公开(公告)号：JP2005285778A

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：JP2005135104

申请日：2005-05-06

Applicant: Candescent Intellectual Property Services Inc ,  キャンデセント・インテレクチュアル・プロパティ・サービシーズ・インコーポレイテッド

Inventor： MACAULAY JOHN M ,  SPINDT CHRISTOPHER J ,  SEARSON PETER C ,  DUBOC JR ROBERT M

IPC: H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J3/02 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3042 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/319

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a structure of an electron emission device having high packing density of an emitter and to provide its manufacturing process. SOLUTION: An electron emission property element suitable for a flat panel type display is manufactured by high packing density. An electronic emitter has a base supporting the structure. A lower side non-insulation region patterned into a shape forming a plurality of parallel lines is formed on an insulation material which is the base. An electron emission property filament is formed in a hole extending in an insulation layer provided on the lower side non-insulation region. Typically, a patterned non-insulation gate layer is provided on the insulation layer to form a gate control type device. Preferably, a position of an electron emission mechanism is delimited using a charged particle track. By using the charged particle track, the electron emission mechanism is greatly miniaturized and is arranged by bringing mutual interval close. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 解决的问题：提供具有高发射极堆积密度的电子发射装置的结构并提供其制造工艺。 解决方案：适用于平板型显示器的电子发射特性元件以高堆积密度制造。 电子发射器具有支撑结构的基座。 在作为基底的绝缘材料上形成图案化为形成多条平行线的形状的下侧非绝缘区域。 在设置在下侧非绝缘区域上的绝缘层中延伸的孔中形成电子发射特性长丝。 通常，在绝缘层上设置图案化的非绝缘栅极层以形成栅极控制型器件。 优选地，使用带电粒子轨道限定电子发射机构的位置。 通过使用带电粒子轨道，电子发射机构大大地小型化并且通过使相互间隔接近来布置。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP3631959B2

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：JP2000523691

申请日：1998-12-03

Applicant: プリンタブル フィールド エミッターズ リミテッドPrintable Field Emitters Ltd.

Inventor： アラン タック，リチャード ,  ヒュー エドワード ビショップ，

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J29/87 ,  H01J29/94 ,  H01J31/12 ,  H01J63/06

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J2201/30403

公开(公告)号：JP2009049019A

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：JP2008278142

申请日：2008-10-29

Applicant: Samsung Sdi Co Ltd ,  三星エスディアイ株式会社

Inventor： RI KOU ,  RI SOSHIN ,  BOKU SOGEN

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30403 ,  Y10S977/952

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a field emission element with carbon nanotubes and a method for manufacturing the same, capable of preventing short-circuit between a gate electrode and a cathode. SOLUTION: The method for manufacturing the field emission element includes: a first step of performing vapor deposition of a protective layer on an insulation layer and a gate electrode such that the protective layer surrounds them and subsequently patterning the protective layer such that it is left only on the insulation layer and the gate electrode; a second step of coating a carbon nanotubes paste on the protective layer such that the paste is laminated on the protective layer with a well and an opening filled; a third step of irradiating light from a back side surface of a substrate so as to make the carbon nanotubes paste and the protective layer exposed and subsequently lifting off unexposed portions during development of the carbon nanotubes paste and the protective layer so as to form a carbon nanotubes column; and a fourth step of sintering the carbon nanotubes column so as to lower its height and subsequently performing surface treatment thereon so as to form a field emitting source, in which carbon nanotubes chips are aligned on a surface of the carbon nanotubes column. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供具有碳纳米管的场发射元件及其制造方法，能够防止栅电极和阴极之间的短路。 解决方案：用于制造场致发射元件的方法包括：在绝缘层和栅电极上进行保护层的气相沉积的第一步骤，使得保护层围绕它们并随后对保护层进行图案化，使得其 仅留在绝缘层和栅电极上; 第二步是在保护层上涂覆碳纳米管糊料，使得糊料层压在保护层上并填充开口; 第三步骤，从基板的背面照射光，以使碳纳米管浆料和保护层暴露，随后在碳纳米管浆料和保护层的显影期间将其暴露出来，从而形成碳 纳米管柱 以及烧结碳纳米管柱以降低其高度并随后在其上进行表面处理以形成其中碳纳米管芯片在碳纳米管柱的表面上排列的场发射源的第四步骤。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP3749592B2

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：JP8869797

申请日：1997-03-25

Applicant: モトローラ・インコーポレイテッドMotorola Incorporated

Inventor： ディーン・バーカー

IPC: H01J31/12 ,  G09G3/22 ,  H01J29/46 ,  H02H7/20

CPC classification number: H01J29/467 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2329/00

公开(公告)号：JP2004502289A

公开(公告)日：2004-01-22

申请号：JP2002507399

申请日：2001-06-28

Applicant: プリンタブル フィールド エミッターズ リミテッド

Inventor： ウェイト，　マイケル，　スチュアート ,  エディリシンヘ，　モーハン ,  タック，　リチャード，　アラン ,  バーデン，　アドリアン，　ポール ,  フッド，　クリストファー ,  リー，　ウォーレン

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01J63/06

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J2201/30403

Abstract: 電界電子放射材料を創り出すために、主成分を流体ビークルから成る主成分と、それ自体の上にあるか、あるいは、前駆物質内に設けた電気絶縁材料から成る第１副成分と、導電性粒子１５０４から成る第２副成分と、を包含するインク１５０３を基板１５０１に印刷する。 次に、印刷済みインクを処理して、主成分を追い出し、基板上の副成分から電界電子放射材料を創り出す。 電界放射装置において固体電気絶縁層を印刷するには、導電性粒子を省略することもできる。

公开(公告)号：JP4268687B2

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：JP1735997

申请日：1997-01-14

Applicant: モトローラ・インコーポレイテッドMotorola Incorporated

Inventor： カレン・イー・ジャチモウィック ,  キャスリーン・トービン ,  ジェームズ・イー・ジャスキー ,  フレッド・ブイ・リチャード ,  ローレンス・エヌ・ドウォルスキー

IPC: G09F9/00 ,  G02B1/10 ,  H01J9/18 ,  H01J9/24 ,  H01J29/87 ,  H01J29/89 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J31/127 ,  G02B1/10 ,  H01J29/89 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2329/8625

Abstract: An optical correction layer (800, 900, 50) for a light emitting apparatus having gaps (604, 806) in brightness at the light-emitting surface (204, 601). The optical correction layer (800, 900, 50) includes a plurality of optical correction regions (802, 902, 62) centered over the gaps (604, 806), and a plurality of optically transparent regions (804, 904, 57) which overlay the remainder of the light-emitting surface (204, 601). The optical correction regions (802, 902) include appropriately formed grooves (820, 822, 920) which collect and redirect light (816) adjacent the gap (604, 806). The light (816) is redirected to cover and effectively conceal the gap (604, 806). The optically transparent regions (804, 904, 57) permit light to travel through, without redirection.

公开(公告)号：JP4176838B2

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：JP52745098

申请日：1997-12-12

Applicant: スミスズ グループ ピーエルシー ,  ナン ワン ワン

Inventor： ニール アンソニー フォックス ,  ナン ワン ワン

IPC: C30B29/04 ,  B24D18/00 ,  C01B31/06 ,  C09K3/14 ,  C23C16/27 ,  C23C16/44 ,  G09G3/22 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J29/18 ,  H01J31/12

CPC classification number: C23C16/27 ,  B24D18/00 ,  B82Y10/00 ,  C01B32/25 ,  C09K3/1409 ,  C23C16/278 ,  C23C16/44 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J31/123 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/3165

公开(公告)号：JP4001981B2

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：JP22007297

申请日：1997-07-31

Applicant: モトローラ・インコーポレイテッドMotorola Incorporated

Inventor： ジェイムズ・イー・ジャスキー ,  ディーン・バーカー ,  ローレンス・エヌ・ドウォルスキー ,  ロナルド・オー・ピーターソン ,  ロバート・ティー・スミス

IPC: H01J9/24 ,  H01J31/12 ,  H01J1/304 ,  H01J29/86

CPC classification number: H01J1/3042 ,  H01J29/862 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2329/00

公开(公告)号：JP2011508386A

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：JP2010539869

申请日：2008-12-19

Applicant: イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company

Inventor： ラプ−タク・アンドルー・チェン

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30403 ,  H05K3/02 ,  H05K3/4053 ,  H05K2201/09827 ,  H05K2201/09981 ,  H05K2203/0508 ,  H05K2203/0783 ,  H05K2203/308 ,  Y10T428/24339 ,  Y10T428/24802

Abstract: 本発明は、デバイス構造および厚膜ペーストに前から存在するスルーホールに堆積したフォトレジストを用いて電気および電子デバイスを製造する方法、ならびにかかる方法により作製されたデバイスに関する。 この方法によって、ホールの隅部に厚膜ペーストが堆積する。 本発明はまた、ホールの残渣フォトレジスト堆積物から作製された拡散層を用いてパターニングされた厚膜ペーストにより作製されたデバイスにも関する。

公开(公告)号：JP4307856B2

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：JP2003013323

申请日：2003-01-22

Applicant: 三星エスディアイ株式会社

Inventor： 相 鉉 朴 ,  亢 雨 李 ,  相 辰 李

IPC: H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30403 ,  Y10S977/952