公开(公告)号：KR20210033053A

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：KR1020217007267A

申请日：2019-07-25

Applicant: 마이크론 테크놀로지, 인크

Inventor： 리차드 이. 파켄탈 ,  다니엘레 비메르카티 ,  자한쉬르 자바니파드

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/2259 ,  G11C11/2255 ,  G11C11/221 ,  G11C11/2257 ,  G11C11/2273 ,  G11C11/2293 ,  G11C11/2295 ,  G11C11/2297 ,  H03K21/10 ,  H03K5/13 ,  H03L7/0805 ,  H03L7/0997 ,  H03L7/193

Abstract: 메모리 디바이스에서 섹션 기반 데이터 보호를 위한 방법들, 시스템들, 및 디바이스들이 설명된다. 일 예에서, 메모리 디바이스는 각각이 각각의 메모리 섹션의 액세스 라인들과 선택적으로 결합되도록 구성된 메모리 셀들을 갖는 세트 메모리 섹션들을 포함할 수 있다. 메모리 디바이스를 동작시키는 방법은 타이머의 결정된 값에 기초하여 전압 조정 동작을 위한 섹션들 중 적어도 하나를 선택하는 단계, 및 선택된 섹션의 복수의 워드 라인들의 각각을 활성화함으로써 선택된 섹션에 대한 전압 조정 동작을 수행하는 단계를 포함할 수 있다. 전압 조정 동작은 메모리 셀들의 반대 단자들에 동일한 전압을 인가하는 것을 포함할 수 있으며, 이는 선택된 메모리 섹션의 액세스 동작들로부터 축적된 누설 전하와 같은, 누적 전하가 선택된 섹션의 메모리 셀들로부터 소산하는 것을 허용할 수 있다.

公开(公告)号：JP2018521441A

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：JP2017555408

申请日：2016-05-10

Applicant: マイクロン テクノロジー, インク.

Inventor： マロッタ,ジュリオ ジュゼッペ ,  ティブルジ,マルコ ドメニコ

IPC: H01L27/11507 ,  G11C7/06 ,  G11C7/14 ,  G11C11/22

CPC classification number: G11C11/2273 ,  G11C7/062 ,  G11C7/067 ,  G11C11/221 ,  G11C11/2253 ,  G11C11/5657 ,  G11C2213/77

Abstract: 仮想接地検知回路、電子システム、コンピューティングデバイス、及び、関連する方法が開示される。仮想接地検知回路は、基準ボルテージポテンシャルを検知ノードボルテージポテンシャルと比較するように構成された検知回路と、検知回路に動作可能に結合される仮想接地回路と、を含む。仮想接地回路は、第1のバイアスボルテージポテンシャルにある仮想接地を、選択された強誘電性メモリセルに動作可能に結合された導電線に提供し、選択された強誘電性メモリセルが、第1の分極状態から第2の分極状態に変化することに応答して導電線を検知ノードに放電するように構成される。方法は、第2のバイアスボルテージポテンシャルを、選択された強誘電性メモリセルに動作可能に結合された他の導電線に印加し、検知ノードボルテージポテンシャルを基準ボルテージポテンシャルと比較することを含む。電子システム及びコンピューティングデバイスは、仮想接地検知回路を含む。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018514891A

公开(公告)日：2018-06-07

申请号：JP2017543727

申请日：2016-02-16

Applicant: 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ,  テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド

Inventor： カール ゼット ゾウ ,  キース エイ レマック ,  ジョン エイ ロドリゲス

IPC: G11C11/22 ,  G11C7/04 ,  G11C7/14 ,  H01L27/11509

CPC classification number: G11C11/221 ,  G11C11/2273 ,  G11C11/2275 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50016

Abstract: 説明される例は、1トランジスタ1キャパシタ(1T−1C)タイプの強誘電体ランダムアクセスメモリ(FRAM)セルを含む集積回路において、データ状態を感知するための基準電圧を設定する方法を含む。電気的テスト動作において、FRAMセルの幾つか又は全てが、特定の分極状態にプログラムされる(32)。読み出されるときに最弱セルが正しいデータをリターンできない基準電圧限界を決定するために、そのデータ状態に対する1つ又は複数の最悪ケースの電気的又は環境的条件において(34)、データ状態を感知するための基準電圧の「シュムー」が実施される(36)。その後、この基準電圧限界に基づいて、限界プラス/マイナス公差等の基準電圧を用いて構成レジスタが書き込まれる(40)。

公开(公告)号：JP2017511950A

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：JP2016556945

申请日：2015-03-10

Applicant: 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ,  テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド ,  テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド

Inventor： エイ ロドリゲス ラトーレ ホセ ,  エイ ロドリゲス ラトーレ ホセ ,  ピー マクアダムス ヒュー ,  ピー マクアダムス ヒュー ,  ゴエル マニッシュ ,  ゴエル マニッシュ

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/2275 ,  G06F11/1008 ,  G06F11/1068 ,  G11C11/221 ,  G11C11/2273 ,  G11C29/52 ,  G11C2029/0411 ,  H03M13/2945

Abstract: 記載される例において、メモリ回路を動作させる方法が、真のデータ(01)を複数のビット(B0、B1)に書き込むことを含む。真のデータを示す信号ビット(B1)に第1のデータ状態(0)が書き込まれる。真のデータは、読み出され、相補データ(10)が複数のビット(B0、B1)に書き込まれる。相補データを示す信号ビット(B1)に第2のデータ状態(1)が書き込まれる。

公开(公告)号：JPWO2015141625A1

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：JP2015528790

申请日：2015-03-16

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 恒洋 井野 ,  恒洋 井野 ,  章輔 藤井 ,  章輔 藤井

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C11/2273 ,  G11C11/221 ,  G11C11/223 ,  G11C11/2275 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/101 ,  H01L29/045

Abstract: 実施形態の不揮発性記憶装置は、層中の酸素イオン数に酸素の価数2を乗じたものが陽イオン数に陽イオンの価数を乗じたものよりも少ない第1の導電層と、第1の導電層に接して設けられる絶縁膜と、絶縁膜の第1の導電層と反対側に、絶縁膜に接して設けられる酸化ハフニウムの強誘電体膜と、強誘電体膜の絶縁膜と反対側に、強誘電体膜に接して設けられ、層中の酸素イオン数に酸素の価数2を乗じたものが陽イオン数に陽イオンの価数を乗じたものよりも少ない第2の導電層と、第1の導電層及び第2の導電層のうち一方若しくは両方の強誘電体膜と反対側に、第1の導電層または第2の導電層に接して設けられ、層中の酸素イオン数に酸素の価数2を乗じたものが陽イオン数に陽イオンの価数を乗じたものよりも多い金属酸化物の第3の導電層と、を備える。

公开(公告)号：JP2017504180A

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：JP2016526259

申请日：2014-10-29

Applicant: マイクロン テクノロジー, インク. ,  マイクロン テクノロジー, インク.

Inventor： エム． カルダ，カマル ,  エム． カルダ，カマル ,  ギーリー，エフ．ダニエル ,  ヴィシャーク ニルマル ラマスワミ，ドゥライ ,  ヴィシャーク ニルマル ラマスワミ，ドゥライ ,  ヴィー． モウリ，チャンドラ ,  ヴィー． モウリ，チャンドラ

IPC: H01L21/8246 ,  G11C11/22 ,  H01L21/336 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: G11C11/5657 ,  G11C11/221 ,  G11C11/2273 ,  G11C11/2275 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/40 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: マルチビット強誘電メモリ素子と、それを形成する方法を提供する。マルチビット強誘電メモリ素子を形成する方法の一例は、ビアの第1側に第1強誘電材料を形成することと、材料を取り除いて、上記ビアの第2側を露出することと、上記ビアの上記第1側と比較して異なる厚さで上記ビアの上記第2側に第2強誘電材料を形成することを含む構成であってもよい。【選択図】図5

Abstract translation: 一种多比特强电介质存储器件中，形成相同的方法。 形成多比特强电介质存储器件，包括的方法的一个例子：形成第一铁电体材料，以通孔，其去除材料的第一侧，以暴露孔，所述通孔的所述第二侧 它可以被配置为包括在与厚度的是从第一侧不同，以在通孔的第二侧的第二铁电体材料的比较。 点域5

公开(公告)号：JP6062552B2

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：JP2015528790

申请日：2015-03-16

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 井野 恒洋 ,  藤井 章輔

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/10 ,  H01L21/8246

CPC classification number: G11C11/2273 ,  G11C11/221 ,  G11C11/223 ,  G11C11/2275 ,  H01L27/101 ,  H01L29/045 ,  H01L27/0688

公开(公告)号：JP5646743B2

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：JP2013514146

申请日：2010-06-11

Applicant: レイディアント テクノロジーズ,インコーポレイテッドRadianttechnologies,Inc. ,  レイディアント テクノロジーズ,インコーポレイテッドRadiant Technologies,Inc.

Inventor： エヴァンズ，ジョセフ，テイト

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C11/221

公开(公告)号：JP2014067477A

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：JP2013189272

申请日：2013-09-12

Applicant: Palo Alto Research Center Inc ,  パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッドPalo Alto Research Center Incorporated

Inventor： SCHWARTZ DAVID ERIC

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/221 ,  G11C11/2273

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide means of remotely or wirelessly reading ferroelectric memories.SOLUTION: An embodiment comprises: a ferroelectric capacitor that stores a binary polarization state representing a single data bit in a ferroelectric memory; an additional capacitor with a first electrode connected to a first electrode of the ferroelectric capacitor; and a resistor connected to the first electrode of the ferroelectric capacitor. The capacitance of the ferroelectric capacitor is measured by referencing changes in an alternating current voltage signal.

Abstract translation: 要解决的问题：提供远程或无线阅读铁电存储器的方法。解决方案：实施例包括：铁电电容器，其存储表示铁电存储器中单个数据位的二进制极化状态; 附加电容器，其具有连接到所述铁电电容器的第一电极的第一电极; 以及连接到铁电电容器的第一电极的电阻器。 通过参考交流电压信号的变化来测量铁电电容器的电容。

公开(公告)号：JP2014038636A

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：JP2013189961

申请日：2013-09-13

Applicant: Ge Healthcare Bioscience Bioprocess Corp ,  ジーイー・ヘルスケア・バイオサイエンス・バイオプロセス・コーポレイション

Inventor： MANUEL NYFFELER ,  POTYRAILO RADISLAV ALEXANDROVICH ,  PIZZI VINCENT F ,  MORRIS WILLIAM GUY ,  GERARD J GACH ,  VIJAY SINGH

IPC: G06K19/07 ,  G06K17/00 ,  G06K19/00 ,  G06K19/10

CPC classification number: G06K7/10009 ,  G06K7/0008 ,  G06K19/0723 ,  G06K19/14 ,  G06Q10/08 ,  G11C11/22 ,  G11C11/221

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a system and a device in which authorization for a disposable bioprocess component can be performed, and illegal manufacturing and unauthorized operation thereof can be prevented.SOLUTION: By using a ferroelectric random access memory chip (FRAM(R)), error-correctable information is stored on an RFID tag attached to a disposable bioprocess component; the error-correctable information is sequentially written in a memory chip; and when thereby the RFID tag and the disposable bioprocess component is sterilized with gamma ray, redundant information is left in the chip. In a method of authorizing a disposable bioprocess component, responsibility is reduced in the respect that a false low-quality disposable component is not used on a hardware, and that a user does not allege injustice complaint.

Abstract translation: 要解决的问题：提供可以执行一次性生物处理部件的授权的系统和装置，并且可以防止其非法制造和未经授权的操作。解决方案：通过使用铁电随机存取存储器芯片（FRAM ），将错误校正信息存储在附接到一次性生物处理部件的RFID标签上; 可纠错信息顺序写入存储芯片; 并且由此RFID标签和一次性生物处理部件用伽马射线消毒时，剩余的信息留在芯片中。 在授权一次性生物过程组件的方法中，在硬件上不使用虚假的低质量一次性组件的情况下，责任被减少，并且用户没有指出不公正的投诉。