公开(公告)号：JP6015931B2

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：JP2012272158

申请日：2012-12-13

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 櫛田 悠貴 ,  星野 基樹 ,  篠村 尚志 ,  野田 昌宏 ,  金野 智久

IPC: B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

公开(公告)号：JP5927806B2

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：JP2011177933

申请日：2011-08-16

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 佐藤 慶一 ,  窪田 清信 ,  野田 昌宏 ,  金野 智久

IPC: B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

公开(公告)号：JP5915842B2

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：JP2011281528

申请日：2011-12-22

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 森 康真 ,  西元 和男 ,  山中 達也 ,  金野 智久 ,  星野 基樹

IPC: B24B37/00 ,  B24B37/11 ,  H01L21/304

公开(公告)号：JP5926732B2

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：JP2013531949

申请日：2011-10-03

Applicant: インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション ,  INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  JSR株式会社

Inventor： 安藤 崇志 ,  チャーン、レスリー ,  カミングス、ジェーソン ,  ハプカ、ジューカス、ジェイ ,  コリ、ディネシュ、アール ,  金野 智久 ,  クリシュナン、マハデバイヤル ,  ロファロ、マイケル、エフ ,  ナラスコフスキー、ジャクブ ,  野田 昌宏 ,  ペニガラパティ、ディネシュ、ケー ,  山中 達也

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653

公开(公告)号：JP5907333B2

公开(公告)日：2016-04-26

申请号：JP2011180218

申请日：2011-08-22

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 星野 基樹 ,  櫛田 悠貴 ,  野田 昌宏 ,  金野 智久

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

公开(公告)号：JP5915843B2

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：JP2011551802

申请日：2011-01-17

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 竹村 彰浩 ,  吉尾 浩平 ,  山中 達也 ,  金野 智久

IPC: B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B13/015 ,  B24B29/02 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

公开(公告)号：JP2015074737A

公开(公告)日：2015-04-20

申请号：JP2013212788

申请日：2013-10-10

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 河本 達慶 ,  山中 達也 ,  金野 智久

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

Abstract: 【課題】従来のスラリー等で化学機械研磨において、エッチング性が高くソースやドレイン上に形成されるIII−V族メタル膜の平滑性が損われる。III−V族材料のエッチングを低減でき、かつ、III−V族材料を高速で研磨できる化学機械研磨用水系分散体、及びそれを用いた化学機械研磨方法の提供。 【解決手段】III−V族材料20を有する被研磨面を研磨する為の化学機械研磨用水系分散体であって、(A)砥粒と(B)C3〜8のヒドロキシアルキル基を有するアルカノールアミンと(C)酸化剤とを含有する化学機械研磨用水系分散体。(A)砥粒がコロイダルシリカで、二次粒子径が10〜150nmであり、(B)成分がモノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン及びトリイソプロパノールアミンからなる群から選択される少なくとも一種の化合物であり、(C)酸化剤が過酸化水素である、化学機械研磨用水系分散体。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于化学机械抛光的水分散体，其解决了常规化学机械抛光方法中形成的源或漏上的III-V族金属膜的高蚀刻和合成损伤的问题， 一种浆料，可以减少III-V族材料的蚀刻，并允许III-V族材料的高速抛光和使用它的化学机械抛光方法。解决方案：用于化学机械抛光的水分散体用于抛光待抛光 包含III-V族材料20的表面，并且包含（A）磨粒，（B）具有3-8C羟烷基的链烷醇胺和（C）氧化剂。 磨粒（A）为胶体二氧化硅，二次粒径为10-150nm。 成分（B）是一种或多种选自单异丙醇胺，二异丙醇胺和三异丙醇胺的化合物。 氧化剂（C）是过氧化氢。