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公开(公告)号：JP2016057416A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014182796
申请日：2014-09-08
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027 , C09K3/00 , G03F7/004
Abstract: 【課題】高い感度で、LWRが小さいレジストパターンを形成できる感放射線性樹脂組成物の提供を目的とする。 【解決手段】本発明は、赤外線を照射する工程を備えるレジストパターン形成方法に用いられ、酸解離性基を有する重合体、感放射線性酸発生体、カルボニル基及び窒素原子を有する化合物、及び溶媒を含有する感放射線性樹脂組成物である。上記化合物は、2,500nm以上6,700nm以下の範囲に吸収ピークを有することが好ましい。上記化合物は、2,800nm以上3,200nm以下の範囲、5,500nm以上6,500nm以下の範囲又はこれらの両方に吸収ピークを有することがより好ましい。上記カルボニル基が酸解離性基を構成するとよい。 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够以高灵敏度形成具有小LWR的抗蚀剂图案的辐射敏感性树脂组合物。解决方案：该辐射敏感性树脂组合物用于抗蚀剂图案形成方法，包括以下步骤： 并且包括具有酸解离基团的聚合物，辐射敏感性酸产生剂，具有羰基和氮原子的化合物和溶剂。 上述化合物优选具有在2500nm至6700nm范围内的吸收峰。 更优选地，该化合物在2800nm至3200nm的范围和550nm至6500nm的范围内具有吸收峰。 羰基优选构成酸解离基团。选择图：无
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公开(公告)号：JP2016057414A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014182791
申请日：2014-09-08
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027 , G03F7/38
Abstract: 【課題】レジストパターンの粗密バイアスが小さい感放射線性樹脂組成物の提供を目的とする。 【解決手段】本発明は、赤外線を照射する工程を備えるレジストパターン形成方法に用いられ、多環構造を含む構造単位を有する重合体、感放射線性酸発生体、及び溶媒を含有する感放射線性樹脂組成物である。上記多環構造が極性を有することが好ましい。上記多環構造としてはラクトン構造が好ましい。上記重合体は酸解離性基を有することが好ましい。 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题：提供具有抗蚀图案的异/致密偏差小的辐射敏感性树脂组合物。解决方案：该辐射敏感性树脂组合物用于抗蚀剂图案形成方法，包括红外辐射步骤， 并且包括具有包括多环结构，辐射敏感性酸产生剂和溶剂的结构单元的聚合物。 多环结构优选具有极性。 多环结构优选为内酯结构。 聚合物优选具有酸解离基团。选择图：无
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公开(公告)号：JP5720692B2
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：JP2012536569
申请日：2011-09-29
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/11
CPC classification number: C09D133/16 , C08F20/28 , G03F7/11 , G03F7/2041
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公开(公告)号：JP2018124354A
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：JP2017014926
申请日：2017-01-30
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 【課題】簡易な手段により基板に対する高い汚染抑制効果を得ることができるレジスト膜形成方法及び保護膜形成用組成物を提供する。 【解決手段】本発明は、保護膜形成用組成物により基板の裏面部に保護膜を形成する工程と、感放射線性組成物により上記基板表面にレジスト膜を形成する工程と、保護膜除去液により上記保護膜を除去する工程とを備え、上記保護膜形成用組成物が、樹脂と、溶媒とを含有し、上記保護膜形成用組成物における金属の含有量が100ppb以下であり、上記樹脂の分子量が30000以下であり、上記感放射線性組成物が、金属化合物を含有するレジスト膜形成方法である。上記保護膜を除去する工程を行う前に、上記保護膜上に形成された上記レジスト膜をレジスト膜除去液により除去する工程をさらに備えるとよい。上記保護膜形成用組成物に含まれる全固形分に対する上記樹脂の含有量としては、95%以上が好ましい。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2016033198A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：JP2014157071
申请日：2014-07-31
Applicant: JSR株式会社
IPC: C11D3/43 , C11D3/20 , H01L21/304 , C11D3/37
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D11/0058 , C11D3/373 , C11D7/50
Abstract: 【課題】半導体基板表面に膜を形成して基板表面の異物を除去するプロセスにおいて、基板表面のパーティクルを効率よく除去でき、かつ形成された膜を基板表面から容易に除去することができる半導体基板洗浄用組成物を提供する。 【解決手段】本発明は、溶媒と、フッ素原子、ケイ素原子又はこれらの組み合わせを含む重合体とを含有する半導体基板洗浄用組成物である。上記溶媒中の水の含有量としては20質量%以下が好ましい。重合体でない有機酸をさらに含有するとよい。上記有機酸としては多価カルボン酸が好ましい。上記重合体の酸解離定数が上記有機酸の酸解離定数よりも小さいとよい。上記有機酸の25℃における水に対する溶解度としては5質量%以上が好ましい。上記有機酸は25℃において固体であるとよい。 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于清洁半导体衬底的组合物，其可以有效地去除衬底表面上的颗粒，并且可以在表面上形成膜的过程中容易地从衬底表面去除形成的膜 并除去衬底表面上的异物。溶液：用于清洁半导体衬底的组合物含有溶剂和含有氟原子，硅原子或其组合的聚合物。 溶剂中的水的含量优选为20质量％以下。 优选还含有不是聚合物的有机酸。 有机酸优选包含多元羧酸。 聚合物的酸解离常数优选小于有机酸的酸解离常数。 有机酸相对于25℃的水的溶解度优选为5质量％以上。 有机酸在25℃下优选为固体。选择图：无
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP5783118B2
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：JP2012082825
申请日：2012-03-30
Applicant: JSR株式会社
IPC: C08F220/38 , C08F220/36 , G03F7/039
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公开(公告)号：JP2016034006A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：JP2014157194
申请日：2014-07-31
Applicant: 東京エレクトロン株式会社 , JSR株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02057 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/6715
Abstract: 【課題】高いパーティクル除去性能を得ることができること。 【解決手段】実施形態に係る基板洗浄方法は、成膜処理液供給工程と、除去液供給工程とを含む。成膜処理液供給工程は、有機溶媒と、フッ素原子を含み上記有機溶媒に可溶な重合体とを含有する成膜処理液を基板へ供給する。除去液供給工程は、成膜処理液が基板上で固化または硬化してなる処理膜に対して処理膜を除去する除去液を供給する。 【選択図】図5
Abstract translation: 要解决的问题：获得高颗粒去除性能。解决方案：根据实施方案的基板清洗方法包括沉积处理液体供给步骤和去除液体供应步骤。 在沉积处理液供给工序中，向基板供给含有有机溶剂和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物的沉积处理液。 在去除液体供给步骤中，将用于除去通过固化或固化基板上的沉积处理液而获得的处理膜的去除液体被供应到处理膜。选择的图示：图5
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公开(公告)号：JP2016133743A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2015009889
申请日：2015-01-21
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/039 , H01L21/027 , G03F7/38
Abstract: 【課題】レジストパフォーマンスを向上させることができる上、生産性を低下させることなく、既存の塗布装置に適用でき、かつ高膜厚のレジストパターンを形成することができるレジストパターン形成方法を提供する 【解決手段】本発明は、化学増幅型フォトレジスト組成物によりレジスト膜を形成する工程、上記レジスト膜を加熱する工程(1)、上記レジスト膜を除熱した後、加熱する工程(2)、上記レジスト膜を248nm以下の波長で露光する工程、及び上記露光されたレジスト膜を現像する工程を備えるレジストパターン形成方法であって、上記レジスト膜の膜厚が7μm以上であることを特徴とする。上記レジストパターン形成方法における上記工程(2)の後に、更に上記レジスト膜を除熱した後加熱する工程(X)を少なくとも1回以上有することが好ましい。 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种形成抗蚀剂图案的方法，其可以提高抗蚀剂性能，而不会降低生产率，并且可以形成具有大膜厚度的抗蚀剂图案。方法：该方法 用于形成本发明的抗蚀剂图案的步骤包括从化学放大光致抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜的步骤，加热抗蚀剂膜的步骤（1），从抗蚀剂膜除去热量然后加热的步骤（2） 抗蚀剂膜，将抗蚀剂膜曝光于248nm以下的波长的步骤，以及使抗蚀剂膜的膜厚为7μm以上的曝光的抗蚀剂膜的显影步骤。 形成抗蚀剂图案的方法优选包括在上述步骤（2）之后的至少一个步骤（X）的时间，进一步从抗蚀剂膜中除去热量，然后加热抗蚀剂膜。选择图：无
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