04-04

申请号：JP2017021180

申请日：2017-06-07

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 守井 泰士 ,  小井土 由将

IPC: C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  C22C28/00 ,  C23C14/34

Abstract: この発明のスパッタリングターゲットは、AlとScとの合金からなり、Scを25原子%〜50原子%で含有するスパッタリングターゲットであって、酸素含有量が2000質量ppm以下であり、ビッカース硬さ(Hv)のばらつきが20%以下である。

公开(公告)号：JP6262332B2

公开(公告)日：2018-01-24

申请号：JP2016510100

申请日：2015-02-06

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 小井土 由将

IPC: C22C21/00 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  B22F9/04 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22D7/005 ,  B22F3/14 ,  B22F9/04 ,  B22F9/22 ,  B22F2201/013 ,  B22F2201/10 ,  B22F2201/20 ,  B22F2301/052 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/205 ,  B22F2304/058 ,  B22F2304/10 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/02 ,  C22C1/04 ,  C22C21/00 ,  C22C28/00 ,  C22C30/02 ,  C23C14/14 ,  G11B9/04 ,  H01L45/04 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

公开(公告)号：JP2021028411A

公开(公告)日：2021-02-25

申请号：JP2019148037

申请日：2019-08-09

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 森 雄太郎 ,  吉田 征央 ,  小井土 由将

IPC: C04B35/645 ,  B22D23/00 ,  B22F3/10 ,  B22F9/04 ,  C22C28/00 ,  C23C14/34

Abstract: 【課題】Cr、Ge及びTeを含有するスパッタリングターゲット及び、そのスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 【解決手段】スパッタリングターゲットであって、Cr、Ge及びTeを含有し、X線回折法で測定されるCrGeTe 3 の(113)面の回折ピークの積分強度I(113)と、Cr 3 Te 4 の(204)面の回折ピークの積分強度I(204)との強度比I(113)/I(204)が、15以上である。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2019173048A

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：JP2018059072

申请日：2018-03-26

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 小井土 由将

IPC: C23C14/34

Abstract: 【課題】成膜時にパーティクルの発生を効率的に低減することが可能なスパッタリングターゲット部材及びその製造方法の提供。 【解決手段】純度が99.9質量%以上のマグネシウムで形成されたスパッタリングターゲット部材であって、マグネシウムの平均結晶粒径は、42μm以下である。スパッタリングターゲット部材の製造方法は、溶解工程S110と鍛造工程S120と圧延工程S130と仕上げ加工工程S140とを含み、圧延工程S130において100〜450℃の材料温度で圧延して圧延材を得ることにより、スパッタリングターゲット部材を形成するマグネシウムの平均結晶粒径を効率的に微細化する製造方法。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2016190757A

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：JP2015071530

申请日：2015-03-31

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 小井土 由将

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C04B35/453

Abstract: 【課題】高速かつ安定した成膜が可能なZnO−MgO系スパッタリングターゲット、ターゲットを作製するための焼結体、及び、焼結体の製造方法の提供。 【解決手段】MgをMgO換算で3〜50mol%含有し、残部がZnO及び不可避的不純物からなり、X線回折ピークにおいて、ZnO−MgO焼結体でのMgO相のピーク強度をI1とし、焼結体中のMgとZnの比と同等の比となるZnO粉とMgO粉の混合粉(いずれもランダム方位を持つ)でのMgO相のピーク強度をI2とした場合、0.01≦I1/I2≦1.00を満たすZnO−MgO系焼結体。 【選択図】なし

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供能够高速稳定地形成膜的ZnO-MgO系溅射靶，制造靶的烧结体和烧结体的制造方法。提供了一种ZnO-MgO 基于MgO的MgO为3〜50摩尔％，ZnO为不可避免的杂质，满足0.01≤I1/I2≤1.00，其中，I1为ZnO-MgO烧结体中MgO相的峰强度， I2是ZnO粉末和MgO粉末（分别具有随机方向）的混合粉末中的MgO相的峰值强度，其比例等于烧结体中的Mg和Zn在X射线衍射峰中的比率。选择的图 ： 没有

公开(公告)号：JP6960363B2

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：JP2018063008

申请日：2018-03-28

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 村田 周平 ,  小井土 由将 ,  浅野 孝幸 ,  神永 賢吾

IPC: C25D17/10

公开(公告)号：JP2019173104A

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：JP2018063008

申请日：2018-03-28

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 村田 周平 ,  小井土 由将 ,  浅野 孝幸 ,  神永 賢吾

IPC: C25D17/10

Abstract: 【課題】Cuアノードに代わる新たな電気めっきのアノードであって、且つ、めっき不良を抑制することが可能なアノードを提供する。 【解決手段】硝酸濃度20質量%の希硝酸で溶解した後、液中パーティクルカウンターによってJIS B 9925に基づいて測定した、粒径が0.5μm以上のパーティクルの数が、6000個/g以下であるCoアノード。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6037421B2

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：JP2016510132

申请日：2015-02-20

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 小井土 由将

IPC: C22C28/00 ,  C22C12/00 ,  B22F3/14 ,  C22C1/04 ,  C22C32/00 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22F3/15 ,  B22F9/04 ,  B22F9/082 ,  C22C1/04 ,  C22C12/00 ,  C22C28/00 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/10 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414 ,  B22F2009/044 ,  B22F2009/0848

公开(公告)号：JP6537715B2

公开(公告)日：2019-07-03

申请号：JP2018517456

申请日：2017-12-06

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 小井土 由将

IPC: C04B35/111 ,  C23C14/34

公开(公告)号：JPWO2018168111A1

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：JP2017043730

申请日：2017-12-06

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 小井土 由将

IPC: C04B35/111 ,  C23C14/34

Abstract: 純度が99.99wt%以上であり、相対密度が85%以上、95%以下であって、体積抵抗率が10×10 14 Ω・cm以下、誘電正接が15×10 −4 以上、であることを特徴とするAl 2 O 3 スパッタリングターゲット。本発明は、良好なスパッタリング特性を有するAl 2 O 3 スパッタリングターゲット、特に、スパッタパワーを上げなくても、成膜レートを高めることができる、Al 2 O 3 スパッタリングターゲット、及びその製造方法を提供することを課題とする。 【選択図】なし