公开(公告)号：JP6429783B2

公开(公告)日：2018-11-28

申请号：JP2015538471

申请日：2013-10-25

申请人： コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ エナジーズ アルタナティブス ,  アレディア

发明人： ヨト,べランジェール ,  アムスタット,ブノワ ,  アルマン,マリー−フランソワーズ ,  デュポン,フローリアン

IPC分类号： C23C14/04 ,  C23C14/06 ,  H01L21/205 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0676 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  C30B25/005 ,  C30B25/183 ,  C30B29/16 ,  C30B29/36 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/401 ,  H01L29/413 ,  H01L29/6609 ,  H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/24 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/84 ,  Y10S977/932

公开(公告)号：JP2018172284A

公开(公告)日：2018-11-08

申请号：JP2018148896

申请日：2018-08-07

申请人： 住友化学株式会社

发明人： 佐沢 洋幸

IPC分类号： C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38

CPC分类号： H01L29/0684 ,  C23C16/303 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/7786

摘要： 【課題】窒化物半導体結晶層の下地層に不純物原子が導入された場合であっても、反り量の制御効果が失われない層構造を提供する。 【解決手段】第1超格子層が、第1層および第2層からなる第1単位層を複数有し、第2超格子層が、第3層および第4層からなる第2単位層を複数有し、第1層が、Al x1 Ga 1−x1 N(0

y1Ga
1−y1 N(0≦y1 y1)からなり、第3層が、Al
x2 Ga
1−x2 N(0

y2Ga
1−y2 N(0≦y2 y2)からなり、第1超格子層の平均格子定数と第2超格子層の平均格子定数とが異なり、第1超格子層および第2超格子層から選択された1以上の層に、耐電圧を向上する不純物原子が、7×10
18 [atoms/cm
3 ]を超える密度で含まれる半導体基板を提供する。
【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018529610A

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：JP2018504896

申请日：2016-08-01

申请人： クラヨナノ エーエス ,  ノルウェージャン ユニバーシティ オブ サイエンス アンド テクノロジー(エヌティーエヌユー)

发明人： キム、ドン−チョル ,  ホーイアース、イダ マリー ,  ムンシ、マジィド ,  フィムランド、ビョルン オヴェ ,  ヴェマン、ヘルゲ ,  レン、ディンディン ,  デーラージ、ダサ

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/10 ,  H01L33/32 ,  C30B25/18 ,  C30B29/42 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/203 ,  C30B29/40

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639

摘要： (I)グラファイト基板を準備し、高温で前記グラファイト基板上にAlGaN、InGaN、AlN又はAlGa(In)Nを堆積し、前記化合物のバッファ層又はナノスケール核生成アイランドを形成することと、(II)好ましくはMOVPE又はMBEにより、グラファイト基板上の前記バッファ層又は核生成アイランド上に、複数の半導体III−V族ナノワイヤ又はナノピラミッド、好ましくはIII族窒化物ナノワイヤ又はナノピラミッドを成長させることとを含む、ナノワイヤ又はナノピラミッドの成長方法。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6394170B2

公开(公告)日：2018-09-26

申请号：JP2014164068

申请日：2014-08-12

申请人： TDK株式会社

发明人： 山沢 和人 ,  大井戸 敦 ,  川崎 克己

IPC分类号： C30B25/18 ,  C30B19/12 ,  C30B29/38

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B1/02 ,  C30B1/10 ,  C30B19/12 ,  C30B25/18 ,  C30B29/20 ,  C30B29/38 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02658

公开(公告)号：JP2018117064A

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：JP2017007386

申请日：2017-01-19

申请人： 住友電気工業株式会社

发明人： 中田 健

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/246 ,  H01L29/32 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7787

摘要： 【課題】高周波特性の改善と、コンタクト抵抗の安定的な低減との両立が実現可能な窒化物半導体デバイス及び窒化物半導体デバイスの製造方法を提供する。 【解決手段】窒化物半導体デバイスの製造方法は、炭化ケイ素(SiC)基板22の上に1050℃以下の成長温度にて、600nm以下の厚さを有するGaNチャネル層24を成長する工程と、50Torr以下の成長圧力であって、水素(H 2 )及びアンモニア(NH 3 )の合計流量で実質的に決定される全体流量に対してアンモニア(NH 3 )の流量が10%以下である条件にて、GaNチャネル層24上にAlN層25を成長する工程と、を備える。 【選択図】図5

公开(公告)号：JP2018113286A

公开(公告)日：2018-07-19

申请号：JP2017001304

申请日：2017-01-06

申请人： 住友電工デバイス・イノベーション株式会社

发明人： 松田 一

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/205 ,  H01L21/318 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462

摘要： 【課題】I−V特性を安定化し、かつリーク電流および電流コラプスを抑制することが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】基板10と、基板10上に設けられ最表面にn型窒化ガリウム層16を含む半導体積層体11と、半導体積層体11上に設けられたゲート電極24、ソース電極20、ドレイン電極22と、ドレイン電極22とソース電極20との間の窒化ガリウム層16上であって、ゲート電極24に離間して設けられた第1窒化シリコン膜30と、第1窒化シリコン膜30とゲート電極24の間の窒化ガリウム層16上に設けられた第2窒化シリコン膜32を含む。第1窒化シリコン膜30の窒素に対するシリコンの組成は、第2窒化シリコン膜32の窒素に対するシリコンの組成よりも大きく、第1窒化シリコン膜30と接触する窒化ガリウム層16の領域16aの酸素含有量は、第2窒化シリコン膜32と接触する窒化ガリウム層16の領域の酸素含有量より大きい。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP2018093113A

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：JP2016236874

申请日：2016-12-06

申请人： 株式会社サイオクス ,  住友化学株式会社 ,  国立大学法人三重大学

发明人： 藤倉 序章 ,  今野 泰一郎 ,  三宅 秀人

IPC分类号： C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02502 ,  C30B25/02 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  C30B29/68 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/3245 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20

摘要： 【課題】基板に凹凸パターンを形成した場合であっても、高品質な窒化物半導体テンプレートを容易に得ることができる技術を提供する。 【解決手段】基板として表面に凹凸パターンが形成されたパターン基板を用意する準備工程と、パターン基板の凹凸パターン上に、アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第一層をエピタキシャル成長させて形成するとともに、第一層の表面が平坦化しない厚さに第一層を形成する第一層形成工程と、第一層に対してアニール処理を行うアニール工程と、アニール工程を経た後の第一層に重ねるように、アルミニウムを含む窒化物半導体からなる第二層をエピタキシャル成長させて形成するとともに、第二層の表面が平坦化するような厚さに第二層を形成する第二層形成工程と、を経て窒化物半導体テンプレートを製造する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018093076A

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：JP2016235755

申请日：2016-12-05

申请人： 住友電気工業株式会社

发明人： 中田 健 ,  眞壁 勇夫

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/66462 ,  C30B25/16 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7787

摘要： 【課題】高い二次元電子濃度を維持しつつゲートリークを低減できる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】窒化物半導体装置の製造方法であって、基板10上にバッファ層11を成長させる第1工程と、バッファ層11上にGaNチャネル層12を成長させる第2工程と、GaNチャネル層12上にInAlGaNバリア層14を成長させる第3工程と、を備える。第3工程において、第1工程及び第2工程よりも成長温度を低くし、InAlGaNバリア層14のIn含有比率を多くとも14%とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018514498A

公开(公告)日：2018-06-07

申请号：JP2017558437

申请日：2016-05-11

申请人： アールエフエイチアイシー コーポレイション

发明人： フランシス,ダニエル

IPC分类号： C30B33/00 ,  C30B29/04 ,  C30B29/38

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/7624 ,  H01L23/3732 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/83052 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83224 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344

摘要： 半導体・オン・ダイヤモンド複合基板を製造する方法であって、当該方法は、(i)化合物半導体が上に配置されたネイティブ炭化ケイ素基板を有するネイティブ半導体ウエハから出発し、(ii)化合物半導体に炭化ケイ素キャリア基板を接合し、(iii)ネイティブ炭化ケイ素基板を除去し、(iv)化合物半導体の上に核生成層を形成し、(v)核生成層上に多結晶化学気相成長(CVD)ダイヤモンドを成長させて、複合ダイヤモンド−化合物半導体−炭化ケイ素ウエハを形成し、(vi)炭化ケイ素キャリア基板をレーザリフトオフによって除去して、核生成層を介して多結晶CVDダイヤモンドに接合された化合物半導体を有する層状構造を達成することを有し、ステップ(ii)において、炭化ケイ素キャリア基板は、レーザ光を吸収するレーザ吸収材料を介して化合物半導体に接合され、レーザ光は、炭化ケイ素キャリア基板の厚さよりも短いコヒーレンス長を持つ。

公开(公告)号：JP2018512744A

公开(公告)日：2018-05-17

申请号：JP2017560486

申请日：2016-02-10

申请人： アイビーム マテリアルズ,インク.

发明人： マティアス,ヴラジミール ,  ユン,クリストファー

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/34 ,  C30B25/06 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/16

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16

摘要： GaNまたは他のIII族窒化物(III−N)半導体などの六方晶エピタキシャル層、 配向テクスチャ加工層、および非単結晶基板を含む多層構造およびその製造方法。テクスチャ加工層は、好ましくは、イオンビームアシストデポジション(IBAD)テクスチャリングプロセスによって形成される結晶配列を有し、二軸配向され得る。テクスチャ加工層の面内結晶質組織は、高品質の六方晶材料の成長を可能にするほど十分に低いが、六方晶材料の要求される面内結晶質組織よりも依然としてかなり大きくなり得る。IBADプロセスは、低コストで大面積のフレキシブルな金属箔基板を、電子デバイス製造用の単結晶サファイアとシリコンの潜在的代替品として使用することを可能にし、スケールアップされたロールツーロール、シート/シート、または同様の製造プロセスを使用することができる。ユーザは、熱膨張係数が六方晶系エピタキシャル層の熱膨張係数とどれほど良好に整合するかなどの機械的および熱的特性の基板を選択することができ、その層とより密接に格子整合するテクスチャ加工層を選択することができる。【選択図】図1