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    表面処理装置
    2.
    发明专利
    表面処理装置 有权

    公开(公告)号：JP2018070979A

    公开(公告)日：2018-05-10

    申请号：JP2016215329

    申请日：2016-11-02

    申请人： 上村工業株式会社

    发明人： 内海 雅之 ,  谷川 正仁

    IPC分类号： H05K3/18 ,  C23C18/31

    CPC分类号： B05C5/002 ,  B05C3/09 ,  B05C5/0208 ,  B05C11/11 ,  B08B3/041 ,  B08B11/02 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/168 ,  C23C18/38 ,  C25D17/02 ,  C25D21/02

    摘要： 【課題】 不良の発生を抑えた表面処理装置を提供する。 【解決手段】 処理液は、槽4下部の処理液回収口・空気排出口13を通って、タンク15に蓄積される。処理液によって暖められた空気は、槽4下部の処理液回収口・空気排出口13を介してタンク15の上部(処理液の無い部分)に向い、排気ダクト17を介して排出される。このように、槽4において、温度が高くなって上に上がろうとする空気を下部から排出し上部から外気で置き換えるので、槽4の空気の温度を均一にすることができる。したがって、基板54の上部から下部に達する処理液の温度を、均一に保つことができる。槽4において、空気の流れを上部から下部へ向かうようにしているので、基板54が下方に引っ張られ、基板54の揺れを小さくすることができる。したがって、基板54が入口44や出口46に接触するおそれを低減することができる。 【選択図】 図7

    銀被覆粒子及びその製造方法
    5.
    发明专利
    銀被覆粒子及びその製造方法 审中-公开
    镀银颗粒及其制造方法

    公开(公告)号：JP2016146319A

    公开(公告)日：2016-08-12

    申请号：JP2015244052

    申请日：2015-12-15

    申请人： 三菱マテリアル株式会社

    发明人： 赤池 寛人 ,  山崎 和彦

    IPC分类号： G01N23/20 ,  H01B13/00 ,  H01B5/00

    CPC分类号： C23C18/28 ,  C23C18/1641 ,  C23C18/166 ,  C23C18/168 ,  C23C18/1683 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/285 ,  C23C18/44 ,  G01N23/20 ,  G01N23/207 ,  H01B1/02 ,  H01B5/00 ,  H01B13/00

    摘要： 【課題】導電性接着剤等を作製するために、銀被覆粒子とバインダ樹脂との混合物にせん断応力を加えた際に銀被覆層に亀裂や銀被覆層のコア粒子からの剥離が生じにくく、導電性接着剤等の導電性をより向上し得る。 【解決手段】無機又は樹脂粒子からなるコア粒子と、このコア粒子の表面に形成された銀被覆層とを備えた銀被覆粒子であって、銀被覆層中の銀の量が銀被覆粒子100質量部に対して5〜90質量部であり、X線回折装置に付属する試料ホルダーに前記銀被覆粒子を充填して2θ/θ=30〜120degの範囲でX線を照射し、得られた回折線から算出される銀の結晶子径が35〜200nmの範囲にある銀被覆粒子である。 【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题：为了提高导电粘合剂的导电性，通过防止银涂层断裂，并且当将银涂覆层与粘合剂树脂的混合物加入剪切应力时，将银涂层与核心颗粒分离，从而制成导电粘合剂 解决方案：涂银颗粒包括由无机或树脂颗粒组成的芯颗粒和形成在芯颗粒表面上的银涂层。 银涂层中的银量对于100重量份的银涂覆颗粒为5-90个点，并且由通过将附着在X射线衍射仪上的样品架填充银而提供的衍射线计算出的银微晶直径与银 在2θ/θ= 30〜120度的范围内照射X射线的涂布粒子在35〜200nm的范围内。选择图1：

    Plating process device, plating process method, and storage medium
    7.
    发明专利
    Plating process device, plating process method, and storage medium 审中-公开
    镀层工艺设备，镀层工艺方法和储存介质

    公开(公告)号：JP2013249495A

    公开(公告)日：2013-12-12

    申请号：JP2012123611

    申请日：2012-05-30

    申请人： Tokyo Electron Ltd ,  東京エレクトロン株式会社

    发明人： MIZUTANI NOBUTAKA ,  TANAKA TAKASHI ,  IWASHITA MITSUAKI

    IPC分类号： C23C18/16 ,  C23C18/18 ,  C23C18/31 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

    CPC分类号： C23C18/1875 ,  C23C18/1616 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1676 ,  C23C18/168 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76898

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plating process method capable of improving the uniformity of the thickness of a plating layer that is formed on the inner surface of a concave section.SOLUTION: A plating process method includes: a step in which a substrate 2 having a concave section formed thereon is prepared inside of a casing 101; and a plating step S21 in which a plating solution is supplied to the substrate 2 and a plating layer having a specific function is formed on the inner surface of the concave section. With regards to the plating step S21, after the plating solution is supplied to the substrate 2 and the inside of the concave section of the substrate 2 is filled with the plating solution that has been supplied thereto, plating solution having a temperature that is higher than that of the plating solution is supplied to the substrate.

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够提高形成在凹部的内表面上的镀层的厚度均匀性的电镀处理方法。电镀处理方法包括：将基板2 在壳体101内部形成有形成在其上的凹部; 以及在该凹部的内表面上形成电镀液供给到基板2的电镀工序S21和具有特定功能的镀层。 关于电镀步骤S21，在将电镀液供给到基板2，并且向基板2的凹部的内部填充有被供给的电镀液之后，电镀液的温度高于 将电镀溶液的液体供给到基板。

    Method of depositing
    8.
    发明专利
    Method of depositing 审中-公开
    沉积方法

    公开(公告)号：JP2006120713A

    公开(公告)日：2006-05-11

    申请号：JP2004304536

    申请日：2004-10-19

    申请人： Hidekazu Kondo ,  Tokyo Electron Ltd ,  東京エレクトロン株式会社 ,  英一 近藤

    发明人： NARISHIMA MASAKI ,  MATSUZAWA OKIAKI ,  SATO HIROSHI ,  KOMIYA TAKAYUKI ,  KONDO HIDEKAZU

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/76877 ,  C23C18/161 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/168 ,  C23C18/1682 ,  C23C18/1685 ,  C23C18/40 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/288

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To make coverage and padding characteristics to a fine pattern good as compared with a conventional art in a method of depositing to the fine pattern using the medium of a super-critical state and further to enable to deposit to the still more fine pattern.
    SOLUTION: A method of supplying and depositing treatment medium which dissolves a precursor in the medium of the super-critical state, depositing on the substrate to be processed, includes a first step of setting the temperature of the substrate to be processed to the first temperature which is under the depositing minimum temperature that is the minimum of exhibiting temperature and supplying the treatment medium on the substrate to be processed; and a second step of depositing on the substrate to be processed by raising the first temperature of the substrate to be processed from the temperature of the substrate to be processed to the second temperature which is more than the above depositing minimum temperature.
    COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

    摘要翻译： 要解决的问题：为了使传统技术中的覆盖和填充特性与使用超临界状态的介质沉积到精细图案的方法相比更好，并且还能够沉积到 还是比较精细的样式。 解决方案：提供和沉积在超临界状态的介质中溶解前体的处理介质的方法，沉积在待处理的基板上，包括将要处理的基板的温度设定为 处于显示温度最低的沉积最低温度的第一温度并将待处理介质供给到待处理的基板上; 以及第二步骤，通过将要处理的基板的第一温度从待处理的基板的温度升高到大于上述沉积最低温度的第二温度，在要处理的基板上沉积。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI