公开(公告)号：JP2018182337A

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：JP2018139075

申请日：2018-07-25

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 遠藤 佑太 ,  齋藤 隆行 ,  山崎 舜平

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： 【課題】微小化されたトランジスタはゲート絶縁層の薄膜化を要求されるが、トンネル電 流、つまりゲートリーク電流の増加により、ゲート絶縁層が酸化珪素膜の単層である場合 はゲート絶縁層の薄膜化には物理的限界が生じつつある。 【解決手段】ゲート絶縁層に比誘電率が10以上のhigh−k膜を用いることで、微小 化したトランジスタのゲートリーク電流を低減させる。酸化物半導体層と接する第2の絶 縁層よりも比誘電率が高い第1の絶縁層としてhigh−k膜を用いることによって、酸 化珪素膜で換算した場合のゲート絶縁層よりもゲート絶縁層の薄膜化ができる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018139294A

公开(公告)日：2018-09-06

申请号：JP2018071434

申请日：2018-04-03

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎 舜平

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/20 ,  H01L21/477 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78693 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 【課題】微細化による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。 【解決手段】第1の領域と、第1の領域の側面に接した一対の第2の領域と、一対の第2 の領域の側面に接した一対の第3の領域と、を含む酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上 に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に第1の領域と重畳した第1の電極と、を 有し、第1の領域は、CAAC酸化物半導体領域であり、一対の第2の領域及び一対の第 3の領域は、ドーパントを含む非晶質な酸化物半導体領域であり、一対の第3の領域のド ーパント濃度は、一対の第2の領域のドーパント濃度より高い半導体装置である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018129503A

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：JP2017232262

申请日：2017-12-04

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎 舜平 ,  遠藤 佑太 ,  及川 欣聡

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/0228 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/786

摘要： 【課題】良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。 【解決手段】絶縁体214および絶縁体216と、絶縁体214および絶縁体216に埋め込まれるように配置された導電体205と、絶縁体216と導電体205の上に配置された絶縁体220と、絶縁体220の上に配置された絶縁体222と、絶縁体222の上に配置された絶縁体224と、絶縁体224の上に配置された酸化物230(酸化物230a、および酸化物230b)と、酸化物230の上に配置された絶縁体250と、絶縁体250の上に配置された導電体260(導電体260a、および導電体260b)と、導電体260の上に配置された絶縁体270と、少なくとも絶縁体250、および導電体260の側面に接して配置された絶縁体272と、酸化物230、および絶縁体272と接して配置された絶縁体274と、を有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6357261B2

公开(公告)日：2018-07-11

申请号：JP2017074458

申请日：2017-04-04

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 井本 裕己 ,  佐藤 裕平

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：JP2018098502A

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：JP2017235392

申请日：2017-12-07

申请人： ツィンファ ユニバーシティ ,  鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司

发明人： 霍 雨佳 ,  趙 宇丹 ,  肖 小陽 ,  王 営城 ,  張 天夫 ,  金 元浩 ,  李 群慶 ,  ▲ハン▼ 守善

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02568 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0558 ,  H01L2251/303

摘要： 【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。 【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、基板、ゲート電極、誘電層、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含む。前記ゲート電極が前記基板の表面に設置される。前記誘電層が前記基板に設置され、前記ゲート電極を被覆し、前記誘電層が二層の構造であり、積層して設置された第一サブ誘電層及び第二サブ誘電層を含む。前記半導体層が前記誘電層の前記基板から離れる表面に設置され、複数のナノ半導体材料を含む。前記ソース電極及び前記ドレイン電極が前記誘電層の前記基板から離れる表面に間隔をあけて設置され、それぞれ前記半導体層と電気的に接続される。前記第一サブ誘電層が特異のヒステリシス材料層であり、前記ゲート電極と直接に接触して、前記第二サブ誘電層が正常のヒステリシス材料層であり、前記第一サブ誘電層と前記半導体層との間に設置される。また、本発明は、薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 【選択図】図11

公开(公告)号：JP6343256B2

公开(公告)日：2018-06-13

申请号：JP2015109470

申请日：2015-05-29

申请人： 東芝メモリ株式会社

发明人： 池野 大輔 ,  北村 政幸 ,  坂田 敦子

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/11582

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/764 ,  H01L21/76846 ,  H01L27/11565 ,  H01L29/45 ,  H01L29/495 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926

公开(公告)号：JP6311033B2

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：JP2016562121

申请日：2014-12-02

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 山口 直

IPC分类号： H01L27/11573 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/11568

CPC分类号： H01L29/7845 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28568 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L28/00 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545

公开(公告)号：JP6309818B2

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：JP2014103198

申请日：2014-05-19

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎 舜平 ,  須澤 英臣 ,  岡崎 豊

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78606 ,  H01L27/1052 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：JP2018056175A

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：JP2016186996

申请日：2016-09-26

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 村中 誠志

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67086 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7833

摘要： 【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。 【解決手段】半導体基板SB上に、シリコンからなるダミーゲート電極であるゲート電極DGを形成してから、イオン注入法により、半導体基板SBにMISFETのソースまたはドレイン用の半導体領域を形成する。それから、半導体基板SB上に、ゲート電極DGを覆うように、絶縁膜IL1を形成してから、絶縁膜IL1を研磨してゲート電極DGを露出させる。それから、ゲート電極DGの表面をAPMによりウェットエッチングしてから、アンモニア水を用いたウェットエッチングによりゲート電極DGを除去する。その後、ゲート電極DGが除去された領域に、MISFET用のゲート電極を形成する。 【選択図】図17

公开(公告)号：JP6305294B2

公开(公告)日：2018-04-04

申请号：JP2014190929

申请日：2014-09-19

申请人： 株式会社東芝

发明人： 清水 達雄

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/322 ,  H01L21/316 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/049 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/3211 ,  H01L21/324 ,  H01L29/045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813