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1.

发明专利
半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法に用いられる感光性組成物有权

公开(公告)号：JPWO2011092994A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：JP2011551717

申请日：2010-12-28

Applicant: Jsr株式会社 , Jsr株式会社

Inventor： 宏和伊東 , 宏和伊東 , 石川　悟司 , 悟司石川 , 哲也山村 , 哲也山村 , 政暁花村 , 政暁花村 , 雄一朗有村 , 雄一朗有村

IPC: H01L33/14

CPC classification number: G03F7/0757 , G03F7/038 , G03F7/0388 , H01L33/007 , H01L33/145

Abstract: 本発明は、電流阻止層を有する半導体発光素子の製造方法において、エッチングなどのプロセスを介さず、種々の位置や層上に種々の形状の電流阻止層を形成することが可能な、半導体発光素子の製造方法、当該半導体発光素子の製造方法によって得られる半導体発光素子、および当該半導体発光素子の製造方法に用いられる感光性組成物を提供することを目的とする。本発明は、電流阻止層を有する半導体発光素子の製造方法において、リソグラフィー法により感光性組成物から得られるパターンを形成し、該パターンを電流阻止層とすることを特徴とする。

2.

发明专利
半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法に用いられる感光性組成物有权
Title translation: 制造在制造半导体发光器件的方法中使用的半导体发光元件，光敏组合物和半导体发光元件的方法

公开(公告)号：JP5673562B2

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：JP2011551717

申请日：2010-12-28

Applicant: Jsr株式会社 , Jsr株式会社

Inventor： 宏和伊東 , 宏和伊東 , 石川　悟司 , 悟司石川 , 哲也山村 , 哲也山村 , 政暁花村 , 政暁花村 , 雄一朗有村 , 雄一朗有村

IPC: H01L33/14

CPC classification number: G03F7/0757 , G03F7/038 , G03F7/0388 , H01L33/007 , H01L33/145

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