公开(公告)号：JP2013070072A

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：JP2012249543

申请日：2012-11-13

申请人： National Univ Of Singapore ,  ナショナル ユニヴァーシティー オブ シンガポール

发明人： JIN CHUA SOO ,  CHO HAI-RONG ,  LIN ZHANG-YIH ,  PAN HUI

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0087 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of fabricating a zinc oxide semiconductor epilayer on a patterned gallium nitride template.SOLUTION: The method comprises the steps of: (1) growing a gallium nitride layer 103 on a substrate 101 comprising a sapphire substrate 101a at or above 1000°C; (2) patterning a SiOmask 105 into openings 107 oriented on the gallium nitride 103; (3) performing epitaxial lateral overgrowth of (ELO) gallium nitride layers by controlling crystal planes via choosing a growth temperature and a reactor, to form a gallium nitride layer 109 (template) grown through an array of the openings 107 from the gallium nitride layer 103; and (4) depositing a single crystal zinc oxide semiconductor layer 111 on the gallium nitride template.

摘要翻译： 要解决的问题：提供在图案化的氮化镓模板上制造氧化锌半导体外延层的方法。 解决方案：该方法包括以下步骤：（1）在包括蓝宝石衬底101a或1000℃以上的衬底101上生长氮化镓层103; （2）将SiO 2 掩模105图案化成定向在氮化镓103上的开口107; （3）通过选择生长温度和反应器控制晶面来进行（ELO）氮化镓层的外延横向过度生长，以形成通过来自氮化镓层的开口107的阵列生长的氮化镓层109（模板） 103; 和（4）在氮化镓模板上沉积单晶氧化锌半导体层111。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT