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    陰極構成体、電子銃、及びこのような電子銃を有するリソグラフィシステム
    2.
    发明专利
    陰極構成体、電子銃、及びこのような電子銃を有するリソグラフィシステム 审中-公开
    具有阴极结构，电子枪，和这样的电子枪光刻系统

    公开(公告)号：JP2017501553A

    公开(公告)日：2017-01-12

    申请号：JP2016544160

    申请日：2014-12-22

    Applicant: マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ.

    Inventor： ディヌ−グールトレル、ローラ ,  ホガーボルスト、エリック・ペトルス

    IPC: H01J3/02 ,  H01J37/06 ,  H01L21/027

    CPC classification number: H01J37/3174 ,  G03F7/70058 ,  H01J1/15 ,  H01J1/28 ,  H01J3/027 ,  H01J3/029 ,  H01J37/075 ,  H01J37/3177 ,  H01J2229/481 ,  H01J2237/061

    Abstract: 本発明は、長手方向(Z)に電子を放出するための、放出周縁(35)で境界が定められた放出表面(32)を収容している陰極本体(22)と、横断方向(X、Y)に陰極本体を少なくとも部分的に囲み、放出表面によって放出された電子を集束させるための、アパーチャ周縁(45)で境界が定められた電子透過アパーチャ(44)を有する集束電極(40)とを具備し、陰極本体は、アライメントされた位置(R0)から最大横断距離(d1)を超えて集束電極内に移動可能に配置され、アパーチャ周縁は、最大横断距離(d1)を超えるオーバーラップ距離(d2)にわたって、放出周縁を超えて放出表面の上に横断方向に延びている陰極構成体(20)に関する。

    Abstract translation: 本发明中，为了以发射在纵向方向上的电子（Z），阴极体（22）容纳通过释放轮辋（35），沿横向方向限定的释放表面（32）（X， 至少部分地包围阴极体Y），用于聚焦由所述发光面发射的电子，并且通过所述孔边缘界定的具有聚焦电极的电子传输孔（45）（44）（40） 包括阴极体可移动地设置在所述对准位置（R0）最大横向距离（D1）超出从孔周边的聚焦电极是重叠距离超过最大横向距离（d1）的 在（D2），该阴极结构在发射表面超出放电轮缘约（20）横向延伸。

    Electron gun, and vacuum treatment device using the electron gun
    6.
    发明专利
    Electron gun, and vacuum treatment device using the electron gun 审中-公开
    电子枪和使用电子枪的真空处理装置

    公开(公告)号：JP2011040292A

    公开(公告)日：2011-02-24

    申请号：JP2009187182

    申请日：2009-08-12

    Applicant: Ulvac Japan Ltd ,  株式会社アルバック

    Inventor： KAGEYAMA TAKASHI ,  SUZUKI YASUMASA ,  SATAKE TORU

    IPC: H01J3/02 ,  H01J29/48

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron gun which does not cause displacement in horizontal direction of a cathode electrode.
    SOLUTION: The electron gun 10 has a case 11. A cathode member 31, a heating device 32, and an anode electrode 3 are arranged in the case 11. The cathode member 31 is constructed of a cathode electrode 1 and a support column 55 which supports the cathode electrode 1. The support column 55 is located at the center of a heating filament 2
    1 . When vacuum treatment is performed using the electron gun 10, and the filament support column 55 is heated to increase its temperature and thermally expanded, the support column 55 makes the cathode electrode 1 move in perpendicular direction but not move in horizontal direction. Thus, electrons do not shift in horizontal direction before reaching an irradiation object in the vacuum tank from the anode electrode 3, and are precisely irradiated on the irradiation object.
    COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种不会在阴极电极的水平方向上产生位移的电子枪。 解决方案：电子枪10具有壳体11.阴极部件31，加热装置32和阳极电极3布置在壳体11中。阴极部件31由阴极电极1和支撑体 列55支撑阴极电极1.支撑柱55位于加热丝2 的中心。 当使用电子枪10进行真空处理时，对灯丝支撑柱55进行加热以使其温度升高并热膨胀时，支柱55使阴极电极1沿垂直方向移动，但不向水平方向移动。 因此，电子在从阳极电极3到达真空槽内的照射物体之前不会在水平方向上移动，并且被精确地照射在照射物体上。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

    Method for manufacturing electron emitting lithographic equipment and its electron emitting emitter for lithography using electron emitting source of selectively grown carbon nanotube
    10.
    发明专利
    Method for manufacturing electron emitting lithographic equipment and its electron emitting emitter for lithography using electron emitting source of selectively grown carbon nanotube 审中-公开
    用于制造电子发射光刻设备的方法及其使用电子发射源选择性碳纳米管的电子发射器

    公开(公告)号：JP2008160139A

    公开(公告)日：2008-07-10

    申请号：JP2008000207

    申请日：2008-01-04

    Applicant: Samsung Electronics Co Ltd ,  三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.

    Inventor： CHOI WON-BONG ,  YOO IN-KYEONG

    IPC: H01L21/027 ,  C01B31/02 ,  G03F7/20 ,  H01J3/02 ,  H01J9/02 ,  H01J37/073 ,  H01J37/305

    CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  H01J3/022 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/3175 ,  Y10S977/901

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an electron emitting lithographic equipment and its electron emitting emitter for lithography using an electron emitting source of a selectively grown carbon nanotube. SOLUTION: The electron emitting lithographic equipment includes: an electron emitting source arranged within a chamber; and a stage for placing a specimen 14 spaced at a predetermined distance from the electron emitting source. The electron emitting source consists of carbon nanotubes 11 with electron emitting ability, and the carbon nanotube 11 is used as the electron emitting source in a lithography process. As a result, the lithography process, which can embody very fine line width with extremely high accuracy, becomes available. Since electron beam resists 15 and 15' in a portion, to which the electrons emitted from the carbon nanotubes 11 correspond by 1:1, are exposed, the exposed deflection, which may be produced between a center part and an end part of substrate 12, is suppressed to low. According to the present invention, such a lithography is performed with sufficient productivity. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种使用选择性生长的碳纳米管的电子发射源制造电子发射光刻设备及其用于光刻的电子发射发射器的方法。 解决方案：电子发射光刻设备包括：布置在室内的电子发射源; 以及用于放置与电子发射源隔开预定距离的试样14的台。 电子发射源由具有电子发射能力的碳纳米管11组成，并且碳纳米管11用作光刻工艺中的电子发射源。 结果，可以以非常高的精度体现非常细线宽的光刻工艺。 由于电子束抵抗从碳纳米管11发射的电子对应于1的部分中的15和15'被暴露，所以可能在衬底12的中心部分和端部之间产生的暴露的偏转 ，被抑制到低。 根据本发明，以足够的生产率进行这种光刻。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

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